Таблицы по кристаллографии

Кубическая сингония

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО.

2. 3L₄ совмещаются с I, II и III КО; если нет L₄, то совмещаются с 3L₂.

3. Соотношение единичных отрезков: a=b=c.

Гексоктаэдрический 3L₄4L₃6L₂9PC

Число граней

Название простой формы

Рекомендуемые материалы

Параметры

Индексы

Форма граней

8

Октаэдр

a:a:a

{111}

24

Тригонтриоктаэдр

a:a:na

{11l}

24

Тетрагонтриоктаэдр

a:ma:ma

{hkk}

48

Гексаоктаэдр

a:ma:na

{hkl}

6

Гексаэдр

a:a:a

{100}

24

Тетрагексаэдр

a:na:a

{hk0}

12

Ромбододекаэдр

a:a:a

{110}

Дидодекаэдрический 4L₃3L₂6PC

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

12

Пентагондодекаэдр (+)

a:ma:a

{hk0}

12

Пентагондодекаэдр (–)

ma:a:a

{kh0}

24

Дидодекаэдр(+)

a:ma:na

{hkl}

24

Дидодекаэдр (–)

ma:a:na

{khl}

6

Гексаэдр

a:a:a

{100}

8

Октаэдр

a:a:a

{111}

12

Ромбододекаэдр

a:a:a

{110}

Гексатетраэдрический 4L₃3L₂6P

4

Тетраэдр (+)

a:a:a

{111}

4

Тетраэдр (–)

a::a

{11}

12

Тригонтритетраэдр (+)

a:ma:ma

{hkk}

12

Тригонтритетраэдр (–)

a::ma

{hk}

12

Тетрагонтритетраэдр (+)

a:a:na

{11l}

12

Тетрагонтритетраэдр (–)

a::na

{1l}

24

Гексатетраэдр (+)

a:ma:na

{hkl}

24

Гексатетраэдр (–)

a::na

{h}

6

Гексаэдр

a:a:a

{100}

12

Ромбододекаэдр

a:a:a

{110}

Тетрагональная сингония

Дитетрагонально-дипирамидальный класс L₄4L₂5PC

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО.

2. L₄ совмещается с III КО, I и II КО совпадают с любыми двумя взаимно перпендикулярными L₂.

3. Соотношение единичных отрезков: a=bc.

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

8

Тетрагональная дипирамида

I род

a:a:c

{hhl}

II род

a:a:c

{hol}

16

Дитетрагональная дипирамида

a:ma:c

{hkl}

4

Тетрагональная призма

I род

a:a:c

{110}

II род

a:a:c

{100}

8

Дитетрагональная призма

a:ma:c

{hk0}

2

Пинакоид

a:a:c

{001}

Тетрагонально-дипирамидальный класс L₄PC

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО, так чтобы самая развитая форма соответствовала II роду.

2. L₄ совмещается с III КО.

3. Соотношение единичных отрезков: a=bc.

в классе нет дитетрагональных форм, вместо них – формы III рода

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

8

Тетрагональная дипирамида

I род

a:a:c

{hhl}

II род

a:a:c

{hol}

III род (+)

a:ma:c

{hkl}

III род (–)

ma:a:c

{khl}

4

Тетрагональная призма

I род

a:a:c

{110}

II род

a:a:c

{100}

III род (+)

a:ma:c

{hk0}

III род (–)

ma:a:c

{khl}

2

Пинакоид

a:a:c

{001}

Ромбическая сингония 3L₂

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО.

2. 3L₂ совмещаются с I, II и III КО. При установке принято наиболее развитое направление совмещать с III КО. Наименее развитое направление совмещается с I КО.

3. Единичные отрезки по всем трем осям неравны: abc.

Ромбодипирамидальный класс 3L₂3PC

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

8

Ромбическая дипирамида

a:b:c

{hkl}

4

Ромбическая призма

I род

a:b:c

{0kl}

II род

a:b:c

{h0l}

III род

a:b:c

{hk0}

2

Пинакоид

I-й

a:b:c

{100}

II-й

a:b:c

{010}

III-й

a:b:c

{001}

Дигексагонально-дипирамидальный класс L₆6L₂7PC

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в четырехосной системе КО.

2. L₆ совмещаются с IV КО, 3L₂ совмещаются I, II и III КО.

3. Соотношение единичных отрезков: abc.

Для определения  параметров и индексов выбираем грань, расположенную между положительными направлениями I и II КО и отсекающую наименьший отрезок по III оси и наибольший по II.

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

12

Гексагональная дипирамида

I род

a:a::c

II род

2a:2a::c

24

Дигексагональная дипирамида

ma:na::c

6

Гексагональная призма

I род

a:a::c

II род

2a:2a::c

{}

12

Дигексагональная призма

ma:na::c

2

Пинакоид

a:a:a:c

Дитригонально-скаленоэдрический класс L₃3L₂3PC

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в четырехосной системе КО.

2. L₃ совмещаются с IV КО, 3L₂ совмещаются I, II и III КО.

3. Соотношение единичных отрезков: abc.

Для определения  параметров и индексов выбираем грань, расположенную между положительными направлениями I и II КО и отсекающую наименьший отрезок по III оси и наибольший по II.

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

6

Ромбоэдр

+

a:a::c

–

a:a::c

12

Гексагональная дипирамида II рода

2a:2a::c

12

Дитригональный скаленоэдр

+

ma:na::c

–

na:ma::c

6

Гексагональная призма

I род

a:a::c

II род

2a:2a::c

{}

12

Дигексагональная призма

ma:na::c

2

Пинакоид

a:a:a:c

Моноклинная СИНГОНИЯ L₂

Правила установки кристалла в КО:

1. Кристалл устанавливается в трехосную наклонную систему КО так, чтобы I ось была наклонена вниз и к наблюдателю.

2. Самая развитая грань и ребра кристалла устанавливаются параллельно вертикальной III оси,

L₂ совмещаются со II КО, I ось проводится под наклоном параллельно наиболее развитым наклонным граням и ребрам.

3. Соотношение единичных отрезков: abc.

Призматический класс L₂PC

Число граней

Название простой формы

Параметры

Индексы

Форма граней

4

Моноклинная призма

I род

a:b:c

III род

a:b:c

IV род (+)

a:b:c

IV род (–)

:b:c

2

Пинакоид

1-й

a:b:c

2-й

a:b:c

3-й

a:b:c

II род (+)

a:b:c

9. Селекционная инвентаризация - лекция, которая пользуется популярностью у тех, кто читал эту лекцию.

II род (–)

:b:c