Отзыв 6 (Нанокомпозиты на основе полупроводниковых оксидов металлов и квантовых точек CdSe для газовых сенсоров)

на автореферат диссертации Чижова Артема Сергеевича "Нанокомпозиты на основе полупроводниковых оксидов металлов и квантовых точек СЖе для газовых сенсоров", представленной на соискание ученой степени кандидата химических наук по специальности 02.00.21 - химия твердого тела" Диссертационная работа Чижова А.С.

посвящена важной и интересной проблеме - созданию резистивных газовых сенсоров. работающих при комнатной температуре, на определенное конкретное вещество - ИО с минимальной затрачиваемой мощностью, что является необходимым в условиях автономной продолжительной работы. В основе работы лежит использование оксидов олова, индия и цинка для резистивных газовых сенсоров на один определенный реагент введением в них фоточувствительных квантовых структур из Свозе. Указанные оксиды давно и широко используются для создания резистивных газовых сенсоров для широкого набора реагентов и в основе их работы лежит предварительная адсорбция кислорода из воздуха при температурах 200-400 'С, захватывающего электроны из оксидного полупроводника и резко повышающего его сопротивление в результате эффекта поля.

При последующей адсорбции из воздуха окисляющегося реагента кислород им отбирается и падение сопротивления полупроводника является реакцией, определяющей чувствительность, Оригинальность и принципиальное отличие данной работы заключается в реагировании на окислитель, каким является ИОз, который адсорбируясь на поверхности полупроводника отбирает из него электроны и повышает сопротивление, что и является реакцией.

Для того чтобы обеспечить достаточную начальную концентрацию элекгронов в оксиде, в него вводится фотопроводник, освещаемый маломощным светодиодом. В соответствии с авторефератом диссертационная работа является хорошо продуманным и тщательно выполненным исследованием, включающим создание квантовых наноразмерных структур из Сг1Яе, отработку технологии создания нанопорошков указанных оксидов, введение в них СЖе и формирование толстопленочных сенсоров. Все аспекты указанных работ достаточно полно представлены в автореферате и дают основание для высокой оценки проделанной работы. Затем следует предварительное исследование фотоэлектрических свойств приготовленных структур с целью выбора цвета светодиода и последующего исследования влияния вначале введения добавочного кислорода и затем 1Ч02.

Показано, что в случае всех трех оксидов наблюдается увеличение чувствительности более чем на порядок с естественным различием в проводимости (сопротивлении) сенсоров трех оксидов. Безусловно, важным является показанная эффективность влияния излучения светодиода на удаление 1МОь с поверхности сенсоров после его удаления из атмосферы. К достоинствам работы можно отнести и показанную разность в параметрах сенсоров в зависимости от выбора мегода стабилизации квантовых точек СЖе.

В последние года резко возрос интерес к использованию квантовых структур (трубок, проволок, нх образований) на основе оксидов рассматриваемых сенсоров. Поэтому и данная работа находится в русле нанонаправления разработок. Важно отметить, что размеры кристаллитов оксидов, по разработанным технологиям лежат в пределах 3-20 нм, что безусловно является важным и похвальным, Исследования периодического воздействия освещения на реакции сенсоров дали дополнительные интересные сведения, в том числе и о воздействии излучения на реакции сенсоров из Яп02 и 1п20з при отсутствии Ссбе, что связывается с возбуждением центров с энергетическими уровнями, лежащими в запрещенной зоне, Следует подчеркнуть высокий уровень проведенных измерений состава и структуры материалов, а также непосредственно реакций сенсоров на современном оборудовании и с привлечением квалифицированных коллег.

Подводя итоги, можно констатировать, что диссертантом созданы макеты новых приборов детектирования МО2, обладающие высокой пороговой чувствительностью (0,2 ррп1) и динамическим диапазоном до 5 ррах с светодиодом, потребляющим мощность порядка 1 мВт. В соответствии с данными автореферата материалы диссертации опубликованы в 11 печатных работах в зарубежных и отечественных журналах, отвечающим требованиям ВАК. Результаты, изложенные в автореферате, позволяют судить, что задачи, поставленные автором, решены полностью.

Работа Чижова Артема Сергеевича является актуальной, выполнена на высоком уровне и отвечает требованиям ВАК РФ, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата химических наук по специальности 02.00.21 - химия твердого тела, а сам соискатель безусловно заслуживает присуждения ему искомой ученой степени. Профессор кафедры Электроники в наноэлектронвкв НИУ доктор технических наук УЛЯЕВ Александр Михайлович 2.ь о1 2~ 1~. Доцент кафедры Электроники и наноэлектроники НИУ кандидат технических наук САРАЧ Ольга Борисовна ФГБОУ ВО «Национальный исследовательский университет «МЭИ» 111250, г. Мо ая, д,14 т.362-75-96 е .Б. заверяю: Подпис Зам.нач управления п БАРАНОВА Е.)О. .