Справочник_по_электронным_компонентам_details (книги, данные Драгуновым С.С. по электронике в формате pdf и djvu), страница 2

Руководство по применению.Общие положения.Приборыполупроводниковыеоптоэлектронные.Руководство по применению.Стабилитроны. Руководство по применению.Диоды импульсные. Руководство по применению.Варикапы. Руководство по применению.Диодывыпрямительные,столбывысоковольтные.Руководство по применению.Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторыГОСТ 15133-77ОСТ 11 336.919-81ГОСТ 2.730-73ГОСТ 18472-82ОСТ 16 0.801.250-85ГОСТ 20003-74*ГОСТ 19095-73*ГОСТ 18604.0-83ГОСТ 18604.1-80Приборы полупроводниковые.

Термины и определения.Приборыполупроводниковые.Системаусловныхобозначений.ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.Приборы полупроводниковые.Приборы полупроводниковые. Основные размеры.Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы.Габаритные и присоединительные размеры.Транзисторы биполярные. Термины, определения ибуквенные обозначения параметров.Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенныеобозначения параметров.Транзисторы биполярные. Общие требования при измеренииэлектрических параметров.Транзисторы биполярные.

Методы измерения постояннойвремени цепи обратной связи на высокой частоте.6ГОСТ 18604.2-80ГОСТ 18604.3-80ГОСТ 18604.4-74ГОСТ 18604.5-74ГОСТ 18604.6-74ГОСТ 18604.7-74ГОСТ 18604.8-74ГОСТ 18604.9-82ГОСТ 18604.10-76ГОСТ18604.11-76ГОСТ 18604.13-77ГОСТ 18604.14-77ГОСТ 18604.15-77ГОСТ 18604.16-78ГОСТ 18604.17-78ГОСТ 18604.18-78ГОСТ 18604.19-78ГОСТ 18604.20-78ГОСТ 18604.22-78ГОСТ 18604.23-80ГОСТ 18604.24-81Транзисторы биполярные. Методы измерения статическогокоэффициента передачи тока.Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкостиколлекторного и эмиттерного переходов.Транзисторы.Методыизмеренияобратноготокаколлектора.Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора– эмиттера.Транзисторы.

Метод измерения обратного тока эмиттера.Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачитока.Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости.Транзисторы биполярные. Методы определения граничной ипредельной частот коэффициента передачи тока.Транзисторы биполярные. Метод измерения входногосопротивления.Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициенташума на высоких и сверхвысоких частотах.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методизмерениявыходноймощностииопределениякоэффициента усиления по мощности и коэффициентаполезного действия коллектора.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методизмерения модуля коэффициента обратной передачинапряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методыизмерения критического тока.Транзисторы биполярные.

Метод измерения коэффициентаобратной связи по напряжению в режиме малого сигнала.Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающегонапряжения эмиттер – база.Транзисторы биполярные. Методы измерения статическойкрутизны прямой передачи.Транзисторы биполярные. Методы измерения граничногонапряжения.Транзисторы биполярные.

Методы измерения коэффициенташума на низкой частоте.Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжениянасыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер.Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентовкомбинационных составляющих.Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные.Метод измерения выходной мощности и определениякоэффициента усиления по мощности и коэффициента7ГОСТ 18604.26-85ГОСТ 18604.27-86ОСТ 11 336.909.1-79ОСТ 11 336.909.3-79ГОСТ 27264-87ГОСТ 20398.0-83ГОСТ 20398.1-74ГОСТ 20398.2-74ГОСТ 20398.3-74ГОСТ 20398.4-74ГОСТ 20398.5-74ГОСТ 20398.6-74ГОСТ 20398.7-74ГОСТ 20398.8-74ГОСТ 20398.9-80ГОСТ 20398.10-80ГОСТ 20398.11-80ГОСТ 20398.12-80ГОСТ 20398.13-80ОСТ 11 336.916-80ОСТ 11 336.907.0-79полезного действия коллектора.Транзисторы биполярные.

Методы измерения временныхпараметров.Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методизмерения пробивного напряжения коллектор – база(эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора).Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методыизмерения граничного напряжения.Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методыизмерения скорости нарастания обратного напряжения.Транзисторы силовые биполярные.

Методы измерений.Транзисторы полевые. Общие требования при измеренииэлектрических параметров.Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полнойпроводимости прямой передачи.Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициенташума.Транзисторы полевые. Метод измерения крутизныхарактеристики.Транзисторы полевые. Метод измерения активнойсоставляющей выходной проводимости.Транзисторы полевые. Метод измерения входной,проходной и выходной ёмкостей.Транзисторы полевые.

Метод измерения тока утечкизатвора.Транзисторы полевые. Метод измерения пороговогонапряжения и напряжения отсечки.Транзисторы полевые. Метод измерения начального токастока.Транзисторы полевые. Метод измерения крутизныхарактеристики в импульсном режиме.Транзисторы полевые. Метод измерения начального токастока в импульсном режиме.Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума.Транзисторы полевые.

Метод измерения остаточного токастока.Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток– исток.Транзисторы полевые. Метод измерения выходноймощности, определения коэффициента усиления помощности, определения коэффициента полезного действиястока.Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.Общие положения.8ОСТ 11 336.907.8-81ОСТ 11 336.935-82ОСТ 11 ПО.336.001Транзисторы биполярные. Руководство по применению.Транзисторы полевые. Руководство по применению.Приборы полупроводниковые бескорпусные.

Руководствопо применению.Основные стандарты на микросхемыОСТ 11 073.073-82ОСТИ 073.062-76Приборы полупроводниковые и микросхемы. Методконтроля температуры полупроводниковых структур.Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые.Требования и методы защиты от статического электричествав условиях производства и применения.92 Список принятых сокращенийДиодыIвыпр.ср.макс – максимальное значение среднего выпрямленного диодом тока.Iобр – обратный ток через диод.Iобр.ср – средний обратный ток через диод.Iпр – прямой ток через диод.Iпр.макс – максимальный прямой ток.Iпр.и.макс – импульсный максимальный прямой ток.Iпр.ср – средний прямой ток через диод.Iпр.ср.макс – максимальное значение среднего прямого тока через диод.Uобр.макс – максимальное постоянное обратное напряжение, приложенное к диоду.Uобр.и.макс – максимальное импульсное обратное напряжение, приложенное кдиоду.Uпр – падение напряжения на диоде при его прямом включении.Uпр.ср – среднее падение напряжения на диоде при его прямом включении.fмакс – максимальная частота, на которой ещё сохраняется свойство одностороннейпроводимости диода.СветодиодыI – сила света.

Отношение светового потока, распространяющегося от светодиода врассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к величине этоготелесного угла.Iν – фотометрическая сила света. Измеряется в канделах и является основнойфотометрической единицей в системе СИ.Ie – энергетическая сила света. Измеряется в ваттах на стерадиан.IпрUпр – прямой ток через светодиод при напряжении Uпр.L – яркость.

Величина, равная отношению силы света светодиода к площадисветящейся поверхности.Lν – фотометрическая яркость. Измеряется в канделах на метр квадратный.λ – длина волны.λмакс – максимум спектрального распределения. Длина волны светового излучения,соответствующая максимуму спектральной характеристики светодиода.Θ – угол раскрыва диаграммы направленности излучения. Угол раскрывадиаграммы направленности излучения светодиода, измеренный на уровне 0,5.τ – длительность импульса.ОптроныIвх – входной ток.Iвх.макс – максимальный постоянный входной ток оптопары.Iвх.и.макс – максимальный импульсный входной ток оптопары.Iвых – выходной ток.Pср.макс – средняя рассеиваемая мощность.10Rт – тепловое сопротивление.Uиз – напряжение изоляции оптопары.Uком – коммутируемое напряжение оптопары.СтабилитроныIс – номинальный ток стабилизации стабилитрона.Iс.макс – максимальный ток стабилизации стабилитрона.Iс.мин – минимальный ток стабилизации стабилитрона.IсUc – ток стабилизации стабилитрона при соответствующем ему номинальномнапряжении стабилизации Uс.rд – динамическое сопротивление стабилитрона.ТКU 10-4 °C-1 – температурный коэффициент стабилизации стабилитрона.Uс – номинальное напряжение стабилизации стабилитрона.Uc.макс – максимальное напряжение стабилизации стабилитрона.Uc.мин – минимальное напряжение стабилизации стабилитрона.t, Т – температура окружающей среды.ВарикапыCном – номинальная ёмкость при заданном обратном напряжении смещения.Qв – добротность варикапа.

Qв равна отношению ёмкостного сопротивления кэквивалентному последовательному сопротивлению.Туннельные диодыCд.мин – минимальная общая ёмкость диода. Минимальная ёмкость междувыводами диода при заданном режиме работы.Cд.макс – максимальная общая ёмкость диода. Максимальная ёмкость междувыводами диода при заданном режиме работы.Iв – ток впадины. Значение прямого тока в точке минимума ВАХ, при которомдифференциальная активная проводимость равна нулю.Iп – пиковый ток. Значение прямого тока в точке максимума ВАХ, при которомдифференциальная активная проводимость равна нулю.Iпр.макс – максимальный постоянный прямой ток.Iп / Iв – отношение пикового тока к току впадины.Iобр.и – импульсный обратный ток.

Наибольшее мгновенное значение обратноготока диода, обусловленное импульсным обратным напряжением.Iобр.макс – максимальный обратный ток.∆Iп – приращение пикового тока туннельного диода.Lд – общая ёмкость туннельного диода.Lкор – индуктивность корпуса туннельного диода.rп – последовательное сопротивление потерь. Суммарное эквивалентное активноесопротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода.Uп – напряжение пика. Пиковое напряжение, соответствующее пиковому току.Uпр.макс – максимальное прямое напряжение при заданном прямом токе диода.11Тмакс – максимальное значение температуры.Тиристорыfу – частота управления.Iзкр – ток в закрытом состоянии.