Отзыв на автореферат 2 (Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц)

Отзыв на автореферат кандидатской диссертации Крапухина Дмитрия Владимировича «Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.01— твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. В диссертационной работе Крапухина Д.В. рассматривается разработка малошумящего усилителя на нитриде галлия. Выбранная тема является актуальной и направлена на создание входного тракта приемо-передающего устройства, что представляет большой интерес при создании систем связи, модулей определения дистанции. В работе описывается использование нового подхода при создании усилителей на гетероструктурах баМ на подложке сапфира, который использует заземляющую плоскость на лицевой стороне МИС, а заземление элементов происходит на лицевую поверхность через отверстия в слое фотолака.

Такой подход позволил построить усилитель не по копланарной, а по микрополосковой технологии. Значимым результатом диссертационной работы Крапухина Д.В. является создание СВЧ системы-на-кристалле, в состав которой входят малошумящий усилитель и встроенная антенна. Автор получил оригинальные результаты измерений СВЧ характеристик этой системы-накристалле, которая показала работоспособность в рабочем диапазоне 57-64 ГГц с коэффициентом передачи 16 дБ. Результаты работы опубликованы в рецензируемых журналах, в том числе из перечня ВАК и обсуждались на многочисленных Российских и международных конференциях. В содержании автореферата не указано, каким методом проводилось моделирование малошумящего усилителя.

Методически было бы правильно выполнить моделирование методом моментов и методом конечных элементов и провести сравнение двух методов. В целом замечания не снижают общей оценки диссертационной работы Крапухина Дмитрия Владимировича «Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц». Диссертация является законченной научно-квалифицированной работой, содержит новые научные результаты, имеет практическое применение и соответствует требованиям, предъявляемым к кандидатским диссертациям, асоискатель Крапухин Дмитрий Владимирович заслуживает присвоения ученой степени кандидат технических наук по специальности 05.27.01— Заведующий лабораторией №173 «Микро- и наноэлектроника» ИРЭ им.

В.А.Котельникова РАН доктор физико-математических наук -- -". ° -- В.А. Гергель « » 2016 г. Апрее: 125000, Моеква, уп. Моховая 11, карп.у. ая.поята: 7ееаеар1ее.тв. Телефон 8-495-629-35-74. ый секретарь ИРЭ РАН, к,ф.-м.н. И.И.Чусов Подпись д.ф.-м.н. В.А. Гергел твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

.