СИНЕРГИЯ Силовая электроника - ответы на тест (МОИ, МТИ)

Готовые ответы на тест Силовая электроника - университет СИНЕРГИЯ.

• Сдача на 100 баллов, сдавался недавно.
• Формат PDF.

После покупки Вы получите файл с вопросом - и правильным ответом на него.
Для быстрого поиска по дисциплине Силовая электроника можно нажать комбинацию "CTRL+F" и начинать вводить вопрос, это ускорит процесс поиска.

Вопросы:
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Низкий коэффициент передачи тока
Температурная нестабильность параметров
Большая задержка передачи сигналов
Потенциальная развязки информационного сигнала

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
Транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Силовым диодом называется

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
С проводным каналом
Со встроенным каналом
С индуцированным каналом
С проецированным каналом

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Симметричный режим работы трансформатора
Малое количество силовых ключей
Простота реализации схем управления
Интеллектуальная система управления

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Полевого транзистора с горизонтальным каналом
Униполярного транзистора
Полевого транзистора с вертикальным каналом
Биполярного транзистора

Быстродействие IGBT транзистора
Выше быстродействия полевых транзисторов
Ниже быстродействия полевых транзисторов
Выше быстродействия биполярных транзисторов
Ниже быстродействия биполярных транзисторов

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В шесть раз превышает частоты питающей сети
В три раза меньше частоты питающей сети
Равна частоте питающей сети
В три раза превышает частоту питающей сети

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Коллектор-база - в обратном направлении
Эмиттер-база - в прямом направлении
Коллектор-база - в прямом направлении
Эмиттер-база - в обратном направлении

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Преобразователь частоты
Инвертор
Выпрямитель
Регулятор переменного значения

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
Открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
Закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
Закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Транзисторы со статической индукцией
Биполярные транзисторы с изолированным затвором
Симистор
Полевой тиристор МСТ

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
Напряжение на аноде равно напряжению на катоде
Напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
Напряжения на аноде и катоде отсутствуют

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Улучшаются частотные и динамические свойства прибора
Снижается мощность потерь
Ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
Возрастает мощность потерь

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
Включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
Выключение осуществляется сигналом управления
Включение осуществляется сигналом управления
Выключение – при спаде тока через прибор до нуля

К аппаратам низкого напряжения не относятся
Аппараты управления и защиты
Аппараты автоматического регулирования
Шунтирующие реакторы
Аппараты автоматики

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
В четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
В два раза превышает выходную частоту инвертора
В четыре раза превышает выходную частоту инвертора
В два раза меньшей выходной частоты инвертора

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
База
Коллектор
Подложка
Эмиттер

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
Быстродействующий диод
Низкочастотный диод
Шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Напряжение отсечки равно нулю
Напряжение отсечки имеет отрицательное значение
При отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
При отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Симисторы (триаки)
Однооперационные тиристоры
МОП-транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Исток
Подложку
Затвор
Сток

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
Высокий уровень собственных шумов
Высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
Отсутствие вторичного пробоя
Низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Фазосдвигающее устройство (ФСУ)
Нуль-орган (НО)
Генератор пилообразного напряжения (ГПН)
Компаратор (К)

С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
Прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
Обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
Обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Функционального назначения преобразовательных устройств
Конструкции преобразовательного устройства
Типа преобразовательных устройств
Элементной базы электронных ключей

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
От 10 до 20 А
От 20 до 40 мА
От 10 до 20 мА
От 20 до 40 А

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Разъединители и отделители
Ограничители перенапряжений
Шунтирующие реакторы
Разделительные трансформаторы

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Порядка 0,1 А
Порядка 0,5 А
Порядка 0,3 А
Порядка 0,2 А

Величина заряда обратного восстановления силового диода
Прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
Прямо пропорциональна частоте коммутации
Обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
Прямо пропорциональна энергии обратного восстановления

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями

Система управления электронными ключами не предназначена для

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Увеличения мощности, потребляемой ФИУ
Повышения частотных характеристик ФИУ
Снижения частотных характеристик ФИУ
Снижения мощности, потребляемой ФИУ


Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

Принципы построения ФИУ не зависят от

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
Не изменяется
Увеличивается до 1 и потом остается неизменным
Вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
Энергия потерь при выключении
Максимально допустимое напряжение затвор-исток
Выходная емкость
Максимально допустимый ток стока

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
Полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
Трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
Сравнивающего устройства в интегральном исполнении

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
От 25 до 100 мкс
От 1 до 5 мкс
От 25 до 100 нс
От 1 до 5 нс

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
Перекрестно к противоположным монтажным шинам
Схемы последовательно с силовым ключом
Параллельно силовому ключу

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Преобразователь числа фаз
Выпрямитель
Трансформатор
Преобразователь частоты

К недостаткам МОП-транзисторов относится
Малое значение входной емкости
Большое значение входной емкости
Повышенное сопротивление в проводящем состоянии
Очень низкое сопротивление в проводящем состоянии

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Обратноходовые
Импульсно-ходовые
Прямоходовые
Интервально-ходовые

Пульсность выпрямителя
Обратно пропорциональна частоте пульсации
Прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
Прямо пропорциональна частоте пульсации
Обратно пропорциональна частоте питающего напряжения

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

Не существует следующего вида модуляций

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Обратноходовые
Импульсно-ходовые
Прямоходовые
Интервально-ходовые

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
Открытом состоянии и характеризуется очень малым током
Закрытом состоянии и характеризуется очень малым током
Закрытом состоянии и характеризуется очень большим током
Открытом состоянии и характеризуется очень большим током

Для включения тиристора SCR необходимо
Подать отрицательное напряжение между анодом и катодом
Снизить анодный ток до минимальной величины
Подать положительное напряжение между анодом и катодом
Подать импульс управления на управляющий электрод

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
Время спада тока коллектора
Максимально допустимый ток коллектора
Ток обратного смещенного коллекторного перехода
Время нарастания тока коллектора

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
Высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
Низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
Низкими значениями обратного напряжения и обратного тока

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

Запираемый тиристор GTO Ответ:

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Симистор – это тиристор, который может

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Высокое входное сопротивление
Меньшее напряжение в открытом состоянии
Высокие частотные характеристики
Низкий ток коммутации

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Повреждение силового ключа
Накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
Влияние паразитных элементов схемы и монтажа
Рассасывание зарядов в ключевых компонентах схем

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

К аппаратам высокого напряжения не относятся

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП– транзисторами имеют

Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Точечные диоды

В транзисторе IGBT сочетается

Высокой температурной устойчивостью не обладает

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
От 10 до 100 А/мкс
От 1 до 100 А/мкс
От 1 до 10 А/мкс
От 10 до 1000 А/мкс

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

Качество МДП - структуры тем выше, чем

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Динамическими параметрами силового диода являются

К статическим параметрам силового диода не относится

К параметрам силовых диодов не относятся

К предельно допустимым параметрам силового диода относится
Импульсное обратное напряжение
Напряжение пробоя
Время нарастания прямого тока
Динамическое сопротивление

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Зависимость амплитуды импульса управления от скважности
Независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
Зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
Независимость амплитуды импульса управления от скважности

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
Преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
Преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
Формирование сигналов управления силовой частью
Осуществление оперативного обмена с внешней средой

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
С общей базой (ОБ)
С общим истоком (ОИ)
С общей подложкой (ОП)
С общим стоком (ОС)

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Импульсные
Цифровые
Непрерывные
Релейные

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
Низкая частота коммутации
Зависимость частоты коммутации от входного напряжения
Зависимость частоты коммутации от тока нагрузки
Низкие динамические характеристики

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
6 В
600 В
60 В
6000 В

Конструктивно симистор представляет собой
Объединение двух встречновключенных тиристоров
Объединение трех встречновключенных тиристоров

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается

Основная функция силового диода

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
Замкнутым ключом
Источником тока коллектора, управляемого током базы
Источником тока эмиттера, управляемого током базы
Разомкнутым ключом

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
Высокий уровень выходного тока драйвера
Низкая рассеиваемая мощность в драйвере
Ограниченный выходной ток драйвера
Оптимизация разводки печатной плат

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Подключение внешних дополнительных защитных устройств
Повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
Определение момента перегрузки и подключение системы защиты
Уменьшение влияния паразитных элементов монтажа

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
Наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
Наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
Изменение формы коммутируемых токов и напряжений
Наличие более высоких значений рассеиваемой мощности

Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Источник тока, управляемый напряжением на затворе
Сопротивление, управляемое напряжением на затворе
Источник тока, управляемый током на затворе
Сопротивление, управляемое током на затворе

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Силовые ключи с встроенными системами защиты
Силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
Силовые ключи с внешними системами защиты и управления
Силовые интеллектуальные модули

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
Период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
Период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
Период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Прямо пропорциональна напряжению на затворе
Прямо пропорциональна току коллектора
Обратно пропорциональна напряжению на затворе
Обратно пропорциональна току коллектора

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
Больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
Меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
Равно выходному напряжению выпрямителя

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
Входная емкость
Энергия потерь при включении
Максимально допустимый ток стока
Крутизна передаточной характеристики

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Току коллектора в граничном режиме
Току базы в граничном режиме
Току базы в насыщенном режиме
Току коллектора в насыщенном режиме

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Один генератор пилообразного напряжения
Один синхронизатор
Три синхронизатора

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
Биполярный транзистор с изолированным затвором
Полевой транзистор с изолированным затвором
Асинхронный тиристор
Биполярный транзистор

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
Произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
Произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
Произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменит

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
Источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
Источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт

Оптотиристор – это
Тиристор со встроенным в него светоизлучателем
Фототиристор со встроенным в него светоприемником
Тиристор со встроенным в него светоприемником
Фототиристор со встроенным в него светоизлучателем

Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Характер подключенной нагрузки
Коммутационные процессы
Воздействие питающей сети
Короткое замыкание цепи нагрузки

В резонансных силовых преобразователях

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

Особенностью МОП-транзисторов является
Низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
Низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
Высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
Высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Предельное обратное напряжение более 100 В
Низкую инерционность прибора
Время обратного восстановления не более 0,3 мкс
Падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
Затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
Коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
Коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

Плоскостные диоды
Имеют малую площадь p-n-перехода
Используются для выпрямления малых токов
Используются для выпрямления больших токов
Имеют большую площадь p-n-перехода

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имею

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить

В активном режиме работы биполярного транзистора

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
Через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
Через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
На вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

Ток стока IGBT транзистора
Обратно пропорционален эквивалентной крутизне
Обратно пропорционален напряжению на затворе
Прямо пропорционален эквивалентной крутизне
Прямо пропорционален напряжениюна затворе

Главным достижением развития современных силовых ключей является
Объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
Объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
Объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
Объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
Обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
Транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
Транслироваться в блок датчиков Д

Силовой диод содержит
Два p-n-перехода
Один p-n-переход
Три p-n-перехода
Один p-n-p-переход

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

В основе биполярного транзистора лежит

Транзистор – это

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
Максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
Ударный ток
Напряжение лавинного пробоя
Напряжение переключения тиристора

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Магнитные выключатели
Плавкие предохранители общего назначения
Быстродействующие плавкие предохранители
Биметаллические выключатели

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Малой толщины базы
Большой площади коллекторного p-n-перехода

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
Эмиттер-база - в прямом направлении
Коллектор-база - в обратном направлении

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
С общим затвором (ОЗ)
С общим стоком (ОС)
С общим истоком (ОИ)
С общей базой (ОБ)

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
Прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
Обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
Обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
p-n-переход
Униполярный транзистор
Биполярный транзистор
n-p-переход

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
Резко увеличивается
Резко уменьшается
Равна нулю
Увеличивается постепенно

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Автоэлектронике
Сварочных аппаратах
Аудиотехнике
Видеотехнике

IGBT транзистор не находит применение в области
Высоких напряжений
Высоких частот
Высоких мощностей
Высоких токов коммутации

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Энергии
Информации
Тока
Напряжения

Электрический пробой силового диода возникает, когда
Обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
Обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
Обратное напряжение отсутствует
Обратное напряжение равно значению установленного порога

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Имеющий трехслойную структуру
Управляемый электрическими импульсами
Имеющий четырехслойную структуру
Управляемый световыми импульсами

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Наличие длительных многократных перегрузок по току
Индуктивный характер нагрузки
Наличие противонаправленной ЭДС вращения
Наличие кратковременных многократных перегрузок по ток

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Не полностью управляемый прибор
Полностью управляемый током прибор
Неуправляемый прибор
Полностью управляемый электрическим полем прибор

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
Стремится к бесконечности
Меньше нуля
Равно нулю
Имеет конечную величину

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
Две системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
Две системы управления инверторным режимом (СУИР)
Три системы управления выпрямительным режимом (СУВР)
Три системы управления инверторным режимом (СУИР)

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
Время нарастания
Время запаздывания обратного напряжения
Время выключения
Время установления

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
Электрического поля, перпендикулярного направлению тока
Электрического поля, параллельного направлению тока
Тока, перпендикулярного направлению напряжения
Тока, параллельного направлению напряжения

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Больше нуля
Меньше нуля
Стремится к бесконечности
Равно нулю

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
Максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
Энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
Напряжение лавинного пробоя
Ударный ток

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Путем размыкания его базовой цепи
Путем размыкания его эмиттерной цеп
Путем размыкания его коллекторной цепи
Путем размыкания его затворной цепи

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Управляемых транзисторных генераторов
Импульсных трансформаторов
R-L-Сцепей
Интегральных микросхем

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Наличие участка вторичного пробоя
Высокая температурная устойчивость
Низкая температурная устойчивость
Отсутствие участка вторичного пробоя

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Повышают уровень индуктивной связи между проводниками
Гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
Уменьшают индуктивную связь между проводниками
Повышают уровень емкостной связи между цепями

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Идеальный диод
Катушку индуктивности
Электрическую батарею
Резистор с динамическим сопротивлением

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Только в выпрямительном режиме
Только в инверторном режиме
В инверторном режиме
В выпрямительном режиме

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Дополнительным слоем полупроводника n-типа
Дополнительным слоем полупроводника p-типа
Дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
Дополнительным слоем полупроводника n-p-типа

Транзисторы Дарлингтона используют для
Увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
Уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
Уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
Увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах

SIT транзисторы производятся с каналами
Только p-типа
Только n-типа
n-типа
p-типа

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Более низкое быстродействие
Более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
Более высокое быстродействие
Более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT
Тиристоры (SCR)
Биполярные и МОП-транзисторы
Симисторы (триаки)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Сварочных аппаратах
Робототехнике
Печах СВЧ
Линиях электропередач

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Фронта нарастания силового тока
Величины дополнительной индуктивности
Типа транзистора
Величины защитной емкости

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
Прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
Прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
Обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)