ДЗ: Моделирование технологического процесса нанесения тонких пленок MoS2

Нанокристаллические текстурированные тонкие пленки дисульфида молибдена (MoS2) являются одним из перспективным материалов, изучаемых для применения в перспективных наноэлектронных приборах, таких, например, как полевой транзистор, ячейка флэш-памяти с использованием двумерного (2D) MoS2 и графеновых электродов. Кроме того, дисульфид молибдена не только применяется в области электроники, но и в машиностроении. Одним из перспективных направлений повышения эксплуатационных характеристик деталей в машиностроении стало развитие технологий создания композитных покрытий на основе MoS2 путем их применения в композитных структурах совместно с твердыми износостойкими и проводящими материалами. В этом случае антифрикционный твердосмазочный слой покрытия TiN-MoS2 имеет высокие твердость и износостойкость и достаточно низкий коэффициент трения, такое покрытие обеспечивает низкое трение и упрочнение поверхности. [1]

В качестве метода нанесения высококачественных покрытий на основе MoS2-TiN используется магнетронное распыление. Достоинства метода – возможность получения покрытий практически любых материалов, регулируемая скорость осаждения и относительная простота конструкции.