УП Технология РЭС и ЭВС 2006_, страница 6
Описание файла
PDF-файл из архива "УП Технология РЭС и ЭВС 2006_", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "основы конструирования и технологии приборостроения радиоэлектронных средств (окитпрэс)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МАИ. Не смотря на прямую связь этого архива с МАИ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "основы конструирования и технологии рэс" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 6 страницы из PDF
Подключить макет 1 к источнику 26 В, соблюдая полярность.2. Подключить макет к источнику ВСА-111К и установить необходимое напряжение.3. Подключить омметр к клеммам на верхней панели макета.4. Установить тумблер на передней панели макета в положение«ЭЛ.ИСК». Подгонка осуществляется легким нажатием на кнопку, расположенную на координатном столе, до соприкосновения иглы с поверхностьюрезистора в положении тумблера «ПОДГ». В положении тумблера «ИЗМ»измеряется сопротивление подгоняемого резистора.335. Построить зависимость изменения сопротивления подгоночной секции ∆R в относительной форме∆R= f ( x, y ) , где Rп – начальное сопроRптивление секции; x, y – координаты точек подгонки.6.
Определить координаты точки наибольшего изменения ∆R. Сделатьвыводы.Исследование подгонки пропусканием тока через резистор1. Подключить омметр к клеммам.2. Подключить макет к источнику.3. Установить тумблер на передней панели в положение «ТОК».4. Потянув на себя и повернув в нужную сторону внешнее кольцо нареле времени, установить необходимую выдержку.5. Установить наконечники электрозондов в центры контактных площадок одного из подгоночных резисторов.6. Установить тумблер в положение «ИЗМ» и замерить сопротивлениерезистора Rп.7. Установить тумблер в положение «ПОДГ», нажать и отпуститькнопку «КН1» на передней панели макета, при этом должна загореться лампочка.
После того как лампочка погаснет, повторить п.5.8. Построить зависимость∆R= f (τ ) , где τ - время протеканияRподгтока через резистор.При измерении интервал приращения времени составляет 1 мин. Получить три экспериментальные точки.9. Проанализировать полученные результаты.3435Рис.3.3. Топология микросборки для функциональной подгонки36Рис.3.4. Схема функциональной подгонкиИсследование функциональной подгонки (рис. 3.4)1. Подключить макет к источнику питания УНИП-5, соблюдая полярность.2. Подключить частотомер к гнезду «Выход 1» макета.3. Установить переключатели П1, П2 и П4 в положение «4».4.
Измерить частоту импульсов f на выходе мультивибратора в точках1-7 переключателя П3.5. Выключить источник питания и подключить цифровой вольтметр кгнездам КТ3 ⊥, подготовив его к измерению сопротивлений.6. Измерить сопротивление в точках 1…7 переключателя П3.7. Подготовить вольтметр к измерению постоянных напряжений иподключить его к гнезду «Выход 1» макета.8. Установить П3 в положение «4» и включить питание.9. Измерить амплитуду импульсов Uвых в точках 1…7 переключателяП1.10.
Замерить сопротивление на гнездах КТ1 ⊥ в точках 1-7 переключателя П1 (см. пп. 5 и 6).11. Результаты экспериментов занести в таблицу.Параметры12Номер экспериментальной точки34567fRUвых12. По результатам экспериментов дать заключение о точности функционального метода подгонки ( в процентах).13. Сравнить исследованные методы и сделать выводы.Содержание отчета1.2.3.4.Краткое описание работы (цель, основные методы и задание).Электрическая схема измерений.Результаты измерений.Выводы.37Контрольные вопросы1. Чем вызвана необходимость введения в ТП изготовления МЭА технологической операции подгонки?2.
В каких технологических методиках возможна подгонка: в тонкопленочной, толстопленочной или полупроводниковой? Объясните Ваш ответ.3. Дайте сравнительную характеристику групп методов подгонки.4. Приведите основные критерии выбора метода подгонки.5. Укажите область применения и варианты практической реализациифункциональной подгонки.Библиографический списокГотра З.Ю. Тонкопленочные резисторы микросхем. – Львов: Каменяр,1976. – С. 78-105.38Работа 4. МЕТОДЫ ОПТИМИЗАЦИИ ПРОЦЕССАРЕГУЛИРОВКИ РАДИОАППАРАТУРЫЦель работы – ознакомить студентов с основными методами оптимизации процесса регулировки РЭА.Краткие теоретические сведенияСовременный уровень развития производства элементов радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) не позволяет получить достаточно высокой точности значений их параметров.
Поэтому после изготовления радиоэлектронного устройства необходимо его отрегулировать с целью получения оптимального (заданного) значения выходного параметра.Под регулировкой РЭА понимают процесс компенсации разброса характеристик схемных элементов и влияния технологических факторов, атакже сопряжения параметров отдельных устройств и блоков в процессепроизводства для приведения выходных параметров изделия в соответствиес нормами технических условий.Регулировка выполняется путем подбора элементов аппаратуры,влияющих на выходные параметры, как непрерывно, так и дискретно.Дискретная регулировка используется в тех случаях, когда требуетсякомпенсировать вполне определенное значение выходного параметра, исвязь выходного параметра и параметра регулировочного элемента определена.Непрерывная, или плавная, регулировка предполагает возможность задания уровней выходного параметра через малые значения параметра регулировочного элемента, определенные чувствительностью измерительнойаппаратуры.В микроэлектронной аппаратуре, особенно на уровне микроузлов ифункциональных ячеек, применяется дискретная регулировка, посколькурегулировочные элементы с непрерывным изменением параметра оказываются конструктивно несовместимыми с аппаратурой названных структурных уровней.Регулировочные элементы могут быть зависимыми и независимыми.Для независимых регулировочных элементов порядок выполнения операцийрегулировки не имеет значения.
В случае взаимной зависимости регулиро39вочных элементов порядок выполнения операций регулировки должен бытьстрого определен.Регулировочный элемент является составной частью радиоэлектронного устройства. Степень влияния регулировочного элемента на выходной параметр схемы определяется чувствительностью, в качестве прямых оценоккоторой принято использовать частные производные выходных параметровРЭА по вариациям параметров элементов. Следовательно, функции видаS=∂Pi∂z j(4.1)называются функциями чувствительности j-го выходного параметра Рj; поi-му регулировочному параметру zi. Количественные оценки (4.1) носят название коэффициентов влияния.Если учесть, что современные РЭА содержат большое количество отдельных элементов и различных взаимосвязанных блоков, то процесс регулировки представляет собой сложную техническую задачу, для решения которой необходимы квалифицированные кадры регулировщиков и большиематериальные затраты.Наибольший экономический эффект при использовании элементов сширокими допусками в сочетании с регулировкой в конструкциях РЭА может быть достигнут при наименьших затратах труда, времени и средств наэту операцию.
Поэтому возникает, задача оптимизации технологическогопроцесса регулировки радиоаппаратуры, т.е. разработки таких методов регулировки, которые позволили бы сократить время регулировки и, следовательно, материальные затраты и ускорить выпуск аппаратуры.К основным затруднениям, возникающим при решении данной проблемы, следует отнести отсутствие удовлетворительных математическихмоделей, описывающих связь между выходными характеристиками устройств и параметрами элементов регулировки.Процесс регулировки радиоаппаратов является совокупностью экспериментов, имеющих целью максимизацию (минимизацию) некоторой выходной характеристики. Оптимизация процесса регулировки может бытьвыполнена на основании информации, получаемой в результате постановкипассивного или активного эксперимента.Пассивный эксперимент - это пассивное наблюдение за работой радиоаппарата в нормальном режиме, в результате которого удается собрать ста40тистическую информацию, подлежащую соответствующей обработке.
Активный эксперимент предполагает активное воздействие на радиоаппарат позаранее разработанной программе.В большинстве случаев при решении задачи оптимизации процесса регулировки РЭА предпочтение отдается активному эксперименту. Подготовкак постановке активного эксперимента требует информацию о точности измерительной и вспомогательной аппаратуры, пределах изменения регулировочных параметров и их влияния на выходной параметр, квантования параметров по уровню и т.д.Поэтому первым этапом процесса регулировки является сбор и изучение имеющейся информации, включающей исследование структуры и принципиальной схемы РЭА, с целью определения чувствительности к изменению параметров регулировочных элементов.Для решения данной задачи можно воспользоваться методом ранговойкорреляции, постановкой классического эксперимента на физической модели РЭА или определением функции чувствительности (4.1) при наличии математического описания радиоустройства.Сущность метода ранговой корреляции состоит в рациональной обработке субъективной информации, полученной в результате опроса опытныхспециалистов-регулировщиков, технологов и т.д.Для систематизации качественной информации применяется так называемое ранжирование регулировочных элементов.Под ранжированием понимается расположение n регулировочных элементов в порядке возрастания или убывания какого-либо признака x: степени влияния на выход, порядка регулировки, удобства регулировки и т.п.