Отзыв оппонента 1 (Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц)
Описание файла
Файл "Отзыв оппонента 1" внутри архива находится в следующих папках: Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц, Документы. PDF-файл из архива "Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзыв официального оппонента, доктора технических наук, профессора, начальника научно-исследовательского отдела 48 ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московский технический университет связи и информатики ~МТУСИ), Лджемова Сергея Сергеевича на диссертационную работу Крапухина Дмитрия Владимировича "Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц", представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Диссертационная работа посвящена разработке малошумя щего усилителя (МШУ) со встроенной антенной на нитриде галлия на подложке сапфира.
Для решения поставленной задачи было необходимо решить ряд научных технологических задач. Представленная диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Во введении обоснована актуальность тематики диссертации, сформулированы постановка задачи и основные цели работы, научная новизна и практическая значимость, приведены положения, выносимые на защиту. В Главе 1 рассматриваются полупроводниковые материалы и приводится обзор существующих разработок малошумящих усилителей, сравниваются способы их построения, достигнутые характеристики, используемые материалы. Отдельно рассмотрено создание встроенных антенн. В 1"лаве 2 описана разработка малошумящего усилителя и встроенной антенны.
Обоснована необходимость использования на нитриде галлия на подложке сапфира конструкторско-технологического решения создания заземляющей плоскости на лицевой поверхности пластины со сквозными отверстиями через слой фотолака. Изготовлены и исследованы транзисторы с использованием данного решения, по результатам которых построены модели транзисторов в диапазоне частот от 0 до 67 ГГц.
Построенные модели использованы при создании принципиальной схемы, по которой создана топология МШУ и проведен ее полный зле ктроди нами ческий расчет. Рассчитана встроенная приемная антенна, которая изготавливается в едином технологическом цикле с МШУ. В Главе 3 описаны результаты исследований пассивных элементов и антенны. Исследования пассивных элементов показали, что используемая технология со сквозными отверстиями в широком диапазоне и с достаточно высокой точностью совпадает с результатами расчетов и пригодна для создания схем в диапазоне частот до 67 ГГц. Измерения антенны показали форму диаграммы направленности кардиоидную в рабочем диапазоне частот. В Главе 4 описаны результаты исследований МИС МШУ и МИС МШУ со встроенной антенной. Измерения МШУ показали работоспособность в рабочем диапазоне 57-64 ГГц и достижение коэффициента передачи более 16 дБ при коэффициенте шума 6,5 дБ, что соответствует результатам зле ктродинамического моделирования.
Измерения МШУ со встроенной антенной показали работоспособность системы-на-кристалле, прием сигнала встроенной антенной и усиление сигнала на МШУ на 16 дБ. Проведено сравнение разработанного МШУ с существующими разработками которое показало, что по характеристикам разработанный усилитель на нитриде галлия находится на уровне существующих разработок на арсениде галлия. Результаты работы опубликованы в научных журналах из списка ВАК и докладывались на международных и Российских конференциях.
Положения, вынесенные на защиту, полностью доказаны результатами работы. Выводы обоснованы. Автореферат правильно отражает содержание диссертации. К недостаткам работы можно отнести следующее: микро- и наноэлектроника, приборы на твердотельная электроника, квантовых эффектах. Начальник НИО 48 МТУСИ доктор технических наук, профессор С.С.
Аджемов -р'~~ ' ( Адрес: 1 1 1 024, Москва, ул. Авиамоторная, д. 8, стр. 1 . Телефон: +79859910853. Е-та11: асГегпо~ ша11.гц. Подпись Аджемова С.С. УДОСТОВЕ Первый заместитель начальника НИЧ Т.А. Чадов 1. Недостаточно внимания уделено обзорной части, посвященной антеннам и описанию их параметров. 2. При обосновании параметров модели транзистора используются результаты измерений коэффициента шума до 25 ГГц, что вызывает вопросы о точности созданной модели для диапазона до 67 ГГц. Несмотря на замечания диссертация Крапухина Д.В, представляет собой законченную научную работу.
В диссертационной работе получены интересные результаты, которые полезны и для практических целей. Диссертационная работа «Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц» удовлетворяет требованиям пункта 9 «Положения о присуждении ученых степеней» ВАК Российской Федерации, предъявляемым к кандидатским диссертациям, а ее автор, Д.В.
Крапухин, безусловно, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 .