Отзыв на автореферат - Бурдов (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием)

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Манцевича Владимира Николаевича «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием», представленной на соискание ученой степени доктора физико- математических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников Доктор физ.-мат. наук, доцент кафедры теоретической физики ижЪ~Ърддского государственного иввграй~га им. Н.И.

Лобачевского У .ф4'Р' В.А. Бурдов Диссертационная работа В.Н. Манцевича посвящена исследованию особенностей туннельного транспорта в системах, в которых уже непосредственно проявляется дискретность электрического заряда — в частности, в наноразмерных квантовых точках, туннельно связанных с примесными атомами и друг с другом. Важной особенностью проведенного исследования является учет эффектов межэлектронного взаимодействия, которое, как показано автором, в некоторых случаях принципиальным образом меняет результат по сравнению с одноэлекгронной картиной. Работа весьма актуальна и практически значима, поскольку в ней изучаются физические принципы, лежащие в основе действия приборов и устройств современной наноэлектроники, имеющих неуклонную тенденцию к миниатюризации вплоть до нано- и, даже, субнанометровых размеров.

Автором были разработаны оригинальные методы и подходы к решению широкого класса задач неравновесной динамики наносистем с сильными кулоновскими корреляциями. Эти методы позволили получить принципиально новые результаты при расчетах спектральной плотности туннельного тока и локальной туннельной проводимости. Результаты исследований, составивших основу диссертационной работы, были широко представлены в российских и зарубежных научных изданиях и прошли апробацию на российских и международных конференциях и совещаниях, Их достоверность не вызывает сомнений. Насколько можно судить по автореферату, диссертация представляет собой научную работу высокого уровня, в которой содержится решение задач, имеющих существенное значение для полупроводниковой физики.

Полагаю, что автор этой работы, В.Н.Манцевич, заслуживает присуждения ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10— физика полупроводников. .