Ответы на вопросы из коллекции "Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления"

Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств отображения информации.

• способность молекулы к обратимому изменению своей конфигурации, к изменению ориентации своего электрического дипольного или магнитного момента, способность переходить с одного энергетического состояния в другое, способность к обратимым химическим взаимодействиям
• способность к деформации и сдвигу молекулярных орбиталей под действием внешнего электрического поля, способность к изменению своей электропроводности под действием внешних факторов
• способность изменять свою электропроводность или квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к избирательному координационному или химическому взаимодействию с другими молекулами или молекулярными группами (молекулярное распознавание)
• способность молекул поворачивать плоскость поляризации света, изменять квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к обратимым фотохимическим реакциям
• возможность продолжительно сохранять свой химический состав и порядок расположения атомов

Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств долговременного хранения информации.

• способность молекул поворачивать плоскость поляризации света, изменять квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к обратимым фотохимическим реакциям
• способность молекулы к обратимому изменению своей конфигурации, к изменению ориентации своего электрического дипольного или магнитного момента, способность переходить с одного энергетического состояния в другое, способность к обратимым химическим взаимодействиям
• способность к деформации и сдвигу молекулярных орбиталей под действием внешнего электрического поля, способность к изменению своей электропроводности под действием внешних факторов
• возможность продолжительно сохранять свой химический состав и порядок расположения атомов
• способность изменять свою электропроводность или квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к избирательному координационному или химическому взаимодействию с другими молекулами или молекулярными группами (молекулярное распознавание)

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: отличаются ли между собой электроны, находящиеся на разных молекулярных орбиталях? Изменится ли что-нибудь в свойствах молекулы, если эти электроны поменять местами?

• потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны
• нельзя, потому что эти величины являются неопределенными
• можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона
• они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 16 нм.

• 8,6*107 бит/мм2
• 2*107 бит/мм2
• 4*107 бит/мм2
• 1,6*108 бит/мм2
• 3,4*108 бит/мм2

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,5 мм, а диаметр УНТ – 1,36 нм?

• свыше 8 В
• свыше 9 В
• свыше 18 В
• свыше 13,5 В
• свыше 6,8 В

Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 32 нм

• 1,3*109 бит/мм2
• 3,1*107 бит/мм2
• 5,1*108 бит/мм2
• 1,2*108 бит/мм2
• 2,4*108 бит/мм2

Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 6,4 мс после начала освещения?

• 166–167 фотонов
• 650 фотонов
• 10-11 фотонов
• >2-3 фотона
• 41-42 фотона

Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействийвзаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону,укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для молекулярного распознавания.

• 1-6, 8
• 3-6, 8
• 2
• 1-6, 8
• 3, 4, 6, 8

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,4 до 1,45 эВ?

• от 1,50 нм до 1,62 нм
• от 1,77 нм до 1,94 нм
• свыше 7,14 нм
• от 1,40 нм до 1,45 нм
• от 2,41 нм до 2,56 нм

Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 90 нм

• 3,1*107 бит/мм2
• 5,1*108 бит/мм2
• 1,2*108 бит/мм2
• 2,4*108 бит/мм2
• 1,3*109 бит/мм2

Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: электрического дипольного момента.

• дебай
• электрон-вольт
• а.е.м. и дальтон (это одно и то же)
• ангстрем
• магнетон Бора

Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 25 мс после начала освещения?

• 650 фотонов
• 166–167 фотонов
• 41-42 фотона
• 10-11 фотонов
• >2-3 фотона

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,05 до 1,15 эВ?

• свыше 7,14 нм
• от 2,41 нм до 2,56 нм
• от 1,77 нм до 1,94 нм
• от 1,50 нм до 1,62 нм
• от 1,40 нм до 1,45 нм

Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: устройств логической обработки информации.

• способность молекулы к обратимому изменению своей конфигурации, к изменению ориентации своего электрического дипольного или магнитного момента, способность переходить с одного энергетического состояния в другое, способность к обратимым химическим взаимодействиям
• возможность продолжительно сохранять свой химический состав и порядок расположения атомов
• способность к деформации и сдвигу молекулярных орбиталей под действием внешнего электрического поля, способность к изменению своей электропроводности под действием внешних факторов
• способность изменять свою электропроводность или квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к избирательному координационному или химическому взаимодействию с другими молекулами или молекулярными группами (молекулярное распознавание)
• способность молекул поворачивать плоскость поляризации света, изменять квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к обратимым фотохимическим реакциям

Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействийвзаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону,укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы в иммунохроматографическом анализе.

• 1-6, 8
• 2
• 3, 4, 6, 8
• 3-6, 8
• 1-6, 8

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,5 мм, а диаметр УНТ – 2,7 нм?

• свыше 8 В
• свыше 13,5 В
• свыше 9 В
• свыше 18 В
• свыше 6,8 В

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 0,8 до 0,85 эВ?

• от 1,77 нм до 1,94 нм
• свыше 7,14 нм
• от 1,50 нм до 1,62 нм
• от 1,40 нм до 1,45 нм
• от 2,41 нм до 2,56 нм

Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 400 мкс после начала освещения?

• 650 фотонов
• 166–167 фотонов
• 41-42 фотона
• >2-3 фотона
• 10-11 фотонов

Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 45 нм

• 3,1*107 бит/мм2
• 1,3*109 бит/мм2
• 5,1*108 бит/мм2
• 1,2*108 бит/мм2
• 2,4*108 бит/мм2

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 45 нм.

• 8,6*107 бит/мм2
• 4*107 бит/мм2
• 2*107 бит/мм2
• 1,6*108 бит/мм2
• 3,4*108 бит/мм2

Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействийвзаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону,укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для построения молекулярных биосенсоров с люминесцентным маркером.

• 1-6, 8
• 1-6, 8
• 3, 4, 6, 8
• 3-6, 8
• 2

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить об энергии электрона на молекулярной орбитали? Почему?

• потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны
• можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона
• они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится
• нельзя, потому что эти величины являются неопределенными

Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: магнитного момента.

• электрон-вольт
• магнетон Бора
• а.е.м. и дальтон (это одно и то же)
• ангстрем
• дебай

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить о координате или импульсе электрона на молекулярной орбитали? Почему?

• нельзя, потому что эти величины являются неопределенными
• потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны
• можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона
• они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится

Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 20%

• 5,7*1011 вентилей/мм2
• 1,1*1012 вентилей/мм2
• 8,6*1011 вентилей/мм2
• 2,8*1011 вентилей/мм2
• 1,4*1011 вентилей/мм2

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,25 до 1,35 эВ?

• свыше 7,14 нм
• от 2,41 нм до 2,56 нм
• от 1,77 нм до 1,94 нм
• от 1,50 нм до 1,62 нм
• от 1,40 нм до 1,45 нм

Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 1,6 мс после начала освещения?

• 166–167 фотонов
• >2-3 фотона
• 650 фотонов
• 41-42 фотона
• 10-11 фотонов

Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 14 нм

• 1,3*109 бит/мм2
• 1,2*108 бит/мм2
• 2,4*108 бит/мм2
• 3,1*107 бит/мм2
• 5,1*108 бит/мм2

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 11 нм.

• 1,6*108 бит/мм2
• 4*107 бит/мм2
• 2*107 бит/мм2
• 8,6*107 бит/мм2
• 3,4*108 бит/мм2

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,1 мм, а диаметр УНТ – 1,6 нм?

• свыше 13,5 В
• свыше 8 В
• свыше 6,8 В
• свыше 18 В
• свыше 9 В

Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 40%

• 1,1*1012 вентилей/мм2
• 2,8*1011 вентилей/мм2
• 5,7*1011 вентилей/мм2
• 8,6*1011 вентилей/мм2
• 1,4*1011 вентилей/мм2

Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: сенсоров.

• способность к деформации и сдвигу молекулярных орбиталей под действием внешнего электрического поля, способность к изменению своей электропроводности под действием внешних факторов
• способность молекулы к обратимому изменению своей конфигурации, к изменению ориентации своего электрического дипольного или магнитного момента, способность переходить с одного энергетического состояния в другое, способность к обратимым химическим взаимодействиям
• способность молекул поворачивать плоскость поляризации света, изменять квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к обратимым фотохимическим реакциям
• способность изменять свою электропроводность или квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к избирательному координационному или химическому взаимодействию с другими молекулами или молекулярными группами (молекулярное распознавание)
• возможность продолжительно сохранять свой химический состав и порядок расположения атомов

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему электроны с противоположно ориентированными спинами, находясь практически на одной и той же молекулярной орбитали, не мешают друг другу?

• они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится
• нельзя, потому что эти величины являются неопределенными
• потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны
• можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона

Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействийвзаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону,укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы в люминесцентных молекулярных сенсорах.

• 1-6, 8
• 2
• 1-6, 8
• 3-6, 8
• 3, 4, 6, 8

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 22 нм.

• 2*107 бит/мм2
• 4*107 бит/мм2
• 8,6*107 бит/мм2
• 1,6*108 бит/мм2
• 3,4*108 бит/мм2

Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: энергии.

• ангстрем
• дебай
• электрон-вольт
• магнетон Бора
• а.е.м. и дальтон (это одно и то же)

Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 10%

• 5,7*1011 вентилей/мм2
• 8,6*1011 вентилей/мм2
• 1,4*1011 вентилей/мм2
• 2,8*1011 вентилей/мм2
• 1,1*1012 вентилей/мм2

Чтобы получить лучшее представление о чувствительности УНТ полевого транзистора с пленкой фоточувствительного полимера, рассчитайте, сколько квантов света (фотонов) нужно для того, чтобы транзистор открылся, если диаметр УНТ составляет 2,1 нм, длина канала транзистора 90 нм, длина волны света 457 нм, энергетическая интенсивность светового пучка 60 мкВт/мм2, а транзистор открывается спустя 100 мкс после начала освещения?

• 166–167 фотонов
• 41-42 фотона
• >2-3 фотона
• 10-11 фотонов
• 650 фотонов

Плотность хранения информации в матрице УНТ флеш-памяти с зарядовыми ловушками определяется шагом расположения матричных шин. Оцените эту плотность, считая, что шаг расположения этих шин превышает проектно-технологическую норму (ПТН) в одном направлении в 6 раз, а в перпендикулярном направлении – в 4 раза, при условии, что: ПТН составляет 32 нм.

• 1,6*108 бит/мм2
• 4*107 бит/мм2
• 8,6*107 бит/мм2
• 3,4*108 бит/мм2
• 2*107 бит/мм2

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: меньше 0,3 эВ?

• от 1,77 нм до 1,94 нм
• свыше 7,14 нм
• от 1,50 нм до 1,62 нм
• от 2,41 нм до 2,56 нм
• от 1,40 нм до 1,45 нм

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,85 мм, а диаметр УНТ – 1,8 нм?

• свыше 8 В
• свыше 18 В
• свыше 13,5 В
• свыше 9 В
• свыше 6,8 В

Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 5%

• 2,8*1011 вентилей/мм2
• 5,7*1011 вентилей/мм2
• 1,1*1012 вентилей/мм2
• 1,4*1011 вентилей/мм2
• 8,6*1011 вентилей/мм2

Запишите свойства молекул, которые на Ваш взгляд могут быть использованы для построения: оперативных запоминающих устройств.

• способность молекул поворачивать плоскость поляризации света, изменять квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к обратимым фотохимическим реакциям
• способность к деформации и сдвигу молекулярных орбиталей под действием внешнего электрического поля, способность к изменению своей электропроводности под действием внешних факторов
• способность изменять свою электропроводность или квантовый выход люминесценции под действием внешних воздействий, способность к избирательному координационному или химическому взаимодействию с другими молекулами или молекулярными группами (молекулярное распознавание)
• способность молекулы к обратимому изменению своей конфигурации, к изменению ориентации своего электрического дипольного или магнитного момента, способность переходить с одного энергетического состояния в другое, способность к обратимым химическим взаимодействиям
• возможность продолжительно сохранять свой химический состав и порядок расположения атомов

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему молекулярные орбитали могут "спокойно" пересекаться, и это не приводит к "катастрофам"?

• нельзя, потому что эти величины являются неопределенными
• потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны
• они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится
• можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона

Из приведенного ниже перечня разных атомно-молекулярных взаимодействийвзаимодействие "биологический рецептор – раздражитель",взаимодействие "вирус – антитело",взаимодействие комплементарных звеньев молекул,взаимодействие комплементарных олигомеров,взаимодействие краун-эфира с соответствующим ионом щелочного металла,взаимодействие фермента с соответствующей ему молекулой,электрическое взаимодействие отдельных дипольных моментов атомов или молекул, координационное взаимодействие одновременно многих звеньев молекул,магнитное взаимодействие отдельных магнитных моментов атомов и молекул,отдельная водородная связь,притяжение аниона к катиону,укажите номера тех взаимодействий, которые могут быть использованы для построения колориметрических наносенсоров.

• 3, 4, 6, 8
• 1-6, 8
• 1-6, 8
• 2
• 3-6, 8

Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: расстояний.

• магнетон Бора
• электрон-вольт
• ангстрем
• а.е.м. и дальтон (это одно и то же)
• дебай

Из перечня наименований единиц измерения, которые применяются в атомно-молекулярном масштабе – ангстрем, а.е.м., дальтон, дебай, электрон-вольт, магнетон Бора, спин, – укажите единицу, применяемую для измерения: массы.

• дебай
• магнетон Бора
• электрон-вольт
• а.е.м. и дальтон (это одно и то же)
• ангстрем

Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 22 нм

• 5,1*108 бит/мм2
• 1,3*109 бит/мм2
• 3,1*107 бит/мм2
• 2,4*108 бит/мм2
• 1,2*108 бит/мм2

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 1010 В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 1,5 мм, а диаметр УНТ – 3,6 нм?

• свыше 9 В
• свыше 8 В
• свыше 18 В
• свыше 13,5 В
• свыше 6,8 В

Оцените теоретически возможную плотность вентилей в логической сети из молекул, показанных на рисунке, если период расположения атомов углерода в молекуле составляет 0,154 нм, а часть площади, которую занимают молекулы в логической сети, составляет: 30%

• 8,6*1011 вентилей/мм2
• 5,7*1011 вентилей/мм2
• 2,8*1011 вентилей/мм2
• 1,1*1012 вентилей/мм2
• 1,4*1011 вентилей/мм2

Оцените энергию, рассеиваемую при переключении одного вентиля комплементарной логики, и среднюю мощность на вентиль при использовании УНТ транзисторов, которые в переходном режиме могут пропускать электрический ток 2 мкА, период поступления сигналов вдвое превышает время задержки при условиях, что:

• 450 аДж, 3 мкВт
• 14,4 фДж, 240 нВт
• 144 аДж, 240 нВт
• 1,44 фДж, 240 нВт
• 13,5 фДж, 3 мкВт