Толстопленочная технология

9 Толстопленочная технология

Структурная схема типового технологического процесса. Пасты для проводящих, резисторных и диэлектрических элементов, их характеристики. Методы формирования рисунка. Трафаретная печать. Технология нанесения и вжигания паст. Корректировка номиналов то лето пленочных элементов.

9.1 Пасты для проводящих, резисторных и диэлектрических элементов, их характеристики. Технология нанесения и вжигания паст.

В качестве материала для изготовления толстопленочных элементов принимаются резистивные, диэлектрические и проводящие пасты. Они представляют собой суспензию порошков наполнителя и стекла в какой-либо органической связующей жидкости или растворе. Наполнитель является основой пасты и придает пленкам необходимые резистивные, проводящие или диэлектрические свойства.

Основные требования, предъявляемые к пастам: возможность нане­сения их через трафарет и термообработка (вжигание); воспроиэводимость свойств; хорошая адгезия к подложке; совместимость с дру­гими элементами; соответствующие электрические свойства; способ­ность к пайке и термокомпрессии.

Плата должна быть определенной величиной текучести. Слишком большая текучесть приводит к растеканию пасты и искажению рисун­ка, а «алая текучесть - к плохому продавливанию пасты через тра­фарет.

В качестве наполнителей проводниковых паст используются порош­ки металлов и сплавов с размером частиц не более 5 мкм. Размеры и форма частиц оказывают сильное влияние на физические и электрические свойства толстых пленок. Наполнители наст должны обладать крайне низкой химической активностью при высоких температурах термообработки в оксидирующей среде и при соприкосновении с хи­мически активным стеклом, а также должны быть восприимчивы ft ус­тойчивы (нерастворимы) к воздействий припоя, применяемого при монтаже пайкой. Это объясняется применение в качестве наполните­лей благородных металлов: золота, серебра, сплавов золото-палла­дий, золото-платина,. серебро-палладий и др. Сравнительная оценка проводниковых паст на основе различных наполнителей приведена В таблице 9.1.1.

Свойства проводниковых паст              Таблица 9.1.1

Оценка дана по 5 - балльной системе, 1 - высший балл.

Наряду с приведенными В таблице 9.1.1 наполнителями для проводнико­вых паст применяются неблагородные металлы: медь, никель, алюми­ний, вольфрам, молибден. Они обеспечивают не только меньшую стои­мость паст, но и в ряде случаев лучшие параметры и стабильность при высоких температурах. Медь, например, является единственным металлом с высокой электропроводностью, к которому можно подсое­динять внешние выводы как сваркой, так и пайкой. Кроме того, медь имеет хорошую адгезию к алюмокерамическим подложкам, высокую теплопроводность, стойкость к выщелачиванию, и радиации, хорошие свойства в диапазоне СВЧ.

В качестве наполнителей резистивных паст применяется серебро, золото, палладий, платина, рений, окислы таллия, рутения, рения, палладия, а также различные композиции: серебро-палладий-оксид палладия, серебро-оксид рутения, висмут-рутений, рутений-иридий, платина-оксид иридия и др. Толстопленочные резисторы имеют номи­налы сопротивлений от 1 до 10 Ом, удельное сопротивление от 1 до 10⁷ Ом/а и широкий диапазон значений ТКС.

При изготовлении диэлектрических паст для конденсаторов в ка­честве наполнителей применяют смеси порошков керамических материа­лов и флюсов, а также стекла и ферроэлектрических материалов. Например, пасты на основе композиции титанат бария - оксид титана -оксид алюминия - легкоплавкое стекло имеют диэлектрическую прони­цаемость от 10 до 2000.

Диэлектрики для межуровневой изоляции проводников изготавлива­ют на основе стеклокерамических материалов. Но сравнению с ди­электриками для конденсаторов они обладают меньшей диэлектриче­ской проницаемостью.

В качестве постоянного связующего в состав паст входят стекла, которые не удаляются после формирования пленки и остаются в го­товом пленочном элементе. В проводниковой пасте, стекло служит для удерживания в контакте зерен наполнителя и для обеспечения адгезии толстой пленки к подложке. При выборе состава стекла необходимо учитывать зависимость его вязкости от температуры, смачивание подложки, химическую активность и коэффициент термиче­ского расширения. Эти свойства стекла влияют на режим термообра­ботки, на образование механических связей между зернами металли­ческого наполнителя, на удельное сопротивление пленки и процессы подсоединения выводов к контактным площадкам. От состава стекла в значительной степени зависит стабильность параметров резисто­ров. В диэлектрике, применяемом для межуровневой изоляции провод­ников, постоянное связующее является одновременно и основным функ­циональным компонентом. В диэлектрики конденсаторов стекло не должно вносить дефектов, приводящих к возникновению коротких замыканий между обкладками. В качестве постоянного связующего применяются легкоплавкие стекла: свинцово-боросиликатные, цинкоборо-силикатные, кадмиевые.

В качестве органических связующих и растворителей паст может применяться широкий набор материалов: этилцеллюдоза, воски, лано­лин, вазелиновое масло, циклогексан, жидкие смолы, органические растворители.

Органические связующие и растворители вводятся для обеспече­ния равномерного распределения частиц порошков различных компо­нентов в процессе приготовления пасты, для получения определен­ной консистенции и для придания пасте необходимой вязкости. При нанесении пасты на подложку органические связующие полностью удаляются в процессе термообработки. При неполном удалении орга­нических связующих в составе диэлектрика, например, остается уг­лерод, который резко повышает электропроводность.

Специальные добавки вводят в состав паст для улучшения адге­зии, паяемости, для придания пастам тиксотропности и др.

ТиксотроПностыо называется способность паст под действием механического давления увеличивать текучесть и затем после пре­кращения воздействия давления снова загустевать. Для придания пастам тиксотропных свойств в их состав вводят высокомолекуляр­ные соединения, например, фуранкарбоновую или терефталевую кис­лоты.

9.2 Методы формирования рисунка. Трафаретная печать.

Проводники. Проводники толстопленочных схем выполняются пу­тем нанесения через трафареты проводниковых паст.

Проводниковые пасты должны обеспечивать получение следующих характеристик композиции (после вжиганин):

1. Высокую удельную проводимость во избежание заметного падения напряжения и нагрева.

2. Высокую адгезию пленки с подложкой, поскольку непосредст­венно к ней присоединяются выводы и навесные элементы.

3. Возможность присоединения к поверхностям проводников мон­тажных проводов и навесных элементов пайкой или сваркой.

4. Композиция должна быть устойчива к воздействиям, связан­ным с выполнением технологических процессов, и выдерживать за­данные условия эксплуатации.

Проектирование топологии толстопленочных проводников во многом аналогично проектированию печатных плат. Проводники должны изго­тавливаться предельно короткими, чтобы уменьшить сопротивление схемы. Поверхностное сопротивление толстопленочных проводников должно изменяться в пределах от 0,005 Ом/а до 0,1 Ом/а в зави­симости от типа применяемой пасты. Для нанесения проводников не­обходимо использовать только одну сторону подложки. Количество пересечений должно быть минимальным, поскольку для их создания необходимы две дополнительные операции нанесения и вжигания пле­нок (нанесение межслойного диэлектрика и второго проводящего слоя). Для современной технологии стандартной шириной проводника считается 0,25 мм, однако, если это необходимо, можно изготавли­вать полоски шириной до 0,125 мм. Такие же значения допускаются и для расстояний между проводниками.

Толщина слоя проводника, например, на основе композиций палладий-серебро составляет 10-25 мкм, минимальная ширина (длина) проводника колеблется в пределах 0,15-0,20 мм при нанесении пас­ты на керамику и 0,20-0,30 мм при нанесении на слой диэлектрика. Минимальное расстояние между проводниковыми элементами 0,05-0,20 мм в зависимости от рецептурного состава пасты.

Резисторы. Резистивные пасты изготавливаются на основе более высокоомных функциональных материалов, обычно композиций: сереб­ро-палладий-окись палладия, серебро-окись рутения, висмут-руте­ний, рутений-иридий, платина-окись иридия. Резистивные пасты, из­готавливаемые на основе композиции палладий-серебро обеспечивают номинальные сопротивления резисторов от 25 Ом до 1 МОм. Сопротив­ление квадрата резистивной пленки соответствует ряду значений: 5,100,500,1000,3000,6000,20000,50000 Ом/а . Температурный коэф­фициент сопротивления подобных паст не превышает 800.10^-6 1/град в интервале температур -60...+125 °С. Толщина резистивных пленок после вжигания составляет примерно 18-25 мкм.

Учет отношения длины пленочного резистора L к его ширине В является очень важным при проектировании толстопленочных резис­торов. Отношение сторон L/B или B/L никогда не должно превы­шать 10. Его лучше выбирать равным 3 или меньше. При проектирова­нии схемы следует избегать зигзагообразных резисторов или резис­торов в форме меандра. При такой геометрии на резисторе образу­ются области перегрева, а сопротивление резистора трудно подго­нять к номиналу. Минимальный размер резистора должен быть порядка 0,5x0,5 км, однако резисторы должны быть по возможности боль­шими для увеличения процента выхода годных и облегчения их по­следующей подгонки. Для обеспечения надежного электрического ко­нтакта резистор должен быть уже проводника на 0,25 мм (по 0,125 мм с каждой стороны), а длина перекрытия резистора проводником должна быть не меньше 0,125 мм (Рисунок 2.1).

Минимальное расстояние от края контактной площадки до края резистора должно быть не меньше 0,25 мм.

Расчет резисторов производится следующим образом. Номиналь­ное значение сопротивления резистора определяется по формуле

R=p_aK_ф    (9.2.1)

где p_a - сопротивление квадрата резистивной пленки, Ом/а;

K=l/i, - коэффициент формы.

Рисунок 9.2.1. Толстопленочный резистор; I - резистивная пленка, 2 - контактная площадка.

Ширина резистора

 (9.2.2)

где  Р  - расчетное значение мощности рассеяния резистора, Вт; Р_о   - максимальная удельная мощность рассеяния резистивной пленки, Вт/мм²; К_р - коэффициент запаса мощности, учитывающий по­дгонку резистора, К_Р = 2п/100 + 1; п -допустимое отрицательное от­клонение сопротивления резистора от номинального до подгонки, %.

Максимальное значение Р принимается равна 52%. Расчетная дли­на резистора определяется из соотношения для К_ф и по формуле (2.2). Расчет резисторов, имеющих К_ф<1, начинают с определения длины, заменяя ширину В в формуле (2.2) на длину l .

Удельная мощность рассеяния резисторов на основе композиции палладий-серебро обычно принимается равной 3 Вт/сиг, однако тол­стопленочные резисторы могут быть нагружены и сильнее, до 6 Вт/ см и более (для паст других составов), при условии правильной организации охлаждения.

Конденсаторы. Диэлектрические пленки в толстопленочных микро­схемах применяются в качестве диэлектриков конденсаторов, межслойной изоляции, защитных слоев.

Диэлектрические пасты для конденсаторов изготавливаются на основе смеси керамических материалов и флюсов. Толщина диэлект­рических толстых пленок для конденсаторов после термической об­работки составляет 40-60 мкм.

Используя пленки, обеспечивающие удельную емкость Со= 3700 пФ/см², изготавливают конденсаторы с номинальной емкостью от 500 до 300 пФ, а пленки с Со = 10000 пФ/см² позволяют произво­дить конденсаторы в диапазоне от 100 до 2500 пФ. В большинстве толстопленочных гибридных схем и микросборок используются многослойные дискретные керамические конденсаторы, поскольку на пло­щади, необходимой для нанесения конденсатора с номиналом 300 пФ, можно расположить навесной многослойный конденсатор на 10000 пФ. Погрешность номинальной емкости конденсаторов обычно составляет ±15%. Пробивное напряжение не менее 150 В.

Величина диэлектрической проницаемости для диэлектрических паст конденсаторов на основе композиции титанат бария - окись титана - окись алюминия - легкоплавкое стекло составляет от 10 до 2000.

Исходя из основного соотношения, для емкости конденсатора

    (9.2.2)

где  - диэлектрическая постоянная; А - площадь, мм²; N -число обкладок; d - толщина диэлектрической пленки, мм, можно вычислить площадь, необходимую для изготовления конденсатора.

Расчетная площадь верхней обкладки конденсатора определяется по формуле

S=C/C₀                        (9.2.4)

где С - номинальное заданное значение емкости; С₀ -удельная емкость.

Нижняя обкладка конденсатора должна выступать за край верхней не менее, чем на 0,3 мм, пленка диэлектрика - за край нижней об­кладки не менее, чем на 0,2 мм. Пасты верхних обкладок должны быть инертны к лужению.

10. 1 Классификация физико-химических методов обработки и очистки. Источники   и   виды   загрезнений   ИЭОТ.   Назначение   операций   технохимической обработки.   Химическое   и   электрохимическое   травление   пластин.   Анизотропное травление п/п. Контроль качества очистки поверхности.

В соответствии с применяемыми средствами очистку делят на жидкостную и сухую.

Жидкостная очистка выполняется органическими -растворителями; разнообразными составами, содержащими ще­лочи, кислоты, пероксид, и другие реактивы, водой. Подобрать жидкое средство, одновременно удаляющее все возможные по-' верхностные загрязнения, весьма сложно, поэтому жидкостная ' очистка включает ряд последовательных операций. Нераствори­мые в воде органические жировые загрязнения делают поверх­ность гидрофобной, т. е. плохо смачиваемой водой и большинст­вом растворов. Для равномерной очистки поверхность подложек (пластин) необходимо перевести в гидрофильное, т. е. хорошо смачиваемое водой, состояние. Операция удаления жировых   за-

Рисунок 10.1.1 Классификация методов очистки и травления пластин и подложек

грязнений, сопровождаемая переводом поверхности из гидрофоб­ного состояния в гидрофильное, называется обезжириванием. Обезжиривание — первая операция при жидкостной очистке.

Сухая очистка применяется на этапе формирования эле­ментов и межэлементных соединений микросхем и, как правило, выполняется непосредственно перед проведением ответственных технологических процессов (напыление пленок, литография) или совмещена, т. е. проводится в одном оборудовании, с последую­щей обработкой (например, с получением термического оксида, с эпитаксиальным наращиванием  полупроводниковых  слоев).

Методы сухой очистки исключают необходимость применения дорогостоящих и опасных в работе жидких реактивов, а также проблемы межоперационного хранения пластин и подложек и очистки сточных вод, которые являются немаловажными при ис­пользовании жидких средств очистки. Кроме того, процессы су­хой очистки более управляемы и легче поддаются автоматиза­ции.

С точки зрения механизма процессов все методы очистки мож­но условно разделить на физические и химические (см. рисунок 10.1.1). При физических методах загрязнения удаляются простым раст­ворением, отжигом, обработкой поверхности ускоренными до боль­ших энергий ионами инертных газов. В тех случаях, когда за­грязнения нельзя удалить физическими методами, применяют хи­мические методы, при которых загрязнения удаляют: их замеще­нием легко удаляемыми веществами, переводом в легко раство­римые комплексные соединения или травлением пластин (под­ложек) . Травление сопровождается удалением поверхностного слоя вместе с имеющимися на поверхности загрязнениями.

На рисунке 10.1.1 мы выделили травление, чтобы подчеркнуть, что в технологии микросхем (как будет ясно далее) травление не всег­да имеет целью очистку. Оно применяется для размерной обра­ботки, удаления слоя с нарушенной механическими обработками • структурой, локального удаления слоев различных материалов при формировании топологии микросхем, выявления поверхност­ных дефектов полупроводников и др.

10.2 Плазменные методы удаления материала с поверхности твердого тела. Сущность и классификация методов обработки поверхности

Плазмохимическое травление, как и ионное, проводят в вакуумных установках и также исполь­зуют плазму газового разряда. Плазмохимическое травление (в отличие от чисто физического распыления при ионном травлении) имеет химическую природу. Оно основано на использовании об­ладающих большой реакционной способностью химически актив­ных частиц, получаемых в плазме газового разряда.

Процесс плазмохимического травления можно разделить на ряд этапов: доставка плазмообразующего газа, пара или смеси в камеру вакуумной установки; образование химически активных частиц в газовом разряде; доставка их к обрабатываемой поверх­ности; химические реакции с образованием легко летучих соединений; десорбция и удаление образующихся летучих    соединений через откачную -систему вакуумной установки.

Плазмообразующие газы выбирают исходя из свойств обраба­тываемого материала. Для травления кремния и некоторых ме­таллов применяют галогеносодержащие молекулярные газы, так как именно в их плазме образуются необходимые химически ак­тивные частицы, переводящие поверхностные слои в летучие со­единения. Для разбавления и обеспечения требуемых параметров травления в плазму дополнительно вводят аргон, кислород, азот. Наиболее часто для травления кремния и его соединений приме­няют смесь фреона-14 CF4 с (2 ... 8)% кислорода. Присутствие кислорода повышает скорость травления и качество очистки. Фреон-14 относительно инертен, при любых температурах он не вза­имодействует с кремнием. В плазме химически активные частицы образуются в результате взаимодействия молекул газа с ускорен­ными электронами, которые в отличие от тяжелых частиц обла­дают существенно большими энергиями. В плазме фреона-14 с кислородом образование химически активных частиц — возбуж­денного атома фтора F*, положительно заряженного радикала CF₃⁺, атомарного кислорода О — сопровождается реакциями

     (10.2.1)

Травление кремния и его соединений сопровождается реакция­ми:

           (10.2.2)

Тетрафторид кремния SiF4 — летучее соединение, легко удаля­емое из рабочей камеры установки откачкой. На поверхности крем­ниевых пластин возможно образование углерода:

Si + CF₃⁺ => C + 3F* + Si + e. (20.2.3)

Присутствие в плазме кислорода способствует очистке поверх­ности от углерода за счет его оксидирования до СО или СО₂. Кис­лород также способствует повышению концентрации возбужден­ных атомов фтора в результате образования радикалов COF* и их диссоциации:

COF* => F* + CO.               (10.2.4)

Это увеличивает скорость травления кремния. Атомарный кис­лород также очищает поверхность от органических загрязнений. При плазмохимическом травлении физическое распыление прак­тически отсутствует, так как энергия ионов не превышает 100 эВ. В зависимости от конструкции установок различают плазмен­ное и радикальное плазмохимическое травление.

Плазменное травление осуществляют непосредствен­но в плазме газового травления, т. е. с участием всех химически активных частиц, как с большим (F* — 0,1 ... 1 с), так и с малым, временем жизни ('CF+з — около 10 мкс). В камерах диодного ти­па (Рисунок 10.2.1) пластины кремния помещают на нижнем медлен­но вращающемся электроде (0,1 об/с). Пластины электрически, изолированы от электрода, чтобы исключить ионную бомбарди­ровку.

Радикальное плазм о химическое травление про­водят в области вакуумной камеры отделенной от плазмы газо­вого разряда перфорированным металлическим экраном (Рисунок 10.2.2) или магнитными электрическими полями. ВЧ-плазма воз­буждается между цилиндрическими поверхностями рабочей каме­ры и экрана. Травление осуществляется только нейтральными химически активными атомами О или радикалами F* с большим временем жизни, проникающими из плазмы в зону расположения пластин. Заряженные частицы плазмы не могут попасть к поверх­ности пл.астин через отверстия цилиндрического экрана. В зоне,, свободной от заряженных частиц, возбужденные атомы фтора и атомарный кислород, многократно соударяясь с молекулами ра­бочего газа, движутся разупорядоченно, что обеспечивает высо­кую однородность травления от пластины к пластине и по пло­щади каждой пластины.

Так как возбужденные атомы и свободные радикалы отлича­ются высокой реакционной способностью, то эффективность трав­ления существенно повышается. По сравнению с ионным травле­нием при одинаковых параметрах разряда скорость возрастаег более чем на порядок. Благодаря электрической активации газов илазмохимическое травление проводится при существенно мень­ших температурах 100... 300 °С по сравнению с обычным газовым травлением. Плазмохимическое травление из-за химического ме­ханизма  обладает высокой  избирательностью относительно   раз-

Рисунок 10.2.1. Схема вакуумной камеры диодного типа для плазмохимического травления непосредственно в плазме:

1 — подача рабочего газа; 2— вакуумная камера; 3 — электрод Рисунок 10.2.1. Схема вакуумной камеры диодного типа для плазмохимического травления непосредственно в плазме:

Рисунок 10.2.2. Схема вакуумной камеры для радикального плазмохимического травления:

1 — кварцевая камера; 2— перфорирован­ный цилиндр; 3 — кассета с пластинами (подложками); 4 — ВЧ-индуктор; 5—пода­ча   рабочего   газа;   6 — откачной   патрубок

личных материалов (например, F+ травит кремний значительно быстрее, чем диоксид кремния).

Благодаря невысокой энергии частиц, поступающих на обра­батываемую поверхность,  радиационные дефекты незначительны.

Химический механизм травления обусловливает наличие бою> вой скорости травления, что является недостатком при локаль­ной обработке. К недостаткам плазмохимического травления мож­но также отнести: ограниченное количество соединений для полу­чения в плазме химически активных частиц, обеспечивающих об­разование летучих веществ; сложность химических реакций, про­текающих в плазме и на обрабатываемой поверхности; большое число взаимосвязанных технологических и конструктивных пара­метров. Последние трудности преодолеваются по мере изучения и освоения процессов.

Реактивное ионное травление. Реактивное ионное (называемое также ионно-химическим) травление по механизму процесса яв­ляется комбинированным методом. Удаление обрабатываемого ма­териала происходит в результате его распыления ускоренными ионами и образования легколетучих соединений при взаимодей­ствии с химически активными частицами плазмы. От плазмохими­ческого травления оно отличается тем, что энергия ионов больше и достаточна для распыления, а от ионного травления — тем, что используется не инертная, а содержащая химически активные частицы плазма. При этом физическое распыление интенсифици­рует химические реакции, а химические реакции, ослабляя меж­атомные связи на обрабатываемой поверхности, увеличивают ско­рости распыления.

По аналогии с ионным и плазмохимическим травлением реак­тивное ионное травление может выполняться при расположении обрабатываемых пластин (подложек) в плазме газового разряда (реактивное ионно-плазменное травление) или в вакууме и подвергаться воздействию пучка ионов, полученных в автономно расположенном источнике (реактивное ионно-лучевое травление). Для реактивного ионно-плазменного и ионно-лучевого травления применяют те же рабочие газы, что и для плазмохимического травления.

Оборудование для реактивного ионно-плазменного травления аналогично установкам ионно-плазменного травления. Пластины располагают на электроде, не изолированном от нижнего элект­рода (см. Рисунок 2.20). Реактивное ионно-лучевое травление выпол­няют в вакуумных установках, аналогичных установкам для ионно-лучевого травления (см. Рисунок 2.19).

Благодаря химическим реакциям реактивное ионное травление (и плазменное, и лучевое) обладает по сравнению с ионно-лучевым травлением большими скоростями (в 3 ... 15 раз) и избира­тельностью травления (в 2... 10 раз), а по сравнению с плазмо­химическим травлением меньшими скоростью травления (в 2... 3 раза) и боковой составляющей скорости при локальном травле­нии.  Для  уменьшения   радиационных  дефектов   обрабатываемых образцов процессы травления проводят в режимах, обеспечиваю­щих превышение скорости удаления слоев за счет химических ре­акций над скоростями распространения дефектов, образующихся .вследствие ионной бомбардировки.

10.3 Очистка поверхности газовым травлением

Сущность процесса заключается в хими­ческом взаимодействии обрабатываемого материала с газообраз-ным веществом и образовании при этом легко удаляемых лету­чих соединений. Загрязнения при газовом травлении удаляются вместе с поверхностным слоем пластин или подложек.

В качестве газов-реагентов для травления кремниевых пластин можно применять галогены, галогеноводороды, соединения серы, пары воды. Небольшие количества этих газов добавляют к газу-носителю (водороду или гелию) и транспортируют в камеру уста­новки.

Травление кремния хлористым водородом широко используется перед выращиванием на пластинах кремни­евых слоев

Бесплатная лекция: "Управленческое общение" также доступна.

Si (тв.) + 4НС1 (газ) = SiCl₄ (газ) + 2Н₂ (газ).    (10.3.1)

Пары хлористого водорода доставляются водородом в реакци­онную камеру установки эпитаксиального наращивания, где рас­положены кремниевые пластины, нагретые до температуры 1150... ... 1250 °С.

Газовое травление сапфира водородом, в от­личие от жидкостного, позволяет получать поверхность подложек, свободную от механически нарушенного слоя и от микроприме­сей, что очень важно для последующего выращивания на них сло­ев кремния. Травление сапфира сопровождается химической реак­цией

А1₂О₃ (тв.) + 2Н₂ (газ) == А1₂О (газ) + Н₂О (газ).            (10.3.2)

В интервале температур 1200... 1600 °С травление сапфира во­дородом полирующее.

Газовое травление по сравнению с жидкостным позволяет по- • лучать более чистые поверхности. Во многих случаях газовое травление имеет ограниченное применение из-за высоких темпе­ратур обработки и необходимости использования особо чистых газов. Однако в тех случаях, когда газовое травление совместимо с последующим процессом (например, с выращиванием на крем­ниевых пластинах кремниевых слоев), его применение целесооб­разно.