Курсовая работа: Изменение электронной структуры магнитных топологических изолято-ров MnBi2Te4 при допировании атомами Sb.

Оглавление
Введение
1. Обзор литературы
1.1 Семейство эффектов Холла
1.2 Топологические изоляторы: зонная теория.
1.3 Экспериментальная реализация двумерных и трехмерных топологических изоляторов.
1.4 Комбинация топологии и магнетизма в топологических изоляторах.
1.5 Экспериментальная реализация магнитных топологических изоляторов.
1.6 Внутренний антиферромагнитный топологический изолятор MnBi₂Te₄
1.7 Способы сдвига точки Дирака в топологических изоляторах.
1.8 Топологический изолятор дробной стехиометрии Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄
2. Методы и организация исследования.
2.1 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС).
2.2 Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением (ФЭСУР).
2.4 Дифракция медленных электронов (ДМЭ).
2.5 Используемые экспериментальные установки.
3. Результаты исследования и их обсуждение.
3.1 Определение качества образцов и концентрации атомов Sb
3.2 Определение положения точки Дирака
3.3 Зависимость положения точки Дирака от концентрации атомов Sb
Заключение.
Литература.

Введение

В последнее время активно исследуются материалы, принадлежащие к классу магнитных топологических изоляторов (ТИ), в которых успешно объединены топологические и магнитные свойства. Благодаря такой комбинации появляется возможность реализации многих теоретически предсказанных эффектов и состояний, таких как квантовый аномальный эффект Холла (КАЭХ), топологическое сверхпроводящее состояние, состояние аксионного изолятора, топологическое аксионное состояние и состояние полуметалла Вейля [1-8]. Однако, ТИ — материалы, изначально немагнитные, и для успешной реализации таких состояний необходимо наведение магнитного момента. Это позволяет открыть энергетическую запрещенную зону (ЭЗЗ) в точке Дирака в электронной структуре топологических поверхностных состояний, необходимую для реализации вышеуказанных явлений.
Активно изучаемые способы