Отзыв на автореферат (Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией)

ОТЗЫВ на автореферат кандидатской диссертации Дагесяна С.А. «Одиозлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией», представленной па соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04,04— «физическая электроника». Диссертация Дагесяна С.А. посвящена разработке высокотемпературных одно электронных транзисторов. Идея разработки одномолекулярных устройств была высказана более полувека назад, а первые экспериментальные работы появились в начале 90- х годов, а одноатомные системы впервые были реализованы в 2004 к Реализация одномолекулярных и одноатомных систем связана с рядом технологических трудностей, таких как создание зазоров между электродами в несколько нанометров, контролируемым внедрением единичных атомов или молекул между электродамн, обеспечение адгезии молекул к поверхности и т.д.

Основной целью работы бьиа разработка лабораторной методики создания одномолекулярных и одноатомных транзисторов, для чего был решен ряд научных задач. Диссертация состоит из четырех глав. Первая глава посвящена описанию основной проблемы и основных методов создания одномолекулярных и одноатомных устройств. Во второй главе описывается процедура изготовления зазоров, измерительная схема и приводятся электрические измерения нанозазоров.

Третья и четвертая главы посвящены измерению электронного транспорта через наночастицы и единичные атомы при разных температурах, В результате выполнения работы был получен ряд новых научных результатов: - разработана уникальная технология изготовления кремниевых нанопроводов„ исследованы электрические характеристики квантового провода при комнатной температуре, - исследованы электрические характеристикинанометровых зазоров, - исследован туннельный транспорт через одиночные золотые наночастицы и др.

После прочтения работы складывается ощущение завершенности, в работе видна логика повествования. Автор принимал участие во всех проведенных экспериментах. Занимался непосредственным изготовлением структур для измерения электрических характеристик, разрабатывал электронную схему для проведения измерений, проводил измерения и давал характеристику полученных результатов. Однако в работе присутствует ряд неясных для меня моментов.

Для чего производили напыление оксида кремния на кремний в две стадии, в то время как можно было взять готовый окнсленный кремний, который является коммерчески доступным и может быть легко получен в лабораторных условиях путем окисления? Помимо этого, не указаны параметры напыления пленок, в частности скорость напыления пленок, ток разряда. Также не приведено детальное описание процедуры имплантации. На каком ускорителе была проведена данная процедура, какая доза имплантации, ускоряющее напряжение? Автор указывает, что при электромиграции происходит изменение кристалличности золотой пленки, возможно, напыление золота при повышенной температуре поможет получить лучшую адгезию и кристалличность, которая не будет меняться в процессе злектромиграции.

По моему мнению, описанные выше замечания не оказывают существенного влияния на полученный результат. Дагесян С.А. проделал большую работу по созданию и исследованию одномолекулярных и одно атомных транзисторов, получен ряд новых результатов, которые привносят дополнительные знания в данную область. Работы автора опубликованы в журналах, индексируемых Всорвз и ЪЧеЬ оГ Яаепсе, результаты апробированы на ряде международных конференций и удовлетворяют требованиям, установленным Положением о присуждении ученых степеней в Московском государственном университете имени М.В, Ломоносова. Старший научный сотрудник Центра по проектированию, производственным технологиям н материалам, Сколковского Института Науки и Технологий к.ф,-м,н. С.А. Евлашин тел.

8-926-372-08-59 адрес 143026, Московская обл.„Москва, улица Нобеля, 3. Подпись С.А. Евлашина подтверждаю .: ~™ Рйаззйяп аь пделд мдРаззгз 14взйзсгявгемйзз у,"./'','~~!',::":"' '.'-""х:-' Р;й=ы-; ц 1 .