Справочник_по_электронным_компонентам_details (538683), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Отношение разностимаксимально возможного эмиттерного напряжения и падения напряжения на p-nпереходе к приложенному межбазовому напряжению.15Полевые транзисторыC11и – входная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и истокомпри коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.C12и – проходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и стокомпри коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.C22и – выходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между стоком и истокомпри коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.Сзи – ёмкость затвор – исток.
Ёмкость между затвором и истоком при разомкнутыхпо переменному току остальных выводах.Eш – электродвижущая сила шума полевого транзистора. Спектральная плотностьэквивалентного шумового напряжения, приведённого ко входу, при короткомзамыкании на входе в схеме с общим истоком.g22и – активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора всхеме с общим истоком.Iз.ут – ток утечки затвора.
Ток затвора при заданном напряжении между затвором иостальными выводами, замкнутыми между собой.IС – ток стока полевого транзистора (не путать с номинальным током стабилизациистабилитрона). Ток, протекающий в цепи сток – исток при напряжении сток –исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, при заданном напряжениизатвор – исток.Iс.макс – максимально допустимый постоянный ток стока.Iс.нач – начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком,равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжениенасыщения.Кур – коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. Отношениемощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определённойчастоте и схеме включения.Кш – коэффициент шума транзистора. Для полевого транзистора это отношениеполной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той её части, котораявызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.Rси.отк – сопротивление сток – исток в открытом состоянии полевого транзистора.Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора призаданном напряжении сток – исток, меньшем напряжения насыщения.Rc.мин – минимальное сопротивление канала сток – исток полевого транзистора впроводящем состоянии, включённого по схеме с общим истоком.S – крутизна характеристики полевого транзистора.
Отношение изменения токастока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании попеременному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.Тк – температура корпуса транзистора. Температура в заданной точке корпусатранзистора.Uз1з2.макс – максимально допустимое напряжение между затворами.Uзи – напряжение затвор – исток.Uзи.макс – максимально допустимое напряжение затвор – исток.16Uзи.отс – напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвороми истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором,работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданногонизкого значения.Uзи.пор – пороговое напряжение полевого транзистора. Напряжение междузатвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режимеобогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.Uзс.макс – максимально допустимое напряжение затвор – сток.Uси – напряжение сток – исток.Uси.макс – максимально допустимое напряжение сток – исток.Микросхемыf1 – частота единичного усиления.fвх – частота входного сигнала.I0вх – входной ток логического нуля.I1вх – входной ток логической единицы.I1вых – выходной ток логической единицы.Iвх – постоянный ток входа.Iкз – значение тока, потребляемого микросхемой при замкнутом накоротко выходе.Iн – постоянный ток нагрузки.Iн.макс – максимальный ток нагрузки.ΔIн.макс – диапазон изменения максимального выходного тока – тока, отдаваемогов нагрузку.Iп – потребляемый ток.I1п – ток потребления в режиме логической единицы.КD – минимальный коэффициент усиления.RDвх – входное сопротивление.tздр10 – время задержки при переходе из 1 в 0.tздр01 – время задержки при переходе из 0 в 1.U0вых – выходное напряжение логического нуля.U1вых – выходное напряжение логической единицы.Uвх – входное напряжение.ΔUвх.макс – максимальное изменение входного напряжения.Uвых – выходное напряжение.Uвых.мин – минимально допустимое выходное напряжение.ΔUвых – максимальное изменение выходного напряжения – изменение Uвых,обусловленное изменением Iн.макс.Uип – напряжение источника питания.Uип.ном – номинальное напряжение источника питания.Uпд – максимальное падение напряжения на стабилизаторе (Dropout Voltage) Uпд =Uвх – Uвых.мин.Uсм – напряжение смещения “нуля”.Uш – напряжение шумов.Vu – скорость увеличения выходного напряжения.17γ – абсолютный температурный коэффициент (температурная стабильность), мВ /ºC, γ = ΔUвых / ΔT – изменение выходного напряжения от изменения температурыокружающей среды при неизменных Uвх и Iн.АМ – амплитудная модуляция.АПЧГ – автоматическая подстройка частоты гетеродина.АРУ – автоматическая регулировка усиления.Вид цепи – вид цепи, в которую включён регулирующий элемент микросхемногостабилизатора напряжения.ВЧ – высокая частота.НЧ – низкая частота.ПЧ – промежуточная частота.ПЧЗ – преобразователь частоты звука.ПЧИ – преобразователь частоты изображения.СК – селектор каналов.ФАПЧ – фазовая автоподстройка частоты.ЧМ – частотная модуляция.— – данные не нормируются или информация о данном параметре отсутствует.ТУ – технические условия.и – буква “и” рядом со значением параметра означает, что приведённая величинасоответствует импульсному режиму работы транзистора.т – буква “т” рядом со значением параметра означает, что приведённая величинаявляется типовой.Электродытранзисторовусловнообозначаютсяпервымибуквамисоответствующего названия электродов.
Например, затвор – буква “З”, база – “Б”.Сток (С)Затвор (З)Исток (И)Если не указана температура, при которой были получены параметры деталей, топредполагается, что эта температура – комнатная 25 °C.Коэффициенты h21Э и h21э указаны для соответствующих значений Uкэ (Uкб) и Iк(Iэ) биполярных транзисторов. Значения параметров Uзи и Uси указаны длясоответствующих значений Iз.ут и S полевых транзисторов. Значение Pмаксполевых транзисторов указано для соответствующих значений T.Цветные точки рядом с электродом транзистора в металлическом корпусе чащевсего обозначают вывод эмиттера.183 Диоды3.1 Диоды выпрямительныеТаблица 3.1.1. Диоды малой мощности.Uпр. при Iпр.;Тип диода{Uпр.ср} при {Iпр.ср}Iобр. {Iобр.ср}при Uобр.макс,BмАмкААД110А1,510ГД107А1ГД107БПредельные режимыUобр.макс,Iвыпр.ср.макс; fмакс, Рисунок{Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс}; кГцВ[Iпр.макс], мА5·1030101000110201520–20,41,5100202,5–2Д2Б1510030{16}1003Д2В1925040{25}1003Д2Г1225075{16}1003Д2Д14,525075{16}1003Д2Е14,5250100{16}1003Д2Ж12250150{8}1003Д2И12250100{16}1003Д7А{0,5}{300}{100}{50}{300}25Д7Б{0,5}{300}{100}{100}{300}25Д7В{0,5}{300}{100}{150}{300}25Д7Г{0,5}{300}{100}{200}{300}25Д7Д{0,5}{300}{100}{300}{300}25Д9Б19025010125–9Д9В1102503062–9Д9Г1302503098–9Д9Д1602503098–9Д9Е1302505062–9Д9Ж11025010048–9Д9И1301203098–9Д9К160603098–9Д9Л13025010048–9Д101221075301504Д101А111075301504-319Uпр.
при Iпр.;Тип диода{Uпр.ср} при {Iпр.ср}Iобр. {Iобр.ср}при Uобр.макс,BмАмкАД10222Д102А1Д103Предельные режимыUобр.макс,Iвыпр.ср.макс; fмакс, Рисунок{Uобр.и.макс}, {Iпр.ср.макс}; кГцВ[Iпр.макс], мА105030150411050301504223030301504Д103А113030301504Д206{1}{100}{100}100100–5Д207{1}{100}{100}200100–5Д208{1}{100}{100}300100–5Д209{1}{100}{100}400100–5Д210{1}{100}{100}500100–5Д211{1}{100}{100}600100–5Д2231501{50}5020·10343Д223А1501{100}5020·104Д223Б1501{150}5020·104Д226Б{1}{300}{100}{400}{300}16Д226В{1}{300}{100}{300}{300}16Д226Г{1}{300}{100}{200}{300}16Д226Д{1}{300}{100}{100}{300}16КД102А1500,125010047КД102Б150130010047КД103А1500,550100–7КД103Б1,2500,550100–7КД104А110330010107КД105Б{1}{300}{100}{400}{300}18КД105В{1}{300}{100}{600}{300}18КД105Г{1}{300}{100}{800}{300}18МД217{1}{100}{75}{800}{100}15МД218{1}{100}{75}{1000}{100}153Ниже приведены рисунки к таблице 3.1.1.20122Вывод "+"320,15∅4,2227,5170,42,8Рис.
1Рис. 24Рис. 30,86,811,2123031600,5116311,9Рис. 4а77Рис. 5На рисунке 5 для диодов типов Д7, Д206 – Д211 размер а составляет 16 мм, а длядиодов МД217 и МД218 составляет 18 мм.Диоды типов КД105 (рисунок 8) маркируются цветными точками на боковойповерхности: точка зелёного цвета – для КД105В, точка красного цвета – дляКД105Г. У диодов типа КД105Б точка отсутствует. Полярность диодовобозначается полосой жёлтого цвета у плюсового вывода.216,810,811,4101880Рис. 6204,52,7Вывод "+"Метка0,73,20,16201,87565Рис. 7Рис. 8Iпр., мкА0,40,5608∅2,356000Д9В4000Место маркировкиОбозначениеплюсовоговывода20000-+Рис. 9Uобр., В 212 200400 Uпр., мВ4Iобр., мкАРис. 10Диоды Д9 (рисунок 9) – германиевые точечные. Выпускаются в стеклянномкорпусе и имеют гибкие выводы.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
