Отзыв оппонента Барабанова (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием), страница 2

4. Разработан метод для описания процессов релаксации заряда в связанных квантовых точках, взаимодействующих с резервуаром, который учитывает кулоновское н злектронфононное взаимодействие, основанный на применении диаграммной техники Келдыша. 5. Предложен новый метод теоретического описания переходных процессов и особенностей процесса релаксации в связанных квантовых точках, который точно учитыВает кулОновские корреляции локализоВанных в квантоВых точках электроноВ ВО всех порядках по величине взаимодействия.

Прелсказан эффект динамического пленения заряда и обнаружен режим релаксации с резким уменьшением амплитуды н ПОследующнм Восстановлением. Все результаты. представленные в диссертации. являкзтся новыми. Выводы и рекомендации хоропго обоснованы, Личный вклад автора в изложенные в диссертационной работе положения и результаты не вызывает сомнения. Достоверность полученных результатов обеспечивается обоснованностью и логической непротиворечивостью исходных физических представлений и предположений, использованием ряда известных приближений, применяемых в теоретической физике для описания особенностей электронного транспорта в полупроводниковых системах сверхмалых размеров, и новых методов и подходов, разработанных автором, сравнением полученных результатов с теоретическими и экспериментальными результатами дру|их авторов, Результаты, полученные автором, были представлены на российских и международных конференциях и семинарах.

где их досзовсрность проверялась в ходе обсуждений, Научно-праьгическая шиачимост. Выполненные автором исследования содержат новые теоретические подходы и методы, примененные для анализа неравновесных эффектов и особенностей нестщионарного электронного транспорта в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием. совокупность которых является крупным научным достижением в области нестациопарного электронного транспорта в наноструктурах с сильными электронными корреляциями. Практическая значимость работы состоит в развитии методологии теоретического описания существующих и предсказания новых эффектов, возникающих в процессе несгационарного электронного транспорта в неравновесных полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием.

Результаты, полученные в диссертационной работе, применимы в процессе контроля за локальными характеристиками электронного транспорта в полупроводниковых наноструктурах, для конструирования обратимых зарядовых переключателей, элементов динамической памяти и создания нового класса полупроводниковых приборов сверхмалых размеров иа базе ~вязанных квантовых ~~чек — нсаднабатического элект!зонпого насос~.

По диссертаппониой работе имеются следуннпне замечания. !. Теоретические расчеты, изложенные во второй н третьей главах, проведены для случая нулевой температуры. Из текста работы не вполне понятно. можно лн применять предложенные в этих главах модели для описания результатов экспериментальных исследований, которые все| да выполняются прн конечщлх температурах. 2. В четветой и седьмой главах анализ туннсльных и кинетических характеристик полупроводниковых наноструктур с кулоновскими корреляциями выполнен только в Следовало бы обсудить вопрос о возможности применения для анализа электронного транспорта в полупроводниковых ом случае.

3. В пятой главе исследование режимов работы иеадиабатического электронного насоса про~еде~о без учета кулоновского взаимодействия. Выло оы це~е~~~бр~зно пояснить каким образом эффекты связанные с кулоновским взаимодействием, описанные в шестой и седьмой главах, могут повлиять на работу неадиабатнческого электронного насоса. 4. В подписях к рисункам бь1ло бы целссооора:пю использование единоЙ формы ооозначений для отделения составных частей подписей. Указанные замечания не снижают высокого уровня и не влияют на положительную оценку диссертационной работы. Основные результаты диссертационной работы содержатся в 35 публикациях, 18 из которых опубликованы в научных журналах, входяьцих в перечень ВАК.

Публикации представлены в ведущих зарубежных научных журналах, таких как Рйуяса! Кея1ев. В, Во!Ы 81а1е Сотпшшсабопз. Еигореап Рйузьса1 Уоцгпа! В, ЖЭТФ, Письма в ЖЭТФ и других, свидетельствует о высоком научном уровне работ. выполненных автором. В диссертации и в автореферате четко обозначен личный вклад автора. К достоинствам диссертации можно отнести н то, что предложенные методы и подходы описаны в начале каждой главы, что облегчает понимание основных приближений и упроииющих предположений, которые использовал автор в исследованиях. Работа хорошо структурирована, основные научные концепции автора изложены ясно и четко. Следует отметить понятную логическую последовательиосгь в изложении материала. Автореферат в целом отражает основное содержание работы.

На основании всего вышеизложенного можно сделать вывод, что диссертационная работа В.Н. Манцевича является научно-квалификационной работой, в которой на основе проведенных автором исследований разработаны теоретические подходы и методы, которые в совокупности являются крупным научным достижением в области исследования электронного транспорта в полупроводниковых наноструктурах с сильным межчастичным взаимодействием. Диссертация содержит новые научные результаты и положения. Предложенные автором подходы, методы и модели аргументированы. В диссертационной работе содержатся рекомендации ио примененикэ результатов для создания новых типов полупроводниковых приборов твердотельной наноэлектронпки.

Считаю, что диссертационная работа В.Н. Мациевича "Неравповесные эффекты и нестационарный электронный ~ранспорт в полупроводниковых нанострукзурах с Официальный ошюнент— Ведущий научный сотрудник Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РЛН. профессор. д.ф.-м.н, А.Ф.Ьарабацов Ученый секретарь Федерального госуда1зственного бюдзкетного учреждения науки Институт физики.:вь1с давлений им. Л.Ф.

ВсрещаД~на,.рАД,$ -, „ к. ф."м.н. 142190, г. Москва, г. Троицк, Калу!йекое1йоссе, стр. ! 4, телефон: 8 (495) 351-07-34 зл. почта: аЬагаЬфЬК гп Т,В. Валянская воряег всем требованиям ВЛК РФ к ченой степени доктора физикоматемати~ес~и~ наук, а ее автор заслуживает присужде~~~ ему. искомой ученой ~~~~~~и доктора физико-математических наук по специальцости 01.04.10 — «Физика полупроводниковя, .