2-330-1399893727-11.-printsipialnaya_skhema_protsessa_ionno-luchevogo (Принципиальная схема процесса ионно-лучевого травления, достоинства и)
Описание файла
PDF-файл из архива "Принципиальная схема процесса ионно-лучевого травления, достоинства и", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "специальные предметы" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "специальные предметы" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
11. А Принципиальная схема процесса ионно-лучевого травления, достоинства инедостатки.D420 – Ионное осаждение.Ионно-лучевой источник с горячим катодом: 1 – электромагнит, 2 – термокатод, 3 – анод, 4– рабочая камера, 5 – подложка.К материалам маски при ионном травлении предъявляются следующие требования:высокая разрешающая способность; термостойкость; минимальная скорость травленияпо отношению к скорости травления слоя.Общая часть из предыдущего.Особенности ионного травления:• Универсальность, возможно очищать от любых загрязнений поверхности любыхматериалов.• Низкая избирательность травления различных материалов из-за чисто физическогомезанизма процесса распыления, это затрудняет локальную обработку, так какматериал маски тоже травится.Достоинства ионного травления:• Приимущ.
Травление в направлении нормали к поверхности, что обеспечиваетхорошие результаты при локальной обработке, так как практически отсутсвуетбоковая составляющая скорости травленяи.• Безынерциальность, процесс травления прекращается сразу же после снятия собразцов потенциала.Недостатки ионного травления.• Низкие скорости травления (0.1-1нм/с)• Значительные радиационные воздействия, вызывающие разрушение контактныхмасок, деградацию электрофиз параметров структур и необходимость охлажденияобразцов при травлении..