rpd000007903 (1008252)

Семестр

Трудоем-кость,

час.

Лек-ций,

час.

Практич. занятий,

час.

Лаборат. работ,

час.

СРС,

час.

Экзаменов,

час.

Форма промежуточного контроля

3

108

34

8

12

54

0

Зо

Итого

108

34

8

12

54

0

Шишкин Г.Г.

_________________________

Заведующий обеспечивающей кафедрой 408

_________________________

Заведующий выпускающей кафедрой 402

_________________________

Декан выпускающего факультета 4

_________________________

N

Шифр

Результат освоения

1

Знает методологию, организацию и проведение исследований, обработку и интерпретацию полученных данных.

N

Шифр

Компетенция

1

ПК-11

Способен выполнять работы по установке, настройке и обслуживанию технических и программно-аппаратных средств защиты информации

2

ПК-27

Способен принимать участие в организации контрольных проверок работоспособности и эффективности применяемых программно-аппаратных, криптографических и технических средств защиты информации

Модуль

Раздел

Лекции

Практич. занятия

Лаборат. работы

СРС

Всего часов

Всего с экзаменами и курсовыми

Электронные приборы

Полупро-водниковые диоды

8

0

4

6

18

108

Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

4

2

4

5

15

Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

4

2

0

3

9

Фотоэлектрические и излучательные приборы

4

2

0

4

10

Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

4

0

0

4

8

Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

6

2

4

9

21

Квантовые приборы

4

0

0

3

7

Всего

34

8

12

34

88

108

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема лекции

Дидакт. единицы

1

1.1.Полупро-водниковые диоды

2

Электрические переходы

1

2

1.1.Полупро-водниковые диоды

2

Полупроводниковых диоды на основе невырожденных электрических переходов.

1

3

1.1.Полупро-водниковые диоды

2

Диоды на квантово-размерных эффектах.

1

4

1.1.Полупро-водниковые диоды

2

СВЧ –диоды. Влияние внешних условий на ВАХ и параметры диодов. Модели полупроводниковых диодов.

1

5

1.2.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Устройство, принцип действия, параметры и характеристики биполярных транзисторов (БТ)

2

6

1.2.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Модели БТ. Переходные процессы в БТ.. Граничные частоты. Особенности структур и моделей разновидностей БТ.

2

7

1.3.Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

4

Полевые транзисторы (ПТ): устройство, физические процессы, параметры, модели и характеристики

3

8

1.4.Фотоэлектрические и излучательные приборы

4

Приборы оптоэлектроники.

4

9

1.5.Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

4

Основы использования активных приборов в электронике и инфокоммуникационных технологиях

5

10

1.6.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные лампы. Электронно-лучевые трубки. Газоразрядные приборы. – Устройство, принципы работы, параметры и характеристик

6

11

1.6.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «О"

6

12

1.6.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

Электронные приборы СВЧ с динамическим управлением типа «М»

6

13

1.7.Квантовые приборы

2

Физические основы квантового усиления, Особенности физических ппроцессов различных типов лазеров.

7

14

1.7.Квантовые приборы

2

Полупроводниковые наногетеролазеры. Каскадные лазеры. Понятие о квантовых стандартах частоты.

7

Итого:

34

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Тема практического занятия

Дидакт. единицы

1

1.2.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

2

Статические характеристики и модели биполярных транзисторов

2

2

1.3.Полевые транзисторы (ПТ): характеристики, параметры, модели

2

Статические характеристики и модели полевых транзисторов

3

3

1.4.Фотоэлектрические и излучательные приборы

2

Исследование оптронов

4

4

1.6.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

2

СВЧ приборы с динамическим управлением

6

Итого:

8

№ п/п

Раздел дисциплины

Наименование лабораторной работы

Наименование лаборатории

Объем, часов

Дидакт. единицы

1

1.1.Полупро-водниковые диоды

Изучение характеристик и параметров полупроводниковых диодов

Полупроводниковая электроника

4

1

2

1.2.Биполярные транзисторы (БТ): характеристики, параметры, модели

Исследование характеристик биполярных транзисторов

Полупроводниковая электроника

4

2

3

1.6.Приборы вакуумной, газовой и жидкостной электроники

Исследование лампы бегущей волны или Исследование отражательного клистрон

СВЧ электроника

4

6

Итого:

12

№ п/п

Раздел дисциплины

Объем, часов

Наименование типового задания

Итого: