Отзыв на автореферат - Жуков (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием)

РаМи!1а1 Рпуай Ехрепп7еп1ейе Рйуз1К 2 иппппе и!ъ' е па 0 ее~па ~ ех~ Ряб .";" ~ и ~422$ пппыпа Ргог. Ог. Екявпу Епихок Око.иаап-ФБ 4 О.44227 СОФпипа те)еапп Раа 0231 75»3074 еппп аепапт,еппом3пав2423пщпп«пе ж1а~пе~ ж;ае и а».епа и аппп,пе 01епмэеьааде/ваап« Рп74«! Рп02-320 0ог1гпипд, 15 Зер1етЬег 2014 Диссертационный совет Д 501.001.70 Ученому секретарю Плотникову Г,С. отзыв на автореферат диссертации Манцевича В. Н. «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием», представленной к защите на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10- «Физика полупроводников». Диссертационная работа Манцевича В,Н. посвящена - теоретическому анализу механизмов электронного туннелирования и релаксации зарядовой плотности в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием и установлению электронных свойств неравновесных коррелирова нных наноструктур.

Роль таких наноструктур и элементов на их основе в современных нанотехнологиях велика и постоянно возрастает, поэтому предмет исследований актуален, как с точки зрения исследования их фундаментальных свойств, так и с точки зрения их практического применения. Наличие сильных межчастичных корреляций в полупроводниковых наноструктурах приводит к целому ряду явлений, позволяющих использовать ансамбли квантовых точек и взаимодействующие примесные атомы, для создания на их основе принципиально новых типов приборов нанозлектроники, в частности устройств динамической памяти, микросенсоров, усилителей и излучателей, Особо следует отметить предсказаную в работе возможность использования связанных квантовых точек для создания нового класса перспективных полупроводниковых приборов, основанного на протекании нестационарного туннельного тока.

В автореферате четко сформулирована цель и обоснована актуальность темы исследования, сформулированы новые оригинальные результаты, полученные автором диссертации, показана их научная и практическая значимость. В первую очередь работа привлекает внимание комплексным подходом в решении поставленных задач. Автором предложен ряд новых взаимосвязанных теоретических методов, позволивших установить новые электронные свойства неравновесных полупроводниковых наноструктур с межчастичны ми корреляциями. В частности, разработанный автором подход для описания процессов туннелирования сильно коррелированных многоуровневых систем, позволил выполнить точный учет кулоновских корреляций локализованных электронов для конечного значения величины кулоновского взаимодействия, сравнимого с расстоянием между уровнями энергии, Применение данного подхода позволило его автору объяснить ряд явлений, наблюдаемых в процессе экспериментальных исследований электронного транспорта в наноструктурах (отрицательная туннельная проводимость, пространственное перераспределение заряда).

Диссертация содержит целый ряд новых интересных результатов, среди которых особо следует отметить развитый автором метод аналитического и численного описания релаксации зарядовой плотности в полупроводниковых наноструктурах с кулоновскими корреляциями и электрон-фононным взаимодействием, который позволяет анализировать особенности переходных процессов в системах связанных квантовых точек. К некоторым недостаткам работы следует отнести имеющиеся в автореферате неясности, обусловленные краткостью изложения результатов диссертации. Тем не менее, общая оценка работы несомненно положительная. Теоретический результаты оригинальны, выполнены на высоком уровне.

Не вызывает сомнений надежность полученных результатов и выводов из них. Диссертация основана на результатах, достаточно полно опубликованных в высокорейтинговых отечественных и зарубежных журналах. Основные результаты и положения, выносимые на защиту, неоднократно обсуждались на конференциях и хорошо известны специалистам. Автореферат диссертации раскрывает содержание работы.

Широкий спектр исследований и значительный обьем полученных в диссертации результатов, актуальность тематики, несомненная научная новизна и практическая значимость результатов исследований дают нам основание утверждать, что диссертационная работа Манцевича В.Н. «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием» соответствует всем требованиям ВАК РФ, предъявляемым к докторским диссертациям, а ее автор, Владимир Николаевич Манцевич, заслуживает присуждения искомои ученой степени доктора физикоматематических наук по специальности 01.04.10 — физика полупроводников. Научный сотрудник Физического факультета Технического университета г.

Дортмунд (Германия) (Ехрегкпеп(ейе Рпуз)к П, РаспЬеге~сп Рпуз)к„,-. Тесппгвспе ()пйегвйа1 Оогьпипс)) Е.А. Жуков $ теспп18с)те ып)чегв!тат 1 «3 г)огтгп~пб рзхонз; Рвузкк В-с4221 Дог;,'пс'и .