Реферат: Конструирование микросхемы, разработка топологии

Конструирование микросхемы, разработка топологии

Содержание

• I. Анализ электрической схемы
• Расчёт мощностей рассеяния Pi
• Д ля упрощения расчётов Pi резисторов R4, R5, R8, R9, R10, R12 и R19 преобра­зу­ем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем токи в контурах эк­ви­валентной схемы рис.2 методом контур­ных токов.
• 330I111-147I222-33I444=0 -1470I111+1517I222-47I333=0 -47I222+67I333-10I444=0 -3300I111-100I333+3400I444=5
• I111(R4+R19+R8+R12)-I222(R19+R12)-I444R4=0
• I222(R19+R12+R10)-I111(R19+R12)-I333R10=0
• I333(R10+R5+R9)-I222R10-I444R5=0
• I444(R4+R5)-I111R4-I333R5=E
• I8 = I111 = 0,000329968 A
• I9 = I333 = 0,00050478 A
• I10 = I333 – I222 = 0,00050478 - 0,000335384 = 0,000169396 A
• I12 = I19 = I222 – I111 = 0,000335384 - 0,000329968 = 0,000005416 A
• Теперь, для того, чтобы выбрать материал, из которого будут изготав­ли­вать­ся резистивные плёнки, проводники и контактные площадки нужно найти удельное поверхностное сопротивление резистивной плёнки для каждого слоя по формуле (значения Rопт см. таблицу 1):
• Зная Rопт для каждого слоя, можем выбрать материал резистивной плёнки, контактных площадок и проводников, а также температурный коэффициент сопротивления  и допустимую удельную мощность рассеяния P0 соответствую­щий выбранному материалу:
• Т еперь рассчитаем погрешность коэффициента формы:
• Таблица 1.