Отзыв на автореферат - Пархоменко (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием)

на автореферат диссертации Манцсвича Владимира Николаевича на тему «Неравновесныс эффекты н нсстапионарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с мсжчастнчным взаимодействием», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01,04.10 «Физика полупроводников». Одним из основных путей дальнейшего развития твердотельной электроники является создание приборов. построенных на новых принципах, в том числе одноэлектро нных транзисторов, излучателей на Квантовых точках Развиваемые в настоящее время технологические подходы к созданию малоразмерных структур должны позволить контролируемо реализовать квантоворазмерные структуры ~квантовые точки, квантовые нити). Параллельно возникает проблема анализа параметров и исследования физических эффектов наноструктурных объектов, Существующие экспериментальные методы исследования электронных нанообъектов, такие как сканируюгцая зондовая микроскопия, дОлжны быть дОНОлнены соврсменными тсорстичс кими мстОдами, что позволит сугцественно улучшить понимание физических процессов определяющих свойства электронного транспорта в малоразмерных полупроводниковых структурах.

В связи с этим диссертационная работа В.Н. Манцевича, посвященная анализу неравновесных эффектов и особенностей нестационарного электронного транспорта в полупроводниковых квантоворазмерных структурах с сильным межчастичным взаимодействием, является важной и актуальной. Диссертационная работа носит теоретическую направленность. Основными вопросами, рассмотренными в диссертационной работе, явля|отся: создание новых теоретических методов описания переходных и туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах и направление их применения в твердотельной наноэлектронике.

В представленной работе предложен и применен комплексный теоретический подход к описанию неравновесной кинетики, статистических характеристик и особенностей нестационарного электронного транспорта в полупроводниковых наноструктурных объектах с сильным межчастичным взаимодействием: связанных квантовых точках и взаимодействующих примесных атомах. В диссертации разработан ряд методов, описывающих нестационарный электронный транспорт в неравновесных наноструктурных объектах при наличии сильных кулоновских корреляций и установлены электронные свойства таких систем.

Большой интерес представляют предложенные в работе идеи по построению квантово-размерных приооров на базе связанных ~вантовых точек и проведенное определ~ни с параметров электронного транспорта в таких системах. Кроме того. автором предложен и теоретически обоснован метод заселения дискретных состояний энергетического спектра квантовых точек с требуемой энергией перехода, что открывает возможности для управления спектральной полосой фотоотклика квантовых точек. Полученные в работе новые научные результаты имеют важное значение для разработки перспективных приборов опто- и наноэлекгроники.

Публикации и выступления автора на признанных отечественным и мировым научным сообществом форумах подтверждают его высокую квалификацию, научную новизну и актуальность выполненных исследований. В качестве замечаний по работе можно отметить следующее: 1. При описании в автореферате особенностей электронного транспорта в системах связанных квантовых точек не указано, какой реальной геометрии квантовых точек, формируемой в рамках известных технологий микроэлектроники, соответствуют предложенные модели. Это затрудняет оценку обоснованности предположений.

сделанных в работе. 2. В сформулированных в автореферате выводах приведен детальный перечень проведенных автором исследований, что можно было бы сделать более компактно. Заведующий кафедрой полупроводников и диэ (119991, г. Москва, Ленински Пархоменко д.ф.-м.н., профессор Подпись профессора П Данные замечания не влияют на общую высокую оценку представленной диссертационной работы. Судя по материалу, изложенному в автореферате, диссертационная работа Манцевича Владимира Николаевича является законченным исследованием, выполнена на высоком научном уровне, по своей актуальности, научной новизне и практической значимости полученных результатов, соответствует всем требованиям ВАК РФ, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, а ее автор, В.Н. Манцевич, заслуживает присуждения ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01 04 10 «Физика полупроводников».

.