ДЗ: Способ одновременного с получением опаловой матрицы заполнения межглобулярных пустот мтериалом

Изобретение заключается в новом способе одновременного с получением опаловой матрицы заполнения образующихся межглобулярных пустот материалом внедрения с использованием электрохимических процессов, который является более простым в реализации процессом формирования нанокомпозитов.
Изобретение относится к области электроники и микроэлектроники, в частности может быть использовано для получения нанокомпозитов, используемых при создании управляемых волноводов, элементов магнитной памяти высокой емкости, датчиков магнитных полей и устройств связи.
Сущность изобретения: нанокомпозит получают электофорезом в смеси коллоидного раствора частиц диоксида кремния и щелочного электролита пирофосфатного меднения. За счет электрохимического осаждения металл нарастает на аноде, опал же естественной седиментацией осаждается на катоде из смеси растворов. Техническая задача изобретения - получение синтетического материала с материалом внедрения, обладающего совершенством периодической структуры, протяженностью в радиальном направлении и строгостью соблюдения условия равенства периода структуры целому числу полуволн излучения.
Формула изобретения:

1. Способ одновременного с получением опаловой матрицы заполнения межглобулярных пустот материалом внедрения из коллоидного раствора, отличающийся тем, что в коллоидный раствор добавлен электролит.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что происходит одновременное осаждение опала и внедрение металла.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что соотношение растворов в зависимости от скорости осаждения частиц.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что размер катода чуть больше анода.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что диаметр глобул кремнезема в диапазоне 300-550 нм.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что pH электролита 6…7.
7. Способ по п.2, отличающийся тем, что за время, пока на осевший первый слой глобул осаждается второй слой, материал внедрения со стороны подложки успевает вырасти на толщину первого слоя, т.е. готов к проращиванию на второй.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что толщина заполняющего материала зависит от плотности самого материала, времени электролиза и силе тока, которая находится в диапазоне 25-55 mA.