Отзыв первого оппонента (Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники)
Описание файла
Файл "Отзыв первого оппонента" внутри архива находится в следующих папках: Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники, Документы. PDF-файл из архива "Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерных дихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзывофициального оппонента на диссертацию Лаврова Сергея Дмитриевича«Нелинейно-оптическая и люминесцентная диагностика двумерныхдихалькогенидов переходных металлов и упорядоченных доменных структурниобата лития при создании устройств нано- и оптоэлектроники»,представленную на соискание ученой степени кандидата физикоматематических наук по специальности 05.27.01 «Твердотельнаяэлектроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника,приборы на квантовых эффектах»Диссертация Лаврова Сергея Дмитриевича посвящена исследованиюоптическихсвойствполупроводниковых двумерныхграфеноподобныхструктур и микродоменных упорядоченных структур сегнетоэлектриков.Исследуемыематериалывдиссертационнойработепредставленыдихалькогенидами переходных металлов (ДПМ) и ниобатом лития (НЛ).Данные материалы являются перспективными для создания новых устройствоптоэлектроники.
В настоящее время происходит интенсивное развитиетехнологийпосозданиюэффективныхсолнечныхэлементов,фотодетекторов, транзисторов, сенсоров газа и др., где в качестве основногофункциональногоэлементаиспользуютсяслоиДПМи генераторовгармоник, преобразователей оптических частот, оптических модуляторов идр., где в качестве основного функционального элемента используютсяупорядоченные микродоменные структуры НЛ.Исследования свойств и характеристик этих материалов и структурвыполнялось при помощи комбинации таких экспериментальных методиккак атомно-силовая микроскопия, конфокальная микроскопия, нелинейнооптическая микроскопия, люминесцентная спектроскопия.
Использованиетакой комбинации позволило повысить общую эффективность методик ипровести исследование новых эффектов и сделать предположение об ихприроде.Диссертант уделяет особое внимание в своей работы различныминтерференционным эффектам, возникающим в слоях ДПМ и доменах НЛ итакже предлагает ряд теоретических моделей, позволяющих оценитьинтенсивность нелинейно-оптических процессов, происходящих в данныхструктурах.Актуальностьпредложеннымвдиссертационнойнейработытехнологическимобуславливаетсяалгоритмомпотакжесозданиювысокоэффективных фотодетекторов на основе однослойных M0 S2, выборкаи контроль характеристик которых также выполнялась с использованиемпредложенной в работе неразрушающей комплексной методики оптическойдиагностики.Диссертация состоит из введения, пяти разделов, выводов и спискацитируемой литературы, включающего 179 наименований.
Первая главадиссертационной работы представляет собой литературный обзор поперспективнымграфеноподобнымматериалам-дихалькогенидампереходных металлов (ДПМ) и микро доменным структурам LiNbCb. Вовторой главе приведены основные экспериментальные техники исследованияуказанных материалов.
В третьей главе описаны экспериментальные итеоретические результаты исследования свойств моноатомных слоёв MoS2. Вчетвертой главе исследуются объёмные свойства микродоменных структурLiNbC>3. В пятой главе описывается процесс создания высокоэффективногофотоприёмника на основе монослойного MoS2.Диссертация изложена на 150 страницах и включает 46 иллюстраций и3 таблицы.В ходе выполнения диссертационной работы автором полученыследующие новые и наиболее интересные результаты:• В двумерных кристаллитах ДПМ обнаружены новые эффекты враспределении сигнала второй оптической гармоники по поверхностиисследуемых кристаллитов, выражающиеся в усилении или ослабленииинтенсивности сигнала второй оптической гармоники.
Приведено такжеобъяснение данных эффектов, заключающееся в возникновении искривлениязапрещенных зон на краях кристаллитов.• Разработанатеоретическаямодель,позволяющаяучитыватьинтерференционные эффекты, возникающие в структуре ДПМ на подложкеSi/Si02. Проведено сравнение данной модели с экспериментальнымирезультатами.• Предложеналгоритмвысокоэффективногопроизводственногофотодетектораисциклаегодлясозданияпомощьюсозданэкспериментальный образец фотодетектора, использующего в качествефункционального элемента монослойный MoS2.• Спомощьюметодикинелинейно-оптическойконфокальноймикроскопии осуществлён анализ объёмных свойств доменных структур,полученных при помощи локального облучения электронным пучком всегнетоэлектрических кристаллах НЛ.• Предложенатеоретическаямодель,позволяющаяопределитьизменение толщины микродоменных структур в кристаллах НЛ при помощинелинейно-оптической конфокальной микроскопии.Практическаяразработкеценность диссертационной работы заключаетсянеразрушающиханализироватьоптическихметодик,свойства и параметры двумерныхвпозволяющихполупроводниковыхструктур, применяющихся в устройствах фотовольтаики, а также вразработке методик оценки объёмных параметров микро-доменных структурв сегнетоэлектриках.
Представлены также основные этапы технологическогопроцессасозданиявысокочувствительногофотодетекторанаосновемонослойного MoS2.Обоснованность и достоверность представленных в диссертационнойработенаучныхкачественнымположений,соответствиемвыводови заключенийпредставленныхподтверждаетсяэкспериментальныхрезультатов и теоретических моделей.По диссертационной работе можно сделать следующие замечания:1. В рисунках 13, 14 и 15 надписи сделаны на английском языке.2. Недостаточное внимание в литературном обзоре (1 глава) уделеноустройствам на основе комбинации ДПМ различного состава и графена,которые обладают рядом перспективных характеристик (увеличеннойподвижностью зарядов, высоким быстродействием и т.д.).3.
Для более точного и аккуратного описания политипизма ДПМ в,представленных экспериментальных исследованиях в разделе 3.4, авторомработы следовало бы использовать дополнительно метод рамановскоймикроскопии.4. В работе не проведена оценка некоторых объёмных параметровдоменных структур НЛ. Так, в ней подробно описано изменение шириныдомена по его длине, но при этом не говорится о форме отдельныхдоменных структур в направлении, перпендикулярном их длине и обизменении глубины залегания доменов.Указанные недостатки не сказываются на общей положительнойоценке диссертационной работы.Содержаниедиссертациисоответствуетспециальности05.27.01«Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- инаноэлектроника,приборынаквантовыхэффектах».Авторефератдиссертации соответствует ее содержанию и адекватно отражает полученныерезультаты.Диссертация Лаврова С.Д.
«Нелинейно-оптическая и люминесцентнаядиагностикадвумерныхдихалькогенидовпереходныхметалловиупорядоченных доменных структур ниобата лития при создании устройствнано- и оптоэлектроники» по актуальности, новизне, масштабу проведенныхв ней исследований и по совокупности полученных результатов отвечаеткритериям п. 9 и другим требованиям «Положения о порядке присужденияученых степеней» ВАК Минобрнауки РФ, утвержденного постановлениемПравительства Российской Федерации от 24.09.2013 N 842, предъявляемым ккандидатскимдиссертациям.Автордиссертации,ЛавровСергейДмитриевич,несомненно,заслуживаетприсужденияученойстепеникандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- инаноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.Официальный оппонент,доктор физико-математических наук,профессоркафедрыэкспериментальнойфизикиВоронежскогогосударственного университетаСидоркин Александр СтепановичАдрес: 394018, Россия, г.
Воронеж, Университетская площадь, д. 1Тел.:+7 (473)220-75-21e-mail: sidorkin@phys.vsu.ruXфедеральное государственное бюджетное1разовательное учреждение высшего образования«Воронежский государственный университет»^(ФГБОУ ВО «ВГУ»)ЖЩ1_подпись, расш иф ровка подписиИОг~с.