Отзыв на автореферат - Лисаченко (Влияние условий синтеза нанокристаллического диоксида титана на природу и параметры спиновых центров)

отзывна автореферат диссертации Ле Николая Тханевича«Влияние условий синтеза нанокристаллического диоксида титана на природу и параметрыспиновых центров», представленной на соискание ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 01.04.10 - физика полупроводников.Диссертационная работа Jle Н.Т.

посвящена исследованию влияния условий синтезананокристаллического диоксида титана на природу и параметры спиновых центров.Благодаря комплексу уникальных свойств многофункциональный диоксид титана по правусчитается материалом XXI-века. Одними из главных направлений его использования являютсяпреобразование солнечной энергии в фотоэлектрическую и химическую, фотокаталитическаяочистка воздушной и водной сред.

Благодаря энергетической электронной структуре ТЮг параэлектрон-дырка позволяет проводить полный цикл окислительно-восстановительных реакций вподавляющем числе систем. Однако для генерации пары необходимо УФ излучение, долякоторого в солнечном спектре не превышает 4%. Сенсибилизация к видимой области позволяет, впринципе, использовать до 50% солнечной энергии. В качестве сенсибилизаторов широкоиспользуют собственные окрашенные дефекты и лиганды.

Поэтому актуальность темыдиссертации в плане фундаментальных исследований и практических приложений не вызываетсомнений.Диссертантом проведен синтез наноструктур на основе ТЮг методами СКФ и золь-зольсинтеза с широким набором параметров наноструктур и концентраций лигандов - азота и хрома.Для исследования основных закономерностей фотоэлектронных процессов с участиемспиновых центров диссертант использован комплекс взаимодополняющих методовхарактеризации и исследования структур, в котором каждым методом решалась конкретнаязадача: ЭПР - анализ природы и свойств спиновых центров, БЭТ - определение удельнойповерхности, ПЭМ - оценка размеров наночастиц, МФП - изучение микроволновойфотопроводимости, СДР (спектроскопия диффузного рассеяния) - оценка коэффициентовпоглощения наноструктур и определение оптической ширины запрещенной зоны.

В работеисследована широкая серия образцов с различным химическим составом и удельнойповерхностью. Постановка и выполнение экспериментов выполнены на высоком уровне.Диссертантом получен ряд важных результатов. Отметим впервые измеренные прикомнатной температуре спиновые центры Ti +/кислородная вакансия в наноструктурах ТЮг,синтезированных методом СКФ, в то время как при синтезе золь-гель методом основным типомдефектов являются Ог’ радикалы. Несомненным успехом диссертанта следует признатьразработку метода оптического сканирования in situ энергетических уровней в запрещенной зонеполупроводниковых наноструктур.

В сочетании с анализом сигналов ЭПР это позволилоопределить положение в запрещенной зоне уровней энергии соответствующих радикалов. Авторустановил, что уровни энергии N* и N0* радикалов в образцах нанокристаллического диоксидатитана, легированного атомами азота, расположены ниже дна зоны проводимости на 2,2 и 2,4 эВсоответственно. Принципиальное значение для разработки теоретических моделей легированияимеет установленный диссертантом факт постоянства ширины запрещенной зоны при изменениисостава и концентрации лигандов, а также размеров наноструктур.

Полученные результатыуказывают на перспективность данного направления для расширения круга исследуемых системв частности, легированных атомами фтора.В качестве замечания по оформлению автореферата следует указать натерминологическую небрежность в подписях к рисункам 1 и 2. Не ясно, в каких единицахизмерены коэффициенты поглощения образцов.Оценивая работу в целом, можно утверждать, что тема исследования несомненноактуальна как для фундаментальной науки, так и для практических приложений, экспериментыоригинальны и выполнены на высоком уровне. Достоверность полученных данных не вызываетсомнений.

Интерпретация результатов и формулировка выводов указывают на высокий уровеньтеоретической подготовки соискателя. Таким образом, выполненная работа представляетзавершенное исследование, имеющее несомненную теоретическую и практическую значимость.Считаю, что диссертационная работа, по результатам рассмотрения автореферата,удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым ВАК РФ, включая пп.9-14 "Положения опорядке присуждения ученых степеней" (постановление Правительства Российской Федерации№842 от 24.09.2013 в редакции 21.04.2016), а ее автор - Ле Николай Тханевич заслуживаетприсуждения искомой ученой степени кандидата физико-математических наук поспециальности 01.04.10 - физика полупроводников.Профессор кафедры фотоникиФизического факультета СПбГУ,д.ф.-м.н., профессорСведения об авторе отзыва:Ф.И.О.: Лисаченко Андрей АндреевичРабочий адрес: 198504, Санкт-Петербург, Петергоф,Ульяновская ул., д.

3, Физический факультет СПбГУТелефон: +7 (812) 428-45-64E-mail: Лисаченко Андрей Андреевич <a.lisachenko@spbu.ru>Должность: Профессор кафедры фотоникиУченая степень, шифр специальности: 01.04.07: Физика конденсированного состоянияПодпись заверяю:„»»ЛИЧНУЮ ПОЛПИСЬ З А В Е Р Я ЙН А Ч А Л Ь Н И К О Т Д Е Л А К А Д Р О В №3Н.И.МАШТЕПАличную п о д п и с ь З А В Е Р Я ЮН А Ч А Л Ь Н И К О Т Д Е Л А К А Д Р О В №3ДОКУМЕНТПОДГОТОВЛЕНПО Л И Ч Н О ЙИНИЦИАТИВЕ.