Справочник_по_электронным_компонентам_details (книги, данные Драгуновым С.С. по электронике в формате pdf и djvu), страница 12
Описание файла
PDF-файл из архива "книги, данные Драгуновым С.С. по электронике в формате pdf и djvu", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электротехника (элтех)" из 6 семестр, которые можно найти в файловом архиве МПУ. Не смотря на прямую связь этого архива с МПУ, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электротехника и электроника" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 12 страницы из PDF
Длина выводов может быть 12,7 мм, а диаметр выводов – Ø0,48 мм.Ближайшие отечественные аналоги 2N2222 – КТ3117А, SF136D – КТ342А, SF136E– КТ342Б, SF136F – КТ342В, SF137D – КТ342А, SF137E – КТ342Б, SF137F –КТ342В.Ниже показаны типовые входные характеристики транзисторов КТ315А, КТ315Б,КТ315В, КТ315Г и типовые выходные характеристики транзистора КТ315Г [27].Iк, мАIэ, мА1,820oC-40oC1,21,00,80,35350,3300,25250,60,4200,2100,20,15150,1Ток базы 0,05 мА500,20,40,60,550,50,450,440Температура1,40,645100 oC1,6500,8 Uэб, В0Рисунок 1.
Типовые входныехарактеристики транзисторов типаКТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г приразличной температуре окружающейсреды (в схеме с общем эмиттером).5 10 15 20 25 30 35 40Uкэ, ВРисунок 2. Выходные характеристикитранзистора типа КТ315Г (в схеме собщем эмиттером и при температуреокружающей среды 20 ºC).93Таблица 5.1.7. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) сверхвысокойчастоты (fгр > 300 МГц) [39, стр. 80 – 83].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо.
Uэбо.макс,макс,{Uкэо.гр},макс,макс,мАмАBBB1Т313А50–{7}120,710010…230{3}151Т313Б50–{7}120,710010…75{3}1Т313В50–{7}120,710030…2301Т376А10–{7}70,25351Т386А10–{15}150,32Т326Б50–1520Рк.макс,Uкб,РисуКш, нокIкбо,fгр,мкАГГцдБ0,750,3…1834150,750,45…1834{3}150,750,45…183410…15052–514244010…10053–100,45424425045…1602101,20,50,4–17мВтh21Э{Uкэ},BIэ,Uкэ.мАнас,B2Т360Б-12075152041040…1202100,3510,4–182Т360В-12075152041080…2402100,3510,4–182Т363А30501515415020…70550,350,51,2–172Т363Б30501215415040…120550,350,51,5–172Т389А-2300–{25}25430025…10012000,610,45–47ГТ313А30–15150,715020…200550,750,35…1834ГТ313Б30–15150,715020…200550,750,45…1834ГТ313В30–15150,715030…170550,750,35…1834ГТ328А10–{15}150,255020…20053–100,4734ГТ346А10–15200,35010…150102–100,7724ГТ346Б10–15200,35010…150102–100,55824ГТ346В10–15200,35015…150102–100,55724ГТ376А10–{7}70,253510…15052–51424КТ326А50–1520420020…702101,20,50,4–17КТ326Б50–1520420045…1602101,20,50,4–17КТ337А30–66415030…70{0,3}100,210,5–17КТ337Б30–66415050…75{0,3}100,210,6–17КТ337В30–66415070…120{0,3}100,210,6–17КТ345А2003002020410020…60{1}1000,310,35–26КТ345Б2003002020410050…85{1}1000,310,35–26КТ345В2003002020410070…105{1}1000,310,35–26КТ347А501101515415030…4000,3100,310,5–17КТ347Б5011099415030…4000,3100,310,5–17КТ347В5011066415050…4000,3100,310,5–17КТ360Б-12075152041040…1402100,3510,4–18КТ360В-12075152041080…2402100,3510,4–18КТ363А30501515415020…70550,350,51,2–17КТ363АМ30501515415020…70550,350,51,2–26КТ363Б30501215415040…120550,350,51,5–17КТ363БМ30501215415040…120550,350,51,5–2694Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо.
Uэбо.макс,макс,{Uкэо.гр},макс,макс,мАмАBBBКТ389Б-2300–{25}25430025…1001200КТ3126А20–2020315025…1505КТ3126Б20–2020315060…180КТ3127А20–20203100КТ3128А20–20203П418Г10–{7}10П418Д10–{7}П418Е10–П418Ж10–Рк.макс,Uкб,РисуКш, нокIкбо,fгр,мкАГГцдБ0,610,45–4731,210,6–37531,210,6–3725…15053–10,652410015…15053–10,85240,3508…70110–30,4–33100,3508…70110–30,4–336,5100,35060…170110–30,4–336,5100,35060…170110–30,4–33мВтh21Э{Uкэ},BIэ,Uкэ.мАнас,B95Таблица 5.1.8. Транзисторы n-p-n малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) сверхвысокойчастоты (fгр > 300 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,макс,макс,мАмАB1Т311А50–1Т311Б501Т311ГUкбо.
Uэбо.{Uкэо.макс}, макс,Рк.макс,макс,{Рмакс},BBмВт12122{150}–1212250–12121Т311Д50–121Т311К50–1Т311Л50–Uкб,h21ЭIэ,Uкэ.{Uкэ}, {Iк}, нас,Iкбо,fгр,Кш,мкАГГцдБРисунокBмАB15…1803150,350,3834{150}30…1803150,350,3–342{150}30…803150,350,45–34122{150}60…1803150,350,6–3412122{150}60…1803150,350,45–3412122{150}150…3003150,350,6–342Т355А306015154{225}80…3005{10}–0,51,5–382Т366В-14570{10}154,5{90}50…200{1}150,250,11–392Т368А306015154{225}50…3001{10}–0,50,9–242Т368Б306015154{225}50…3001{10}–0,50,93,3242Т396А-2404010153{30}40…2502{5}–0,52,1–40ГТ311В50–1212215015…503150,350,45–34ГТ311Г50–1212215030…803150,350,45–34ГТ311И50–10101,5{150}100…3003150,3100,45–34КТ306А305010154{150}20…60{1}100,30,50,3841КТ316А505010104{150}20…60{1}100,40,50,6–9КТ316Б505010104{150}40…120{1}100,40,50,8–9КТ316В505010104{150}40…120{1}100,40,50,8–9КТ316Г505010104{150}20…100{1}100,40,50,6–9КТ316Д505010104{150}60…300{1}100,40,50,8–9КТ325А306015154{225}30…905{10}–0,50,82,542КТ325Б306015154{225}70…2105{10}–0,50,8–42КТ325В306015154{225}160…4005{10}–0,51–42КТ366В4570{10}154,5{90}50…200{1}150,250,11–39КТ368А306015154{225}50…3001{10}–0,50,9–24КТ368Б306015154{225}50…3001{10}–0,50,93,324КТ396А-2404010153{30}40…2502{5}–0,52,1–40Транзисторы типа КТ396А-9 маркируются одной зелёной точкой.96Таблица 5.1.9.
Транзисторы p-n-p средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс ≤ 1,5 Вт)низкой частоты (fгр ≤ 3 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.UкэR.макс,макс,АВГТ402А0,5250,6–855530…80ГТ402Б0,5250,6–8555ГТ402В0,5400,6–85ГТ402Г0,5400,6–ГТ402Д0,5250,6ГТ402Е0,525ГТ402Ж0,5ГТ402И0,5ГТ405АРк.макс,Тп.РисунокIэ,Iкбо,fh21,Rтп-с,мАмкАМГц°С / Вт132011004360…15013201100435530…801320110043855560…150132011004325855530…8013251100430,625855560…1501325110043400,625855530…801325110043400,625855560…15013251100430,5250,625855530…80{1}325110044ГТ405Б0,5250,625855560…150{1}325110044ГТ405В0,5400,625855530…80{1}325110044ГТ405Г0,5400,625855560…150{1}325110044КТ502А0,15250,35251258540…1205101521437КТ502Б0,15250,35251258580…2405101521437КТ502В0,15400,35251258540…1205101521437КТ502Г0,15400,35251258580…2405101521437КТ502Д0,15600,35251258540…1205101521437КТ502Е0,15800,35251258540…1205101521437ВтТ, °С макс,°СТмакс,Uкб,°Сh21Э{Uкэ},BКак определить тип и буквы транзисторов серии КТ502? На боковой поверхностикорпуса транзистора находится жёлтая точка.
Буквенный индекс определяется поцвету точки на торце транзистора. Красная точка – А; жёлтая – Б; зелёная – В;голубая – Г; синяя – Д; белая – Е.97Таблица 5.1.10. Транзисторы n-p-n средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс ≤ 1,5 Вт)низкой частоты (fгр ≤ 3 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.UкэR.макс,Рк.Тп.макс,{Uкэо.макс},макс,АВВтГТ404А0,5250,625855530…801ГТ404Б0,5250,625855560…150ГТ404В0,5400,6258555ГТ404Г0,5400,62585ГТ404Д0,5250,625ГТ404Е0,5250,6ГТ404Ж0,540ГТ404И0,540КТ503А0,15КТ503Бfгр,Rтп-с,мкАМГц°С / Вт325110043132511004330…8013251100435560…1501325110043855530…80132511004325855560…15013251100430,625855530…8013251100430,625855560…1501325110043{25}0,35–125–40…1205{10}15214370,15{25}0,35–125–80…2405{10}1521437КТ503В0,15{40}0,35–125–40…1205{10}1521437КТ503Г0,15{40}0,35–125–80…2405{10}1521437КТ503Д0,15{60}0,35–125–40…1205{10}1521437КТ503Е0,15{80}0,35–125–40…1205{10}1521437°С°Сh21ЭUкб,РисунокIкбо,Т, °С макс,Тмакс,Iэ,B{Iк},мАТранзисторы серии ГТ404 выпускаются в металлическом герметичном корпусе сгибкими выводами.
Имеются два варианта корпусов, рассчитанные на предельнуюмощность 300 мВт и 600 мВт; соответственно масса 2 и 5 г.Как определить тип и буквы транзисторов серии КТ503? На боковой поверхностикорпуса транзистора находится белая точка. Буквенный индекс определяется поцвету точки на торце транзистора. Красная точка – А; жёлтая – Б; зелёная – В;голубая – Г; синяя – Д; белая – Е.98Таблица 5.1.11.
Транзисторы p-n-p средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс ≤ 1,5 Вт)высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.макс,макс,АА2Т313А0,60,72Т313Б0,62Т629АМ-2Uкэо.гр,Uкбо. Uэбо.Рк.макс,макс,макс,{Рмакс},BBВт[50]6051,50,7[50]6051–50502Т632А0,10,35[120]КТ629А1–КТ629АМ-21КТ632БРисунокUкб,Iэ,{Uкэ},{Iк},BмА30…1201010,50,520091,580…3001010,50,520094,5125…801,55000,852504512050,550{10}10,512004640504,5125…15052001,0525047–[50]504,5125…150520015250450,1–[100]–50,530{10}10,81020046КТ644А0,6160605140…120101500,40,120048КТ644Б0,61606051100…300101500,40,120048КТ644В0,6140605140…120101500,40,120048КТ644Г0,61406051100…300101500,40,120048КТ668А0,1–{45}5050,575…140520,31520037КТ668Б0,1–{45}5050,5125…250520,31520037КТ668В0,1–{45}5050,5220…475520,31520037П6070,30,625301,5{1,5}20…80{3}{250}23006049П607А0,30,625301,5{1,5}60…200{3}{250}23006049П6080,30,625301,5{1,5}40…120{3}{250}23009049П608А0,30,625301,5{1,5}80…240{3}{250}23009049П608Б0,30,640501,5{1,5}40…120{3}{250}25009049П6090,30,625301,5{1,5}40…120{3}{250}230012049П609А0,30,625301,5{1,5}80…240{3}{250}230012049П609Б0,30,640501,5{1,5}80…240{3}{250}250012049{Uкэо.макс},[UкэR.макс],Bh21ЭUкэ.нас, Iкбо,Bfгр,мкА МГц99Таблица 5.1.12.
Транзисторы n-p-n средней мощности (0,3 Вт < Рк.макс ≤ 1,5 Вт)высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].Тип прибораПредельные значенияЗначения параметровпараметров при Tп = 25 °Спри Tп = 25 °СIк.Iк.и.UкэR.макс,Uкбо. Uэбо.макс,макс,{Uкэо.гр},макс,макс,ААBBB2Т603А0,30,6303030,52Т603Б0,30,6303032Т603В0,30,615152Т603Г0,30,6152Т603И0,30,62Т608А0,42Т608БIкбо,РисунокUкб,Iэ,Uкэ.{Uкэ},{Iк},нас,BмАB20…8021500,83200500,560…18021500,832005030,520…8021500,83200501530,560…18021500,8320050303030,520…21023501,23200500,8606040,525…805200110200160,40,8606040,550…160520011020016Рк.макс,Втh21Э{IкэR},fгр,[Iкэо],МГцмкАКТ601А0,03–10010020,516{20}10–{500}4016КТ601АМ0,03–10010020,516{20}10–{500}4058КТ603А0,30,6303030,510…80215011020050КТ603Б0,30,6303030,560215011020050КТ603В0,30,6151530,510…8021501520050КТ603Г0,30,6151530,56021501520050КТ603Д0,30,6101030,520…8021501120050КТ603Е0,30,6101030,560…20021501120050КТ605А0,10,225030050,410…4040208[20]4016КТ605АМ0,10,225030050,410…4040208[20]4058КТ605Б0,10,225030050,430…14040208[20]4016КТ605БМ0,10,225030050,430…14040208[20]4058КТ608А0,40,8606040,520…80520011020016КТ608Б0,40,8606040,540…160520011020016КТ630А12{90}12070,840…120{10}{150}0,3{1}5083КТ630Б12{80}12070,880…240{10}{150}0,3{1}5083КТ630В12{100}15070,840…120{10}{150}0,3{1}5083КТ630Г12{60}10070,840…120{10}{150}0,3{1}5083КТ630Д12{50}6070,880…240{10}{150}0,3{1}5083КТ630Е12{50}60–0,8160…480{10}{150}0,3{1}5083КТ645А0,30,6506040,520…20021500,51020051КТ645Б0,30,6404040,5801020,51020051КТ646А11,250604140…20052000,851020048КТ646Б11,2404041150…20052000,851020048КТ620Б––205040,530…1005{200}1520016Транзисторы КТ645 – это высокочастотные малошумящие транзисторы, которыеиспользуют в УНЧ, генераторах, преобразователях частоты, стабилизаторах.100Таблица 5.1.13.
