05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» (1024640), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Способы формирования электронных потоков различной интенсивности (электронные пушки и прожекторы), транспортировка электронного потока и способы ограничения его поперечных размеров. Системы регулирования параметров пучка. Управление электронными потоками. Электрические и магнитные способы управления плотностью и скоростью электронов. Квазистатические и динамические способы управления. Примеры использования в приборах вакуумной электроники и технологическом оборудовании.

Преобразование энергии электронного потока в другие виды энергии: способы, основанные на взаимодействии с внешними электромагнитными полями, энергетический эффект взаимодействия; способы, основанные на взаимодействии с твердыми телами и структурами, эффекты взаимодействия (катодолюминисценция, катодоусиление, рентгеновское излучение, нагрев). Методы расчета и конструирования функциональных элементов и систем оборудования, использующего в технологических целях потоки заряженных частиц. Методы расчета и конструирования источников формирования электронных и ионных пучков.

Методы очистки исходных материалов и структур; оборудование, применяемое для очистки.

Технология и оборудование для выращивания монокристаллов. Особенности конструктивного выполнения ТО и его основных узлов и систем. Особенности выращивания из расплава элементарных полупроводников. Оптимизация равномерного распределения легирующих примесей в монокристаллах. Технология и оборудование получения полупроводникового кремния и германия. Выращивание монокристаллов германия и кремния с совершенной структурой. Особенности технологии полупроводниковых соединений. Методы контроля и стабилизации параметров процесса выращивания монокристаллов, система автоматического управления процессом.

Технология и оборудование для получения тонких пленок в вакууме: вакуум-термическое испарение, электронно-лучевое испарения, высокочастотное распыление диэлектриков, ПТ и ВЧ магнетронное распыление, реактивное ионное распыление, Осаждение пленок в плазме из парогазовых смесей. Особенности проектирования, расчета и моделирования узлов и систем технологического оборудования нанесения пленок. Методы и оборудование осаждения пленок сложного состава, реактивное распыление материалов.

Технология и оборудование для получения эпитаксиальных слоев. Принципиальные схемы проведения эпитаксиальных процессов. Промышленные методы эпитаксиального наращивания и виды применяемого оборудования. Эпитаксия при пониженных давлениях, молекулярно – лучевая эпитаксия. Технические требования, предъявляемые к оборудованию. Типы промышленных установок. Методы контроля и стабилизации параметров эпитаксиальных процессов. Микропроцессорное управление процессами эпитаксии. Моделирование работы эпитаксиального оборудования. Алгоритмы и программы расчета и моделирование процесса и основных элементов ТО эпитаксии.

Технология и оборудование для создания р-n переходов. Методы получения р-n переходов, гетеропереходов и переходов металл—полупроводник. Диффузионные методы легирования. Ионное легирование (имплантация). Оборудование для процессов ионной имплантации.

Основы технологии контактной, дуговой, холодной сварки и пайки. Методы получения вакуумноплотных соединений. Клеевые соединения. Методы контроля герметичности. Оборудование для создания межсоединений и герметизации готовых приборов. Пластмассовая герметизация полупроводниковых приборов, ИМС. Методы пассивации и защиты полупроводниковых приборов и ИМС. Технология и оборудование для пластмассовой герметизации ИЭТ.

Методы и технология откачки и газозаполнения электровакуумных и газоразрядных приборов. Откачка удалением и связыванием. Криогенная откачка. Вакуумное технологическое оборудование для формирования остаточной вакуумной среды в электронных приборах.

Термохимическое оборудование в производстве электровакуумных в полупроводниковых приборов. Принципы расчета и проектирования.

Электротермические устройства и системы. Принципы расчета и проектирования. Оборудование для получения диффузионных и диэлектрических слоев в термопечах. Требования процессов диффузии, окисления и осаждения из паро-газовых смесей к ТО. Особенности конструкций компонентов: термопечей, элементов газо-вакуумных систем, устройств утилизации продуктов реакций и др. Основы инженерного расчета газовых систем. Автоматическое управление диффузионной печью. Моделирование процессов и устройств получения диффузионных диэлектрических слоев.

Методы и оборудование травления микроструктур: ионное, реактивное ионное и плазмохимическое с использованием постоянного тока, ВЧ и СВЧ разрядов. Физика процессов, особенности проектирования и моделирования процессов, узлов и систем ТО. Системы с электронно-циклотронным резонансом. Методы анизотропного травления полупроводников (Bosh-процесс, ICP-процесс).

Технология и оборудование электрофизических и электрохимических методов обработки. Прецизионное электроэрозионное оборудование для обработки деталей электронных приборов. Ультразвуковое оборудование для очистки поверхности и обработки хрупких материалов. Оборудование для обработки лучем лазера. Технология и оборудование электрохимической обработки.

Основы проектирования и расчета элементов газовых систем. Элементы, используемые в газовых системах термических установок и их гидродинамические характеристики. Типы и конструкции регулирующей и контрольной аппаратуры газовых систем термического оборудования. Конструкционные материалы газовых систем. Основы инженерного расчета газовых систем.

Контрольно-измерительное и испытательное оборудование. Современные принципы автоматизации технологических процессов измерения и контроля в процессе многооперационной обработки.

Современное аналитическое вакуумное оборудование. Методы получения высокого вакуума. Вторично-ионные масс-спектрометры, Оже-спектрометры, оборудование, использующее рентгеновское и лазерное излучение.

Литографические процессы в производстве полупроводниковых приборов. Анализ точности литографического процесса и определение требований к ТО. Сопоставительный анализ предельных возможностей процессов и ТО литографии, основанных на применении ультрафиолетового, лазерного и рентгеновского излучений, электронных и ионных пучков. Схемы процессов проектирования и формирования изображений на пластинах в производстве интегральных микросхем.

Оборудование оптической литографии (генераторы изображений, фотоповторители, установки совмещения и экспонирования и др.). Влияние дифракции и аберраций оптических систем на качество изображения. Методы машинного расчета влияния аберраций. Прецизионные системы координатных перемещений. Алгоритмы и программы расчета оптических систем и систем координатных перемещений.

Электронная литография. Классификация и принципиальные схемы электронно-лучевых и проекционных установок электронной литографии. Влияние различных факторов на качество изображения: аберраций, рассеяния электронов, эффектов близости и т.д. Конструкции, методы проектирования, расчета и моделирования основных узлов ТО электронной литоргафии: электронных пушек, систем формирования, переноса и отклонения пучков, систем совмещения, систем перемещения и позиционирования пластин. Современные проблемы и тенденции развития ТО электронной литографии.

Основные проблемы создания и внедрения рентгеновского литографического оборудования. Состав рентгенолитографической установки. расчет и моделирование основных ее узлов и параметров процесса экспонирования. Источники рентгеновского излучения, шаблоны для рентгенолитографии.

Ионно-лучевая литография (ИЛЛ). Направления развития ТО ИЛЛ и особенности создания систем экспонирования коллимированным ионным пучком (ИП), острое/фокусированным ИП и систем модульной ионной проекции изображения. Конструкции, сравнительные характеристики, методы расчета и моделирования основных узлов и систем ТО ИЛЛ: ионных источников, отклоняющих и сканирующих систем, систем ускорения и фокусировки.

Основные требования технологических процессов сварки и пайки к ТО сборки монтажа микросхем. Конструктивное выполнение установок, основных узлов и систем. Принципы расчета и проектирования узлов монтажно-сборочного оборудования. Критерии подобия сварочных процессов и их применения при проектировании оборудования.

Автоматизация монтажно-сборочного оборудования микроэлектроники. Адаптивные основы управления. Системы автоматической ориентации. Автоматизация проволочного монтажа. Автоматизированное оборудование пайки. Применение промышленных роботов в монтажно-сборочном оборудовании. Системы автоматического управления ТО монтажа и сборки микросхем.

Основные виды контрольно-измерительных операций на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов и шаблонов. Контролируемые параметры, методы и приборы неразрушающего контроля.

Технологические микросистемы. Компоненты технологических микросистем: микроклапаны, микронасосы, микродозаторы, микросмесители, микросепараторы, микротранспортеры, микрореакторы. Микро- и нано- инструмент: микросхваты, микроножи, микросверла, микрозонды. Кластерные технологические микросистемы: микрохимические лаборатории, участки микросборки, минифабрики.

Основная литература

1. Глазов B.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Химия, 1981.

2. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979.

3. Сорокин И.Н. Акуленок М.В. Технология электронных компонентов. М.: МИЭТ, 1999.

4. Раскин А.А., Картушина А.А., Баровский Н.В. Технология материалов электронной техники. М.: МИЭТ, 1999.

5. Афанасьев В.П., Ганенков Н.А., Пщелко Н.С. Материалы и компоненты функциональной электроники, СПб.: СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 1999.

6. Арзамасов Б.Н., Макарова В.И., Мухин Г.Г. Материаловедение / Под ред. Б.Н. Арзамасова. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2002.

7. Неупорядоченные полупроводники / А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. М.: Издательство МЭИ, Высш. шк., 1994.

8. Будагян Б.Г., Шерченков А.А. Материалы твердотельной электроники. М.: МИЭТ, 1999.

9. Гусев А.И., Ремпель А.А. Нанокристаллические материалы. М.: Физматлит, 2001.

10. Технология СБИС. В 2 кн. / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986.

11. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.

12. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Система кремний—диоксид кремния в субмикронных СБИС. М.: Техносила, 2003.

13. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М.: Техносила, 2002.

14. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989.

15. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987.

16. Сорокин В.С. Методы формирования полупроводниковых сверхрешеток и квантоворазмерных структур. СПб.: СПбГЭТУ, 1996.

17. Ганенков Н.А., Закржевский В.И., Пчелко Н.С. Теория и расчет электромеханических преобразователей на активных диэлектриках. РИО ЭТУ, 1995.

18. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 2000.

19. Кардона М. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002.

20. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987.

21. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. М. Высш. шк., 2001.

22. Кухаркин Е.С. Электрофизика информационных систем. М.: Высш. шк., 2001.

23. Введение в микромеханику / Под ред. М. Онами. М.: Металлургия, 1987.

24. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоматериалы. М.: Радио и связь, 1989.

Дополнительная литература

1. Щука А.А. Функциональная электроника. М.: МИРЭА, 1998.

2. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. М.: Микрон-принт, 1999, ч. 1.

3. Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники. Ч. 1. Методы исследования состава материалов электронной техники / Ю.Н. Коркишко, А.Г. Борисов, Н.Г. Никитина и др. Под ред. Ю.Н. Коркишко. М.: МИЭТ, 1997.

4. Матына Л.И., Федоров В.А., Коркишко Ю.Н. Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники. Ч. 2. Методы исследования структуры материалов электронной техники / Под ред. Ю.Н. Коркишко. М.: МИЭТ, 1997.

5. Коротеев А.А. Малогабаритные энергонапряженные системы транспортировки электронных пучков в плотные среды. М.: Машиностроение, 2003.

6. Крайнев А.Ф. Идеология конструирования. М.: Машиностроение, 2003.

7. Редин В.М. Образование и распространение аэрозолей в технологических объемах микроэлектроники. М.: МИЭТ, 1992.

8. Редин В.М., Минкин М.Л. Исследование физических процессов загрязнения поверхности полупроводниковых пластин в чистых производственных помещениях микроэлектроники. М.: МИЭТ, 1992.

9. Гребенкин В.З., Николаевский Е.В., Редин В.М. Элементы динамики и триботехники механизмов полупроводникового производства. М.: МИЭТ, 1991.

10. Чистые помещения / Под ред. И. Хаякавы. М.: Мир, 1990.

11. Норенков И.П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем. М.: Высш. шк., 1986.

12. Быков В.П. Методическое обеспечение САПР в машиностроении, Л.: Машиностроение, 1989.

13. Сырчин В.К. САПР и моделирование технических систем. М.: МИЭТ, 1997.

14. Калинина И.С. Расчет и конструирование чистых производственных помещений. М.: МИЭТ, 1998.

15. Ануфриенко В.В. Процессы и оборудование фотолитографической обработки. М.: МИЭТ, 1998.

16. Гусев В.В., Самойликов В.К. Физические основы проектирования оборудования. М.: МИЭТ, 1999.

17. Симонов Б.М., Заводян А.В., Грушевский А.М. Конструкторско-технологические аспекты разработки ИС и микросборок. М.: МИЭТ, 1998.

Характеристики

Список файлов ответов (шпаргалок)