Курсовая работа: Пескоструйная установка резки кремниевых кристаллов
Описание
Оглавление
Технология облуживания корпусов электронно-оптического преобразователя. 4
Комплексная принципиальная схема. 10
Механический интерфейс установки. 10
Привод передвижения индукторов. 11
Перечень информационных сигналов. 12
Выбор используемого оборудования. 13
Драйвер шагового двигателя EM 253. 14
Модуль 4-х канального АЦП EM 231. 15
Модуль ввода дискретных сигналов EM 221. 15
Генератор тока высокой частоты Paramount RF. 16
Вакуумметр термопарный TERMOVAC TTR91. 17
Вакуумметр ионизационный IONIVAC ITR90. 18
Дополнительное оборудование. 20
Пирометер Raytek Maraphon MM LT. 20
Вновь разработанное устройство. 21
Список использованной литературы.. 22
Реферат
Курсовой проект по предмету «САУ» содержит 4 листа формата А3, выполненных в среде системы автоматического проектирования (САПР) КОМПАС 3D V8, а также расчетно-пояснительную записку, выполненную в среде подготовки текстовой документации Word 2008 c использованием формульного процессора Math Type 5.0.
В проекте разрабатывалась система автоматического управления установкой облуживания корпусов электронно-оптических преобразователей поколения 2+. Проект включает в себя:
- Комплексную принципиальную схему установки
- Процессную модель установки
- Комплексную принципиальную схему энергетической системы и САУ установки
- Принципиальную электрическую схему
Технология облуживания
Технология облуживания корпусов электронно-оптического преобразователя.
Технологический процесс
Технологический процесс предназначен для облуживания корпуса припоем InSn.
Схема облуживания.
Операция заключается в расплавлении припоя и его затвердевании. К процессу предъявляется ряд требований:
- поверхность сплава должна быть ровной, без углублений и выступов.
- смачивание сплавом детали корпуса должно быть равномерным по всей окружности и не должно провисать внутрь корпуса.
Контроль осуществляется визуальный 100%.
Операция разбивается на несколько этапов:
- Расплав припоя.
Температуру расплавления берут Т=180С, чтобы добиться нужной вязкости припоя, которая обеспечивает хорошую адгезию к корпусу припоя и хорошую вакуумную плотность. Требуемая вязкость 1,7x10-3 Па×с. Затем происходит выдержка при этой температуре
- Выдержка при данной температуре.
Выдержка предназначена для более полного расплавления расплава и доведения до равномерной температуры по толщине.
- Остывание расплава и его кристаллизация.
Во время остывания образуется эвтектический сплав индия с оловом, который обладает высокой вакуумной плотностью.
Данная операция производиться на экспериментальной установке для облуживания.
Принципиальная схема установки облуживания
Вакуумная система выполнена на основе молекулярных средств откачки. В качестве основного откачного средства применяется турбомолекулярный насос 01-АБ-450-003. Предварительная откачка объемов камеры и турбомолекулярного насоса осуществляется механическим пластинчато-роторным насосом ВНР 5,5Д. Откачные средства (на базе ТМН) обеспечивают откачку камеры до рабочего остаточного давления 2x10-4 Па. Рабочая вакуумная камера представлена в виде 3 стеклянных колб. Внутри них находятся приспособления для размещения 4 облуживаемых корпусов.
Процессная модель
Технологический процесс предназначен для облуживания корпуса припоем InSn. Операция заключается в расплавлении припоя и его затвердевании. К процессу предъявляется ряд требований:
- поверхность сплава должна быть ровной, без углублений и выступов.
- смачивание сплавом детали корпуса должно быть равномерным по всей окружности и не должно провисать внутрь корпуса.
Контроль осуществляется визуальный 100%.
Операция разбивается на несколько этапов:
• Расплав припоя:
Температуру расплавления берут Т=180 С, чтобы добиться нужной вязкости припоя, которая обеспечивает хорошую адгезию к корпусу припоя и хорошую вакуумную плотность. Требуемая вязкость 1,7x10-3 Па×с. Затем происходит выдержка при этой температуре
• Выдержка при данной температуре:
Выдержка предназначена для более полного расплавления расплава и доведения до равномерной температуры по толщине.
• Остывание расплава и его кристаллизация:
Во время остывания образуется эвтектический сплав индия с оловом, который обладает высокой вакуумной плотностью.
Весь технологический процесс протекает в среде высокого вакуума (10-5 – 10-4 Па).
В целом техпроцесс можно разделить на ряд этапов.
Контроль при включении
На этом этапе установка проверяет нормальное функционирование всех датчиков, клапанов, производит калибровку привода. В случае возникновения какой-либо ошибки использование установки невозможно до ее устранения.
Критерий начала процесса: включение установки.
Критерий окончания: успешное или неуспешное завершение тестирования. В случае успешного завершения тестирования установка считается готовой к работе.
Ресурсы: САУ.
Характеристики курсовой работы
Список файлов
- Пескоструйная установка резки кремниевых кристаллов
- List 11.cdw 151,19 Kb
- List 22.cdw 394,11 Kb
- List 3.cdw 524,23 Kb
- List 4.cdw 246,15 Kb
- ЗАДАНИЕ_.doc 26,5 Kb
- Записка.doc 1,25 Mb
- Прочти меня.txt 141 b
- Титул.doc 164,5 Kb
Начать зарабатывать