Отзыв на автореферат - Булатов (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием)

на автореферат диссертационной работы Манцевича Владимира Николаевича «Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием», представленной на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности «01.04.10 - физика полупроводников».

В и~~то~шее время одним нз наиболее а~~ив~~ развивающихся и переловы~ направлений науки является исследование физических процессов, происходящих в микро- и наноструктурах и системах пониженной размерности. Современные полупроводниковые технологии позволяют не только получать твердотельные наноструктуры с требуемьгми электронными свойствами 1сверхрещетки, системы с квантовыми ямами, проволоками и точками), но и дакзт возможность создавать на их основе новые наноструктурированные материалы со свойствамн, многократно превосходящими свойства объемных материалов. Исследования в этой области науки активно проводятся в экспериментальном и теоретическом направлениях.

Одним из основных и наиболее совершенных экспериментальных методов исследования кинетических н статистических характеристик структур с пониженной размерностью, свойств полупроводниковых и металлических поверхностей, а также взаимодействующих и изолированных прнмесных состояний является метод сканирующей зондовой микроскопии. Теоретическое описание электронной кинетики в коррелированных наноматерналах является сложной и актуальной задачей, так как свойства электронного транспорта напрямую зависят от структуры и геометрии рассматриваемой системы.

Установление механизмов электронного транспорта, а также выявление электронных свойств неравновесных наноструктур с сильными корреляциями, выполненные в диссертационной работе В.Н. Манцевича, безусловно являются актуальными и представляют значительный научный и практический интерес, В представленной диссертационной работе предложен комплексный теоретический подход к описанию статистических характеристик, особенностей неравновесной кинетики и нестационарных эффектов прн электронном транспорте через сильно коррелированные полупроводниковые наноструктуры.

Он включает детальное исследование роли межчастичных корреляций в формировании электронных свойств неравновесных наноструктур, Оригинальная часть диссертационной работы начинается с изучения локальной туннельной проводимости на поверхности полупроводников в окрестности примесных атомов и низкоразмерных структур и исследования особенностей в спектре туннельного тока, связанных с наличием в области туннельного контакта прнмесных атомов, Предложены теоретические модели, позволившие описать влияние различных примесных атомов на статистические характеристики электронного транспорта и на локальную структуру электронной плотности состяний.

Представленные результаты имеют важное практическое значение и могут быть использованы при создании метода ш кйп диагностики типов прнмесных атомов и их зарядовых состояний в полупроводниковой матрице. Далее автором предложен н~~ыЙ ~стол, позволяющий анализировать особенности электронного транспорта и туннельные характеристики в сильно коррелированных электронных системах с несколькими уровнями энергии 1сильно взаимодействующие квантовые точки или примесиые атомы) и точно учитывающий кулоновские корреляции локализованных электронов. Использование этого метода показало, что кулоновские корреляции могут приводить к появлению областей с отрицательной ту ннельной проводимостью и к формированию инверсной заселенности в наноструктурах.

Полученные в этом разделе диссертационной работы новые результаты имеют существенное значение для разработки на основе взаимодействующих квантовых точек или примесных комплексов диодов и излучателей, генерирующих импульсы заданной частоты. В заключительной части диссертационной работы автор приводит разработанные им новые подходы, которые позволили изучить особенности релаксации заряда в связанных квантовых точках„взаимодействующих с резервуаром, при наличии кулоновских корреляций н элект1эон-фононного взаимодействия. Предложенные ме~~д~ описания нестационарного электронного транспорта позволили предсказать ряд новых эффектов, которые могут иметь важное значение для перспективных приборов наноэлектроникизарядовых переключателей и элементов динамической памяти. В качестве замечаний по автореферату следует отметить: 1.

В тексте автореферата указаны ссылки на опубликование литературные данные, в которых приведены параметры и составы квантовых точек. Бьщо бы целесообразно указать эти данные в явном виде в тексте автореферата. 2. В работе предложена теоретическая модель, которая позволила объяснить результаты экспериментальных исследований низкочастотной составляющей спектральной плотности туннельного тока, проведенные методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии. При этом из текста автореферата не ясно над поверхностью каких полупроводниковых материалов проводились экспериментальные измерения, Основные результаты диссертационной работы неоднократно докладывались на российских и международных конференциях, опубликованы в ведущих научных журналах. Автореферат диссертации написан в соответствии с общепринятыми стандартами и правилами.

Несмотря на приведенные по автореферату замечания, в целом диссертационная работа представляет законченное научное исследование, результаты которого являются новым крупным научным достижением и имеют значительный практический интерес. Диссертационная работа отвечает всем требованиям БАК РФ, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени докгора физико-математических наук по специальности 01.04,10 - "физика полупроводников". Автор диссертации В.Н.

Манцевич заслуживает присуждения ему ученой степени доктора физико-математических наук. ДщФктор ОАО Государственный научно исследовательский и проектнный институт редкометаллической пр<эмышленности «Гиредмет)> д,ф,-м.и., профессор -'н *.: Тирвдмб< 119017, г.Москва, Б.Толмачевский пер., дом 5,~ку.,'1 Тел. +7<495) 9813010: е-ща11:Ьц1а1о~лпф)й1ге<1щИ:;''ц':,,:: <7< Подпись Булат9йй М.Ф.

заверяя~, у'" .