Диссертация (Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием), страница 57
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием". PDF-файл из архива "Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 57 страницы из PDF
Z., Rumyantsev S. L., Teweldebrhan D., Shahil K. M.,Shur M., Balandin A. 1/f noise in conducting channels of topologicalinsulator materials // Phys. Status Solidi. 2011. Vol. A208, no. 1. Pp. 144146.50.Flinn I. Extent of the 1/f noise spectrum // Nature. 1968. Vol. 219.
Pp. 13561357.51.Voss R., Clarke J. 1/f noise in music and speech // Nature. 1975. Vol. 258. Pp. 317318.52.Gilden D., Thornton T., Mallon M. 1/f noise in music and speech //Science. 1995. Vol. 267. Pp. 18371839.53.Schoelkopf R., Wahlgren P., Kozhevnikov A., Desling P., Prober D. 1/fnoise in music and speech // Science. 1998.
Vol. 280. Pp. 12381242.54.Weissman M. B. 1/f noise and other slow, nonexponential kinetics incondensed matter // Rev. Mod. Phys. 1988. Vol. 60, no. 2. Pp. 537571.31455.Rogers C. T., Buhrman R. A. Composition of 1/f Noise in MetalInsulator-Metal Tunnel Junctions // Phys. Rev. Lett.
1984. Vol. 53,no. 13. Pp. 12721275.56.Dutta P., Horn P. M. Low-frequency uctuations in solids: 1/f noise //Rev. Mod. Phys. 1981. Vol. 53, no. 3. Pp. 497516.57.Alers G. B., Weissman M. B. Mechanical relaxations and 1/ f noise in Bi,Nb, and Fe lms // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44, no.
14. Pp. 71927201.58.Ralls K. S., Ralph D. C., Buhrman R. A. Individual-defect electromigration in metal nanobridges // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40, no. 17. Pp. 1156111570.59.Fermi-edge singularity in resonant tunneling / A. K. Geim, P. C. Main,N. La Scala, L. Eaves, T. J. Foster, P.
H. Beton, J. W. Sakai, F. W. Sheard,M. Henini et al. // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72, no. 13. Pp. 20612064.60.Sah C. T., Hielscher F. H. Evidence of the surface origin of thePhys. Rev. Lett. 1966. Vol. 17, no. 18. Pp. 956958.61.Celasco M., Fiorillo F., Masoero A. Comment on f1 noise and its temperature dependence in silver and copper // Phys. Rev. B. 1979. Vol.
19,no. 2. Pp. 13041306.62.Fleetwood D. M., Masden J. T., Giordano N. f1 noise in platinum lmsand ultrathin platinum wires: Evidence for a common, bulk origin // Phys.Rev. Lett. 1983. Vol. 50, no. 6. Pp. 450453.63.Zimmerman N. M., Scoeld J. H., Mantese J.
V., Webb W. W. Volumeversus surface origin of 1/f noise in metals // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 34, no. 2. Pp. 773777.64.Aleshkin V. Y., Reggiani L. Electron transport and shot noise in doublebarrier resonant diodes: The role of Pauli and Coulomb correlations //Phys. Rev.
B. 2001. Vol. 64, no. 24. P. 245333.65.Matveev K. A., Larkin A. I. Interaction-induced threshold singularities intunneling via localized levels // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 46, no. 23. Pp. 1533715347.1fnoise //31566.Mahan G. D. Excitons in Degenerate Semiconductors // Phys. Rev. 1967. Vol.
153, no. 3. Pp. 882889.67.Keldysh L. V. Diagram technique for nonequilibrium processes // Sov.Phys. JETP. 1965. Vol. 20, no. 4. Pp. 10181030.68.Asenov A. Random dopant induced threshold voltage lowering and uctuations in sub 50 nm mosfets: a statistical 3d atomistic simulation study //Nanotechnology.
1999. Vol. 10. Pp. 153158.69.Kane B. A silicon-based nuclear spin quantum computer // Nature. 1998. Vol. 393. Pp. 133137.70.Hollenberg L. C. L., Greentree A. D., Fowler A. G., Wellard C. J. Twodimensional architectures for donor-based quantum computing // Phys.Rev. B. 2006. Vol. 74, no. 4. P.
045311.71.Hamid E., Moraru D., Kuzuya Y., Mizuno T., Anh L. T., Mizuta H.,Tabe M. Electron-tunneling operation of single-donor-atom transistors atelevated temperatures // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 87. P. 085420.72.Transport spectroscopy of single phosphorus donors in a silicon nanoscaletransistor / K.
Y. Tan, K. W. Chan, M. Mottonen, A. Morello, C. Yang,J. v. Donkelaar, A. Alves, J.-M. Pirkkalainen, D. N. Jamieson et al. //Nano Lett. 2010. Vol. 10. Pp. 1115.73.Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. 1982. Vol. 55, no. 6. Pp. 726735.74.Âîëüô . . Ïðèíöèïû ýëåêòðîííîé òóííåëüíîé ñïåêòðîñêîïèè. Êèåâ:Íàóêîâà Äóìêà, 1990. 453 ñ.75.Ebert P. Nano-scale properties of defects in compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. Rep. 1999. Vol.
33. Pp. 121303.76.Tromp M. Spectroscopy with the scanning tunneling microscope: a criticalreview // Condens. Matter. 1989. Vol. 1. Pp. 1021110228.77.Lang N. D. Spectroscopy of single atoms in the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 34. Pp. 59475958.31678.Zheng J.
F., Liu X., Newman N., Weber E. R., Ogletree D. F.,Salmeron M. Scanning tunneling microscopy studies of Si donors (siGa )in GaAs // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72, no. 10. Pp. 14901493.79.Ebert P., Zhang T., Kluge F., Simon M., Zhang Z., Urban K. Importanceof Many-Body eects in the Clustering of Charged Zn dopant atoms inGaAs // Phys. Rev. Lett. 1999.
Vol. 83, no. 4. Pp. 757760.80.Zheng J. F., Salmeron M., Weber E. R. Empty state and lled state imageof (ZnG a) acceptor in GaAs studied by scanning tunneling micposcope //Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. Pp. 18361838.81.Wang J., Arias T. A., Joannopoulos J. D., Turner G. W., Alerhand O. L.Scanning-tunneling-microscopy signatures and chemical identications ofthe (110) surface of Si-doped GaAs // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47,no.
16. Pp. 1032610334.82.van der Wielen M. C., van Roij A. J., van Kempen H. Direct Observationof Friedel Oscillations around Incorporated SiGa Dopants in GaAs byLow-Temperature Scanning Tunneling Microscopy // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76, no. 7. Pp. 10751078.83.Marczinowski M. C., Wiebe J., Tang J. M., Flatte M. E., Meier F., Morgenstern M., Wiesendanger R. Local electronic structure near Mn acceptors in InAs: surface-induced symmetry breaking and coupling to hoststates // Phys.
Rev. Lett. 2007. Vol. 99. P. 157202.84.Loth S.and Wenderoth M., Ulbrich R. G. Asymmetry of acceptor wavefunctions caused by surface-related strain and electric eld in InAs //Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 115334.85.Marczinowski M. C., Wiebe J., Hashimoto K., Meier, Wiesendanger R.Eect of charge manipulation on scanning tunneling spectra of single Mnacceptors in InAs // Phys. Rev. B.
2008. Vol. 77. P. 115318.86.Kanisawa K., Butcher M. J., Tokura Y., Yamaguchi H., Hirayama Y.Local Density of States in Zero-Dimensional Semiconductor Structures //Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87, no. 19. P. 196804.31787.Meyer C., Klijn J., Morgenstern M., Wiesendanger R. Direct Measurement of the Local Density of States of a Disordered One-DimensionalConductor // Phys. Rev. Lett.
2003. Vol. 91, no. 7. P. 076803.88.Suzuki K., Kanisawa K., Janer C., Perraud S., Takashina K., Fujisawa T., Hirayama Y. Spatial imaging of two-dimensional electronic statesin semiconductor quantum wells // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 98. P. 136802.89.Madhavan V., Chen W., Jamneala T., Crommie M.
F., Wingreen N. S.Local spectroscopy of a Kondo impurity: Co on Au(111) // Phys. Rev.B. 2001. Vol. 64, no. 16. P. 165412.90.Dombrowski R., Wittneven C., Morgenstern M., Wiesendanger R. Landau level quantization measured by scanning tunneling spectroscopy onn-InAs (110) // Physica Status Solidi B. 1998. Vol. 210, no. 2. Pp. 845851.91.Ingleseld J., Boon M. H., Crampin S.
Nature of Friedel oscillationsaround Si dopants in the GaAs (110) accumulation layer // Condens.Matter. 2001. Vol. 12. Pp. L489L496.92.Depuydt A., Van Haesendonck C., Maslova N. S., Panov V. I., Savinov S. V., Arseev P. I. Scanning tunneling microscopy and spectroscopyat low temperatures of the (110) surface of Te-doped GaAs single crystals // Phys.
Rev. B. 1999. Vol. 60, no. 4. Pp. 26192626.93.Mahieu G., Grandidier B., Deresmes D., Nys J. P., Stievenard D.,Ebert P. Direct Evidence for Shallow Acceptor States with Nonspherical Symmetry in GaAs // Phys. Rev. Lett. 2005. Vol. 94, no.
2. P. 026407.94.Sullivan J. M., Boishin G. I., Whitman L. J., Hanbicki A. T.,Jonker B. T., Erwin S. C. Cross-sectional scanning tunneling microscopyof Mn-doped GaAs: Theory and experiment // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68, no. 23. P. 235324.95.Lu J. Q., Johnson H. T., Dasika V. D., Goldman R. S. Moments-basedtight-binding calculations of local electronic structure in InAs/GaAs quan-318tum dots for comparison to experimental measurements // Appl. Phys.Lett. 2006. Vol. 88, no. 5. Pp. 13.96.Sellier H., Lansbergen G. P., Caro J., Rogge S., Collaert N., Ferain I.,Jurczak M., Biesemans S. Transport spectroscopy of a single dopant ina gated silicon nanowire // Phys. Rev. Lett.
2006. Vol. 97, no. 20. P. 206805.97.Calvet L. E., Snyder J. P., Wernsdorfer W. Excited-state spectroscopyof single Pt atoms in Si // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 78, no. 19. P. 195309.98.Calvet L. E., Wheeler R. G., Reed M. A. Observation of the linear starkeect in a single acceptor in Si // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol.
