2-331-1399893766-12.-printsipialnaya_skhema_protsessa_plazmo-khimiche (Принципиальная схема процесса плазмо-химического травления, достоинства и)

12. Принципиальная схема процесса плазмо-химического травления, достоинства и недостаткиСхема вакуумной камеры диодного типадля плазмохимического травлениянепосредственно в плазме1 — подача рабочего газа2 — вакуумная камера3 — электрод4 — откачной патрубок5 — пластина (подложка)6 — подложкодержатель7 — изоляционное покрытиеСхемавакуумнойкамерыдлярадикальногоплазмохимического травления1 — кварцевая камера; 2 — перфорированный цилиндр; 3 —кассета с пластинами (подложками);4 — ВЧ-индуктор; 5 —подача рабочего газа; 6 — откачной патрубокПреимущества:- минимальные размеры структуры – порядка 2 мкм.

Зазоры между электродами – до 1 мкм;- полная независимость от ориентации кристалла;- глубокое травление с большим аспектным отношением ширины структуры к её толщине.- высокая скорость по сравнению с ионным травлением- травление проводится при существенно меньших температурах (100–300 °С) по сравнению с обычнымгазовым травлениемНедостатки:- дорогое оборудование, требуется высококвалифицированный персонал;- повышенные требования к чистоте процесса;- медленный многооперационный метод, требующий отладки процесса.- наличие боковой скорости травления- ограниченное количество соединений для получения в плазме химически активных частиц,обеспечивающих образование летучих веществ- сложность химических реакций, протекающих в плазме и на обрабатываемой поверхности.