Курсовая работа: Радиационные дефекты в тонких диэлектрических пленках, возникающие при облучении ионами гелия

Оглавление
1. Введение
2. Цель работы
3. Литературный обзор
3.1. Взаимодействие ионов с твердым телом
3.2. Диоксид кремния
3.3. Дефекты в SiO₂.
3.4. Травление пленок SiO₂.
3.5. Травление облученных пленок SiO₂.
4. Исследуемые образцы
5. Экспериментальные методы
5.1. Предварительная подготовка образцов
5.2. Экспонирование
5.3. Травление
5.4. Исследование с помощью оптического микроскопа
5.5. Исследование рельефа методом атомно-силовой микроскопии
5.6. Измерения толщин пленок методом сканирующей электронной микроскопии
5.7. Измеряемые и используемые величины
6. Результаты
6.1. Исследование с помощью оптического микроскопа
6.2. Исследование с помощью сканирующего электронного микроскопа
6.3. Исследование с помощью атомно-силового микроскопа
7. Обсуждение
8. Заключение
9. Благодарности
Список литературы
Приложения

• Введение

Ионная имплантация - широко применяемая технология в современной микроэлектронике, которая позволяет управлять свойствами материала. Например, за счет введения примесей в структуру твердого тела, генерации ионно-индуцированных дефектов [1].
Кремний и диоксид кремния (SiO₂) составляют основу элементной базы твердотельной электроники [2]. Так, оксид кремния используется в виде тонких пленок в качестве подзатворного диэлектрика и изолирующего слоя при производстве интегральных микросхем.
Таким образом, управление геометрией и толщиной пленок оксида кремния является актуальной практической задачей. Для ее решения может быть применена локальная ионная имплантация и последующее травление пленки оксида кремния. При этом “традиционная” локальная имплантация осуществляется путем наложения маски и облучения сплошным потоком ионов, здесь присутствуют ограничения на форму и размеры обрабатываемой области. В нашей работе осуществляется ионная имплантация