Таблицы по кристаллографии
Таблицы по кристаллографии
Кубическая сингония | |||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО. 2. 3L4 совмещаются с I, II и III КО; если нет L4, то совмещаются с 3L2. 3. Соотношение единичных отрезков: a=b=c. | |||||
Гексоктаэдрический 3L44L36L29PC | |||||
Число граней | Название простой формы | Рекомендуемые материалы-20% Помощь с любой практикой в МТИ! -26% Помощь с закрытием всего семестра! -30% Помогу выполнить - КМ-3. Письменная работа -20% Помощь с ЛЮБОЙ рейтинговой работой в МУИВ Витте! Любой чертёж А1 по инженерной графике -28% КМ-1. Расчетные задания. + КМ-2. Расчетные задания + КМ-3. Расчетные задания - Основы теории вычислительных систем под ключ! Параметры | Индексы | Форма граней | |
8 | Октаэдр | a:a:a | {111} | | |
24 | Тригонтриоктаэдр | a:a:na | {11l} | | |
24 | Тетрагонтриоктаэдр | a:ma:ma | {hkk} | | |
48 | Гексаоктаэдр | a:ma:na | {hkl} | | |
6 | Гексаэдр | a: | {100} | | |
24 | Тетрагексаэдр | a:na: | {hk0} | | |
12 | Ромбододекаэдр | a:a: | {110} | | |
Дидодекаэдрический 4L33L26PC | |||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |
12 | Пентагондодекаэдр (+) | a:ma: | {hk0} | | |
12 | Пентагондодекаэдр (–) | ma:a: | {kh0} | ||
24 | Дидодекаэдр(+) | a:ma:na | {hkl} | | |
24 | Дидодекаэдр (–) | ma:a:na | {khl} | ||
6 | Гексаэдр | a: | {100} | ||
8 | Октаэдр | a:a:a | {111} | ||
12 | Ромбододекаэдр | a:a: | {110} | ||
Гексатетраэдрический 4L33L26P | |||||
4 | Тетраэдр (+) | a:a:a | {111} | | |
4 | Тетраэдр (–) | a: | {1 | ||
12 | Тригонтритетраэдр (+) | a:ma:ma | {hkk} | | |
12 | Тригонтритетраэдр (–) | a: | {h | ||
12 | Тетрагонтритетраэдр (+) | a:a:na | {11l} | ||
12 | Тетрагонтритетраэдр (–) | a: | {1 | ||
24 | Гексатетраэдр (+) | a:ma:na | {hkl} | | |
24 | Гексатетраэдр (–) | a: | {h | ||
6 | Гексаэдр | a: | {100} | ||
12 | Ромбододекаэдр | a:a: | {110} | ||
Тетрагональная сингония | |||||||
Дитетрагонально-дипирамидальный класс L44L25PC | |||||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО. 2. L4 совмещается с III КО, I и II КО совпадают с любыми двумя взаимно перпендикулярными L2. 3. Соотношение единичных отрезков: a=b | |||||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |||
8 | Тетрагональная дипирамида | I род | a:a:c | {hhl} | | ||
II род | a: | {hol} | |||||
16 | Дитетрагональная дипирамида | a:ma:c | {hkl} | | |||
4 | Тетрагональная призма | I род | a:a: | {110} | | ||
II род | a: | {100} | |||||
8 | Дитетрагональная призма | a:ma: | {hk0} | | |||
2 | Пинакоид |
| {001} | ||||
Тетрагонально-дипирамидальный класс L4PC | |||||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО, так чтобы самая развитая форма соответствовала II роду. 2. L4 совмещается с III КО. 3. Соотношение единичных отрезков: a=b в классе нет дитетрагональных форм, вместо них – формы III рода | |||||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |||
8 | Тетрагональная дипирамида | I род | a:a:c | {hhl} | | ||
II род | a: | {hol} | |||||
III род (+) | a:ma:c | {hkl} | |||||
III род (–) | ma:a:c | {khl} | |||||
4 | Тетрагональная призма | I род | a:a: | {110} | | ||
II род | a: | {100} | |||||
III род (+) | a:ma: | {hk0} | |||||
III род (–) | ma:a: | {khl} | |||||
2 | Пинакоид |
| {001} | ||||
Ромбическая сингония 3L2 | |||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в прямоугольной трехосной системе КО. 2. 3L2 совмещаются с I, II и III КО. При установке принято наиболее развитое направление совмещать с III КО. Наименее развитое направление совмещается с I КО. 3. Единичные отрезки по всем трем осям неравны: a | |||||
Ромбодипирамидальный класс 3L23PC | |||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |
8 | Ромбическая дипирамида | a:b:c | {hkl} | | |
4 | Ромбическая призма | I род |
| {0kl} | |
II род | a: | {h0l} | |||
III род | a:b: | {hk0} | |||
2 | Пинакоид | I-й | a: | {100} | |
II-й |
| {010} | |||
III-й |
| {001} |
Дигексагонально-дипирамидальный класс L66L27PC | |||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в четырехосной системе КО. 2. L6 совмещаются с IV КО, 3L2 совмещаются I, II и III КО. 3. Соотношение единичных отрезков: a Для определения параметров и индексов выбираем грань, расположенную между положительными направлениями I и II КО и отсекающую наименьший отрезок по III оси и наибольший по II. | |||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |
12 | Гексагональная дипирамида | I род | a: | | |
II род | 2a:2a: | | |||
24 | Дигексагональная дипирамида | ma:na: | | | |
6 | Гексагональная призма | I род | a: | | |
II род | 2a:2a: | { | |||
12 | Дигексагональная призма | ma:na: | | | |
2 | Пинакоид |
| |
Дитригонально-скаленоэдрический класс L33L23PC | |||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в четырехосной системе КО. 2. L3 совмещаются с IV КО, 3L2 совмещаются I, II и III КО. 3. Соотношение единичных отрезков: a Для определения параметров и индексов выбираем грань, расположенную между положительными направлениями I и II КО и отсекающую наименьший отрезок по III оси и наибольший по II. | |||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |
6 | Ромбоэдр | + | a: | | |
– |
| | |||
12 | Гексагональная дипирамида II рода | 2a:2a: | | | |
12 | Дитригональный скаленоэдр | + | ma:na: | | |
– | na:ma: | | |||
6 | Гексагональная призма | I род | a: | | |
II род | 2a:2a: | { | |||
12 | Дигексагональная призма | ma:na: | | | |
2 | Пинакоид |
| |
Моноклинная СИНГОНИЯ L2 | |||||
Правила установки кристалла в КО: 1. Кристалл устанавливается в трехосную наклонную систему КО так, чтобы I ось была наклонена вниз и к наблюдателю. 2. Самая развитая грань и ребра кристалла устанавливаются параллельно вертикальной III оси, L2 совмещаются со II КО, I ось проводится под наклоном параллельно наиболее развитым наклонным граням и ребрам. 3. Соотношение единичных отрезков: a | |||||
Призматический класс L2PC | |||||
Число граней | Название простой формы | Параметры | Индексы | Форма граней | |
4 | Моноклинная призма | I род |
| | |
III род | a:b: | | |||
IV род (+) | a:b:c | | |||
IV род (–) |
| | |||
2 | Пинакоид | 1-й | a: | | |
2-й |
| | |||
3-й |
| | |||
II род (+) | a: | 9. Селекционная инвентаризация - лекция, которая пользуется популярностью у тех, кто читал эту лекцию. | |||
II род (–) |
| |
Пояснительный чертеж к родовым формам