11.04.03 Конструирование и технология электронных средств, страница 3

Минимальное время адсорбции.6.Устройство электронной лампы. Основные электрические цепи электроннойлампы (триода). Классификация электронных ламп.7. Статические параметры диода: внутреннее сопротивление, крутизнахарактеристики, методы определения параметров диода.8. Реальные статические характеристики диода (влияние контактной разностипотенциалов, влияние неравномерности температуры катода, эффект Шоттки,влияние падения напряжения вдоль катода, влияние магнитного поля).9.

Электростатическое поле триода при разных напряжениях сетки;междуэлектродные емкости.10. Эквивалентный диод, действующее напряжение «холодного» и «горячего»триода, закон степени 3/2.11. Статические параметры триода: крутизна характеристики, внутреннеесопротивление, коэффициент усиления.12. Клистроны, двухрезонаторные и многорезонаторные клистроны: умножительчастоты, генераторы, усилители;13. Лампы бегущей волны типа (ЛБВ) 0 , коэффициент усиления и КПД ЛБВ.14. Лампы обратной волны (ЛОВ) типа 0.15.

Магнетронные генераторы, траектории электронов в цилиндрическоммагнетроне, КПД магнетрона.Профессиональный цикл.1. Атомно-кристаллическое строение материалов. Типы кристаллическихрешеток, Координационное число, параметры решетки, плотность упаковки.2. Виды термической обработки металлов и сплавов.

Их краткая характеристикаи назначение.113. Твердые растворы, химические соединения, механические смеси; диаграммыфазового равновесия.4. Упругая и пластическая деформация; влияние нагрева на свойствадеформированного металла.5. Железо и его сплавы, диаграммы состояния железо-углерод. Углеродистыестали. Области применения.6. Строение и свойства меди, латуни, бронзы.

Области применения.7. Алюминий и алюминиевые сплавы. Свойства и применение.8. Основные параметры диэлектриков; диэлектрическая проницаемость и еезависимость от температуры.9. Диэлектрические потери, векторные диаграммы и эквивалентные схемыдиэлектриков с потерями.10. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от температуры,частоты, напряжения электрического поля и влажности.11. Классификация полимеров.12. Твердые органические диэлектрики, термопласты;13. Нейтральные высокочастотные термопласты полиэтилен, полипропилен,полистирол, фторопласт-4.

Свойства и области применения.14. Полярные низкочастотные термопласты полихлорвинил,полиметилметакрилат, полиамиды, полиуретаны, полиэтилентерефталат,поликарбонаты. Свойства и области применения.15. Методы получения полимеров. Полимеризация и поликонденсация.Степень полимеризации. Радикалы.16. Керамические материалы, конденсаторная керамика; сегнетоэлектрики;пьезокерамика. Свойства и области применения.17. Основные параметры полупроводников ( удельное сопротивление,ширина запрещенной зоны, концентрация носителей заряда, подвижностьносителей заряда).18.

Собственный полупроводник. Собственная концентрация. Положениеуровня Ферми в собственном полупроводнике.19. Кремний, примеси замещения и внедрения, нейтральные примеси,простые доноры и акцепторы; примеси , создающие глубокие уровни.20. Проводниковая медь, проводниковый алюминий, серебро, золото.21. Сплавы для резистивных устройств: нихромы, фехрали, хромели.22. Диамагнетики, парамагнетики, ферромагнетики, антиферромагнетики,ферримагнетики.23. Процессы намагничивания и перемагничивания в постоянномэлектрическом поле.

Петля гистерезиса.24. Примесные атомы, примесная проводимость с точки зрения зоннойтеории.25. Процессы рекомбинации в полупроводниках.26. Контакт металл-полупроводник.27. Электронно-дырочный переход. Классификация переходов. Областьпространственного заряда (ОПЗ). Гетеропереходы.28. Диоды: выпрямительные, стабилитроны, варикапы. Принципы работы.29. Биполярные и полевые транзисторы. Принципы работы.30. Биполярные транзисторы. Вольт-амперные характеристики иэквивалентные схемы.1231. Сравнительная характеристика схем усилительных каскадов по схемам сОЭ, ОБ и ОК.32.

Базовые логические элементы «И», «ИЛИ», «НЕ».33. Представление информации в цифровом виде. Схема формированиясигналов логического «0» и «1».34.Двоичные счетчики. Одноразрядный сумматор двоичного кода.35. Явление диффузии. Диффузионные токи электронов и дырок.Соотношение Эйнштейна.36.

JK-триггер, обозначение на схемах, назначение входов.37. RS- триггер, обозначение на схемах, назначение входов.38. Асинхронные счетчики на Т-триггерах.39. D- триггеры, Обозначение на схемах, назначение входов, диаграммаработы.40. Энергетические диаграммы симметричного и несимметричного(Nд > Nа)p-n переходов при прямом напряжении.41. Энергетические диаграммы симметричного и несимметричного(Nд > Nа)p-n переходов при обратном напряжении.42. Дипольно-релаксационная поляризация. Зависимость диэлектрическойпроницаемости от температуры и частоты электрического поля.43.

Электронная поляризация. Зависимость диэлектрической проницаемостиот частоты электрического поля и температуры для электронной поляризации.44. Сопротивление тонких металлических пленок. Размерные эффекты.Параметр зеркальности.45. Электрон-фононное рассеяние, рассеяние на ионизированных атомахпримеси.46. Неравновесные и избыточные носители заряда в полупроводнике.Рекомбинация. Скорость рекомбинации.47.

Классификация элементов электромонтажа, печатный монтаж,особенности конструкции односторонних и двухсторонних печатных плат;многослойные печатные платы.48. Объемный монтаж; типовые элементы внутриблочного и межблочногомонтажа.49. Элементная база электронных средств, устройства функциональнойэлектроники и электрорадиоэлементы.0. Особенности компоновки микроэлектронных СВЧ устройств.51. Особенности компоновки вторичных источников питания,микроэлектронных вычислительных устройств. Методы выполнениякомпоновочных работ.52.

Бестранформаторный усилитель мощности. Схема и принцип работы.53. Классификация диэлектрических материалов.54. Сплавы высокого сопротивления. Сплавы для термопар. Контактнаяразность потенциалов. Термо-э.д.с. Эффект Зеебека.55. Понятие информации; общая характеристика процессов сбора, передачи,обработки и накопления информации.56. Параллельные регистры для хранения информации.57. Модели решения функциональных и вычислительных задач;алгоритмизация и программирование; языки программирования высокого уровня.1358. Технические и программные средства реализации информационныхпроцессов.59.

Процессы травления поверхности методами ионно-плазменнойтехнологии.60. Литографические процессы в технологии интегральных схем.61. Диффузионные процессы в технологии интегральных схем.62. Процессы ионного внедрения в технологии интегральных схем.63. Основные понятия в метрологии; общие вопросы теории погрешностейизмерений и средств измерений, классификация погрешностей.64. Основные определения и законы электрических цепей. Электрическаяцепь при положительных направлениях тока и напряжения.65. Счетчики с заданным коэффициентом пересчета.66.Автоколебательный мультивибратор.

Принцип работы.67.Принципы построения параметрического стабилизатора напряжения.68. Амплитудно-частотные характеристики усилителей и причины сниженияусиления в области низких и высоких частот.69. Виды электрических сигналов и их спектры.70. Схема и принцип работы дифференциального усилителя.71. Влияние разделительной емкости на характеристики усилителя.72. Дешифраторы двоичного кода.73. Явление инжекции и экстракции. Прямое и обратное напряжение.74.

Биполярные транзисторы. Принцип работы. Энергетическая диаграммабиполярного транзистора в активно-инверсном режиме.75. Паразитные емкости в усилителях и их влияние на усилениеэлектрических сигналов.76. Конструирование. Конструкторская документация. Единая системаконструкторской документации (ЕСКД).77. Классификация технологических процессов; типовые технологическиепроцессы, базовые технологические процессы и основы их проектирования; - технологическая подготовка производства.78.

Устойчивость систем; необходимое и достаточное условия устойчивостисистем РА; критерии устойчивости.79. Основные характеристики логических элементов. Построение логическихустройств на интегральных элементах.80. Элементная база электронных средств, устройства функциональнойэлектроники и электрорадиоэлементы.81.Классификация факторов внешнего воздействия на РЭС.

Обеспечениезащиты блоков от дестабилизирующих климатических факторов окружающейсреды.82. Оценка технологичности конструкций РЭС. Моделированиетехнологических процессов.83. Контроль качества РЭС; основы контроля и управления качеством РЭС;виды технического контроля РЭС; классификация и назначение видов испытанийРЭС.84. Надежность РЭС; основные понятия надёжности; показатели надёжностиРЭС; моделирование надёжности РЭС; способы повышения надёжности РЭС.85. Построение логических устройств на интегральных элементах.14Литература.1.

Ю. Муромцев. Информационные технологии проектированиярадиоэлектронных средств. М.: Академия, 2010.2. Г.И. Атабеков. Теоретические основы электротехники. М.: Лань, 2010.3. В.А. Прянишников, Электроника. Полный курс лекций. М.: Корона-век,2010.4. Ю.П. Солнцев, Е.И. Пряхин. Материаловедение: учебник для ВУЗов. М.:20075. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин.

Материалы электронной техники. М.: Высшаяшкола, 1986.-366 с.6. В.Б. Сажин. Основы материаловедения. М.: Машиностроение.1990ю-527 с.7. М. Гродман. Физика полупроводников, приборы и нанотехнологии. М.:Издательский дом «Интеллект».2008.8. В.В.Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань.2004.9. Ч.Пул, Ф.Оуэнс. мир материалов и технологий, нанотехнологии. М.:Техносфера, 2004.10 А.А.Щука. Электроника /Под ред.Сигова А.С./СПб.: БХВ-Петербург, 2005.11 Э Зенгуил. Физика поверхности.