Разработка литографических процессов изготовления сбис с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения (1025773), страница 5
Текст из файла (страница 5)
М. 2007. С. 219-224.5. Родионов И.А., Макарчук В.В. Коррекция оптических эффектов близостипри проектировании микросхем // Технология и конструирование вэлектронной аппаратуре. 2007. №3. С. 30-32.6. Глушко А.А., Родионов И.А., Макарчук В.В. Моделирование технологииизготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. №4. С.32-34.7. Родионов И.А.
Исследование процесса распределения температуры наповерхностикремниевойпластинывпроцессеформированияфоторезистивной пленки // Наукоемкие технологии и интеллектуальныесистемы 2008: Сборник трудов 10-ой Международной научно-техническойконференции. М. 2008. С. 108-114.8. Родионов И.А. Исследование влияния введения ОРС фигур на параметрыполупроводниковых структур с размерами элементов 0,25 мкм // Наукоемкиетехнологии и интеллектуальные системы 2008: Сборник трудов 10-ойМеждународной научно-технической конференции. М.
2008. С. 115-120.9. Родионов И.А. Проектирование СБИС с учетом возможностейтехнологического процесса // Наукоемкие технологии и интеллектуальныесистемы 2009: Сборник трудов 11-ой Международной научно-техническойконференции. М. 2009. С. 135-137.10. Особенности топологического проектирования субмикронных КМОПСБИС с учетом литографических ограничений / И.А. Родионов [и др.]// Математическое и компьютерное моделирование систем: теоретические иприкладные аспекты: Сб. науч.
тр. НИИСИ РАН. М.: РАН, 2009. С. 24-31.11. Оптимизация плотности заполнения топологии слоев СБИС, направленнаяна повышение стабильности технологического процесса химикомеханической планаризации / И.А. Родионов [и др.] // Математическое икомпьютерное моделирование систем: теоретические и прикладные аспекты:Сб.
науч. тр. НИИСИ РАН. М.: РАН, 2009. С. 50-55.12. Родионов И.А., Шахнов В.А.Метод расчета значений весовыхкоэффициентов топологических структур для калибровки литографическихмоделей // Вестник МГТУ им. Н.Э.Баумана. Секция: Приборостроение. 2010.Спец. выпуск: Наноинженерия. С.
150-160.13. Исследование методов калибровки процессных OPC моделей VT-5 спеременным порогом чувствительности / И.А. Родионов [и др.]// Микроэлектроника. 2010. Том 39, №5. С. 1-13..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
