Примеры построения составных транзисторов пт и бт
Примеры построения составных транзисторов ПТ и БТ
ПТ как правило обладает небольшим усилением и меньшей мощностью, чем БТ, но большим Rвх . Составной транзистор ПТ+БТ эквивалентен либо мощному полевому транзистору, либо ПТ с очень большой крутизной.
S ~ 1¸10 мА/В
Sэкв ~ 100¸1000 мА/В
В результате обеспечивается как большое Rвх так и большое усиление.
Использование составных транзисторов позволяет либо повысить усиление, либо обеспечить большой ток в нагрузку, либо обеспечивает большое Rвх
Т. к. Rвх составного транзистора выше, чем одиночного, то и Rвх такого усилителя выше и делитель Rб1 и Rб2 может быть сделан более высокоомным для сохранения высокого Rвх схемы.
В составном транзисторе VT1 работает при малых выходных токах. При малых рабочих токах усилительные параметры транзистора ухудшаются и усиливается температурное влияние. Поэтому, как правило, в составных транзисторах используется дополнительный резистор Rэ1, через который обеспечивает протекание токов транзистора VT1.