11.04.03 Конструирование и технология электронных средств (1015372), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Описаниеоперационного устройства. Блок-схема алгоритма, язык операционного описания,микропрограммаоперационногоустройства.Операционныеэлементыкомбинационного типа: дешифраторы, мультиплексоры, демультиплексоры,комбинационные сумматоры, комбинационные множительные устройства, схемыформирования арифметических отношений, схемы сверток по логическойфункции. АЦП, ЦАП.
Регистровые операционные элементы: регистры,накапливающие сумматоры, счетчики сигналов, арифметико-логическиеустройства. Операционные и управляющие автоматы, их связи. Построениеоперационного автомата. Построение управляющего автомата с «жесткой» ипрограммируемой логикой. Построение вычислительных устройств на баземикропроцессоров.Основныепонятияиопределения,принятыевмикропроцессорной технике. Микропроцессор как средство реализации сложныхалгоритмов обработки информации. Микропроцессоры с программным имикропрограммнымуправлением.Архитектураипрограммированиемикропроцессорных вычислителей. Особенности структуры МП вычислителя.6Многошинная структура и структура с общей шиной. Способы описанияархитектуры МП вычислителя. Способы адресации информации.
Системы команд:команды пересылок, арифметико-логические команды, команды управления.Программирование МП-вычислителя. Машинные коды, построение программ.Структурная организация МП – вычислителей. Центральный процессорныйэлемент, назначение и структура. Главная память (ПЗУ и ОЗУ), интерфейсныеустройства, шинные формирователи, буферные регистры, интерфейс клавиатуры.Организация обмена информацией между элементами вычислителя, программныйобмен, режим ПДП. Выполнение команды во времени: командный цикл,машинный цикл, машинный такт.
Элементная база радиотехнических систем иустройств. Микросхемы АЦП и ЦАП, программируемые логические интегральныесхемы, процессоры цифровой обработки сигналов. Системы автоматизированногопроектирования (САПР) цифровых, аналоговых устройств. Принципы и структураСАПР. Задачи проектирования. Компоненты САПР. Принципы построениякомплексной САПР.Физические основы микроэлектроники и нанотехнологии- элементы квантовой физики; корпускулярно-волновой дуализм, волновыесвойства частиц, длина волны де Бройля; принцип неопределенности Гейзенберга;Функция распределения и плотность разрешенных состояний; распределениеФерми-Дирака;- зонная теория твердого тела и физика полупроводников; основныеприближения зонной теории; механизмы рассеяния носителей заряда; классическаятеория электропроводности; квантовый подход к рассеянию носителей заряда;электрон-фононное рассеяние, рассеяние на ионизированных атомах примеси;примесные атомы, примесная проводимость с точки зрения зонной теории;процессы рекомбинации в полупроводниках; кинетические явления;- контактные явления в полупроводниках; контакт металл-полупроводник;электронно-дырочный переход; гетеропереходы;- физика полупроводниковых приборов; диоды: выпрямительные.стабилитроны, варикапы, ЛПД диоды, диоды Ганна, туннельные, излучательные;транзисторы: биполярные, полевые.Схемотехника электронных средств-электрические сигналы, временное и спектральное представлениесигналов, характеристики сигналов; транзисторы в устройствах схемотехники,биполярные транзисторы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы;- усилители сигналов; принципы построения, искажение сигналов вусилителях; схемы с ОЭ,ОБ и ОК; схемы на средних, низких и высоких частотах;сравнительная характеристика основных схем усиления; усилители постоянноготока, дифференциальная и ОУ; усилители мощности;- источники электрического питания; схема ВИП, схемы выпрямителей;фильтры; стабилизация напряжения и тока.7Материаловедение и материалыэлектронных средств- строение металлов и сплавов; типы кристаллических решеток; индексацияплоскостей и направлений; анизотропия, полиморфизм; строение реальныхкристаллов, дефекты и влияние дефектов на электрические и физико-механическиесвойства материалов; твердые растворы, химические соединения, механическиесмеси; диаграммы фазового равновесия; механические свойства металлов; упругаяи пластическая деформация; влияние нагрева на свойства деформированногометалла;- конструкционные материалы; железо и его сплавы, диаграммы состоянияжелезо-углерод; углеродистые стали; виды термической обработки; цветныеметаллы и сплавы; строение и свойства меди, латуни, бронзы; алюминий иалюминиевые сплавы, силумины; припои и флюсы; пластмассы, полимерныесоединения ( смолы); классификация пластмасс; керамика; сырьевые материалы;- электротехнические материалы, диэлектрики; основные параметрыдиэлектриков; диэлектрическая проницаемость и ее зависимость от температуры,диэлектрические потери, векторные диаграммы и эквивалентные схемыдиэлектриков с потерями, зависимость тангенса угла диэлектрических потерь оттемпературы, частоты, напряжения электрического поля и влажности; пробойдиэлектриков; физико-химические и механические свойства диэлектриков, твердыеорганические диэлектрики, термопласты; нейтральные высокочастотныетермопласты полиэтилен, полипропилен, полистирол, фторопласт-4; полярныенизкочастотные термопласты полихлорвинил, полиметилметакрилат, полиамиды,полиуретаны, полиэтилентерефталат, поликарбонаты; пластмассы; неорганическиестекла; световоды; электровакуумные стекла; ситаллы; керамические материалы,конденсаторная керамика; сегнетоэлектрики; пьезокерамика; электреты;материалы для оптических квантовых генераторов (лазеров);- электротехнические материалы, полупроводники; основные параметрыполупроводников ( удельное сопротивление, ширина запрещенной зоны,концентрация носителей заряда, подвижность носителей заряда); принципыочистки полупроводников от сопутствующих примесей; способы получениямонокристаллов полупроводников высокой чистоты; элементарныеполупроводники, кремний, примеси замещения и внедрения, нейтральные примеси,простые доноры и акцепторы; примеси , создающие глубокие уровни; германий;сложные полупроводники, арсенид галлия, фосфид галлия, твердые растворы;- электротехнические материалы, проводники; проводниковая медь,проводниковый алюминий, серебро, золото; сверхпроводники; материалы свысоким электросопротивлением, материалы для резисторов; сплавы длярезистивных устройств, нихромы, фехрали, хромели; материалы непроволочныхрезисторов, углеродистых, металлопроволочных, металлооксидных; керметы;- магнитные материалы, диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики,антиферромагнетики, ферримагнетики; доменное строение ферромагнетиков; точкаКюри; магнитная анизотропия; магнитострикция; процессы намагничивания иперемагничивания в постоянном электрическом поле; петля гистерезиса;остаточная индукция, коэрцитивная сила; металлические магнитомягкиематериалы; магнитотвердые материалы.8Информационные технологии проектированиярадиоэлектронных средств- состав информационных технологий и систем; классификацияинформационных технологий и систем;- принципы и методы создания современных радиоэлектронных средств.Технология производства электронныхсредств и наноструктур- основы технологии устройств РЭС;- технологичность конструкций изделий РЭС;- выбор процессов заготовки при производстве деталей РЭС;- механическая обработка типовых поверхностей деталей РЭС;- технология изготовления РЭС из пластмасс;- понятие о технологическом процессе, производственный процесс;характеристики единичного, типового и группового технологических процессов;- технологическая подготовка производства;- электрофизические и электрохимические методы обработки;- защитные покрытия элементов конструкций и деталей РЭС;- защита электронных элементов и устройств от воздействия внешней среды;- технология производства печатных плат;- типовые технологические процессы сборки и монтажа РЭС;- технология поверхностного монтажа;- сборка функциональных изделий РЭС;-производственный и технологический процессы;-классификация технологических процессов; типовые технологическиепроцессы, базовые технологические процессы и основы их проектирования; - технологическая подготовка производства;-единая система технологической документации (ЕСТД); технологическаядокументация; технологические процессы сборки и монтажа конструкцийэлектронных модулей.-основные технологические процессы механообработки; технологическиепроцессы изготовления интегральных полупроводниковых РЭС; технологическиепроцессы прототипирования конструкций РЭС;- оценка технологичности конструкций РЭС; моделированиетехнологических процессов; программные средства проектированиятехнологических процессов РЭС.;- стадии проектирования технологических процессов (ТП).;единая систематехнологической подготовки производства (ЕСТПП); структура и состав ЕСТПП;источники и классификация производственных погрешностей; методы оценкитехнологических погрешностей; точность и надёжность технологическихпроцессов.9Основы управления техническими системами- системы автоматического регулирования и информационно-измерительныесистемы для УТС; применение УСТ.-типы систем РА: разомкнутые системы, системы РА с обратной связью,комплексные системы;-основные функциональные устройства в системах РА, классификациясистем;-общее дифференциальное линейной системы РА; основные характеристикисистем РА: передаточная функция, импульсная и переходная функции, частотныехарактеристики.-типовые звенья в системах РА, их основные характеристики; соединениязвеньев в системах.-передаточные функции;векторные дифференциальныеуравнения систем РА;-устойчивость систем; необходимое и достаточное условия устойчивостисистем РА; критерии устойчивости; оценка устойчивости систем РА пологарифмическим частотным характеристикам; оценка устойчивости систем РА сзапаздыванием; информационные технологии оценки устойчивости;-методы анализа качества работы систем РА; показатели качествапереходных процессов; частотные показатели качества работы систем РА;- оценка ошибок в системах при детерминированных сигналах РА.;.устойчивость цифровых систем, необходимое и достаточное условияустойчивости цифровых систем РА, критерии устойчивости.10Перечень вопросов для вступительных испытаний в магистратуру попо направлению подготовки 11.04.03 «Конструирование и технологияэлектронных средств»Математический и естественнонаучный цикл1.
Понятие об электронных средствах; интегральные схемы, их классификация;закон Мура; физические и физико-химические ограничения процессамикроминиатюризации, радиус экранирования Дебая, длина волны де Бройля.2. Наноэлектроника и наноматериалы, виды и методы формированиянизкоразмерных систем.3. Плазма; виды и характеристики плазмы; основные частицы, содержащиеся вплазме.4. Физическая и химическая адсорбция. Эффекты, определяющие физическуюадсорбцию.5. Кинетика процессов адсорбции.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
