Отзыв на автореферат - Киреев (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием)

ОТЗЫВ на автореферат диссертации Мациевича Владимира Николаевича ВНеравновесные эффекты п нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых нацоструктурах с межчастичпим взаимодействием», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01Л14.10- "физика полупроводников".

Полупроводниковые технологии, в частности КМОП-технологии с горизонтальными и вертикальными полевыми транзисторными структурами, как прогнозируется в дорожных картах, в ближайшее десятилетие должны достипзуть сВОих физических пределоВ и уступить перВенстВО технологиям, на осноВС атомарных и молекулярных кластерных наноструктур с заданным электронным спекгром.

Эти наноструктуры могут быть успешно интегрированы в полноценно функционнрукицие системы большого масштаба с целью создания материалов, структур, приборов и устройств с качественно новыми характеристиками. Примерами таких наносгруктур являются полупроводниковые квантовые точки или отдельные группы атомов Гкластеры) в полупроводниковой матрице. Ио для успешного технологического внедрения таких наноструктур в массовое производство наноприборов необходимо провести комплекс теоретических и экспериментальных исследований механизмов и процессов электронного транспорта в них Экспериментальная характеризация полупроводниковых наноструктур. проведенная методами электронной, ионной, атомно-силовой и сканируюшей туннельной микроскопии, позволила обнаружить новые явления и эффекты в их электронных свойствах.

причины возникновение которых нельзя объяснить с позиций современной теории. Поэтому предложенные в диссертационной работе В.И. Манцевнча новые теоретические подходы для установления электронных свойств неравновесных наноструктур с сильными корреляциями являются актуальными и представляют как фундаментальный, так и прикладной интерес. В качестве наиболее важных результатов работы следует отметить: 1. Разработку взаимосвязанных методов описания неравновесных эффектов в полупроводниковых наноструктурах и создание теоретических подходов для анализа нестационарного электронного транспорта. 2.

Предсказание на основе разработанных методов новых эффектов, возникаюп1их в полупроводниковых наноструктурах, в частности, что кулоновские корреляции вызывают появление инверсной заселенности и могут приводить к "пленению" заряда и к формированию отрицательной туннельной проводимости. 3. Возможность использования новых эффектов при создании излучателей, диодов и ловушек заряда на основе систем кванговых точек. 4. Возможность использования результатов исследования особенностей, возникающих в спектральной гшотности туннельного тока, в окрестности примесных атомов, для разработки методов, направленных на определение типов примесных атомов и глубины их залегания в полупроводнике.

Иовизна результатов работы подтверждается впервые теоретически обнаруженными эффектами с использованием разработанных автором Доктор технических наук, советник директора Ф1"УП «НИИ Физических проблем / нм. Ф.В. Лукина» В.Ю, Киреев 124460, г.Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 6; 3-499-731-55-92: ~а1еп! !ген!й)пии! хп Подпись Киреева В.Ю. удостове ° Ь'Директор ФГУП «НИИ Физичес 44„ проблем им.Ф.В. Лукина», к.ф- взаимосвязанных методов описания неравновесных эффектов в полупроводниковых наноструктурах и анализа нестационарного электронного транспорта.

Приведенный перечень публикаций по теме диссертационной работы показывает высокий научный уровень и активность автора. Обоснованность и достоверность работы определяются использованием современных методов теоретической физики, коррекгносзъю постановки задачи, адекватностью применяемых математических моделей, а также сравнением с данными опубликованных экспериментальных работ. Практическая цени осгь результатов работы заключается в возможности использования обнаруженных новых эффектов при создании излучателей„диодов и лову щек заряда на основе систем квантовых точек и разработки методики определение типов примесных атомов и глубины их залегания в полупроводнике.

Основное замечание по содержанию автореферата - это отсутствие в нем ссылок и данных об экспериментальном подтверждении предложенных автором теорий и моделей, а также обнаруженных им теоретически новых эффектах. Хотя словесно такое упоминание несколько раз делается. Основное замечание к оформлению автореферата - это разнобой в обозначении номеров рисунков в тексте автореферата в трех вариантах: рис.1а на стр.

13; рис. За на стр. 15; и рисунок 10 на стр. 26. Однако указанные замечания не снижает общего высокого уровня представленной диссертационной работы Манцевича В.Н., которая вносит существенный вклад в знания о нестационарном электронном транспорте в неравновесных наноструитурах с межчастичными корреляциями и обладает несомненной научной новизной. Диссертационная работа соответствует всем требованиям ВАК, предъявляемым к докторским диссертациям, а ее автор, Манцевич В.Н., безусловно, заслуживает присуждения ему ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 - "физика полупроводников". .