Отзыв научного руководителя (Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц)

отзыв Научного руководителя на диссертацию Крапухина Дмитрия Владимировича «Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц», представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01 — «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах» Крапухин Д.В. в 2007 году поступил в МТУ (МИРЭА) на кафедру «Микросистемной техники», а после получения квалификации «специалист» в 2012 году поступил в аспирантуру МТУ (МИРЭА). С 2010 года и по настоящее время работает в ИСВЧПЭ РАН.

За время обучения им были освоены различные методы проектирования и моделирования СВЧ устройств в современных САПР, что позволило не только успешно разработать малошумящий усилитель в процессе подготовки диссертационной работы, но и заниматься разработкой МИС для различных частотных диапазонов, Получены навыки по работе с современными измерительными приборами и созданию измерительных стендов для выполнения зондовых измерений на пластине и кристаллах.

Следует отметить, что соискатель опубликовал 13 работ по СВЧ-тематике и принял участие в написании монографии, а также занял занято призовое место в конкурсе «Лучшая научная работа студентов и молодых ученых» МГТУ МИРЭА 2012 года. Научная проблема, решаемая в диссертационной работе, актуальна как для российской, так и для мировой СВЧ-электроники.

Диапазон 60 ГГц характеризуется высоким затуханием волн в атмосфере, что делает его перспективным для создания изолированных и помехоустойчивых каналов связи, радаров, модулей определения дистанции. За счет высокой частоты габариты встроенных антенн снижаются и становятся сопоставимы с габаритами МИС усилителей, что позволяет интегрировать их в один кристалл, создавать целые «системы-на-кристалле». Создание усилителей миллиметрового диапазона длин волн является комплексной задачей, так как сопряжено с серьезными технологическими трудностями и сложностью проектирования. Важным достоинством данной работы является использование в качестве материала гетероструктуры широкозонного полупроводника — нитрида галлия, вместо доминирующего в МИС диапазона 57-64 ГГц арсенида галлия и кремний-германия. При этом используется конструкторско-технологическое решение создания заземляющей плоскости поверх лицевой части МИС, что позволило создать усилитель по микрополосковой технологии на подложке сапфира.

Разработанный МШУ на нитриде галлия по своим СВЧ и шумовым характеристикам находится на уровне лучших мировых функциональных аналогов и может быть использован во входном узле, что открывает широкие перспективы по созданию целых приемопередающих модулей на одном кристалле на нитриде галлия. Соискатель решил самостоятельно ряд научных задач по проектированию усилителей и антенн.

Представленная Крапухиным Д.В. работа является завершенным научным исследованием и полностью соответствует специальности 05.27.01— «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро — и нано электроника на квантовых эффектах», требованиям ВАК к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук, а соискатель заслуживает присуждения ему искомой степени. Научный руководитель д.т.н., профессор П.П.Мальцев Подпись Мальцева П,П.

удостоверяю: Ведущий специалист отдела кадров .