ugfs_вопросы_01 (Вопросы к лабораторному зачету), страница 4

5.30. Нарисуйте схему формирования радиосигнала с Ф! ~. — 24— 5.31. Перечислите причины, вызывающие нелинейные и частотные искажения при ЧМ и ФМ, 5.32. Определить ширину спектра сигнала при ЧМ, если девиация частоты: а) Ь1д=10 кГц, а максимальное значение модулируюшей частоты Рм кс=15 кГц, б) Яд=15 кГц, РмАкс=10 кГц. 5.33.

Определить емкость варикапа при напряжении Е-$ В, если контактная разность потенциалов ~рр=0,5 В; начальная емкость варикапа Со=21 пФ. Варикап сплавной с р-и переходом (~1Я). 5.34. Определить индекс модуляции для ФМ и ЧМ, если: девиация фазы Жрд (при ФМ) составит х/2; девиация частоты (при ЧМ) Ил=15 кГц; максимальная частота модуляции ГмАкс=10 кГц. 5.35. Определить ширину спектра узкополосного ЧМ сигнала, если т м=0,1 и девиация частоты равна 340 Гц.

5.36. Определить ширину спектра широкополосного ЧМ и ФМ сигнала, если при ЧМ пыл=3, РмАкс=10 кГц; при ФМ шфм=З, 1'м,~ко=10 «Гц. Тема 6. Импульсная модуляция 6.1. Чем характеризуются импульсно-модулированные колебания? 6.2. Как оцениваются искажения радиоимпульсов при импульсной работе передатчика? 6.3. Дать объяснения понятиям: длительности импульса т, периода повторения импульсов Т„, скважности © длительности фронта тф и среза тс импульса, — при работе переменка в импульсном режиме . 6.4. Начсртите временную и спектральную формы импульсно-модулированного радиосигнала. 6.5.

Назовитс типы активных элементов (АЭ), используемых н исрслатчиках с импульсной модуляцией и дайте характеристики кшкдого иэ иих. -25— 6.6. Объяснить связь между средней и импульсной мощностями при работе передатчика в импульсном режиме. 6.7. Начертите структурные схемы однокаскадного и много- каскадного импульсных передатчиков, объясните назначение каскадов. 6.8. Объясните принципы построения импульсных модуляторов без накопителя энергии и с накопителем энергии. 6.9. Назовите типы коммутаторов и накопителей энергии, используемых в модуляторах. 6.10. Сформулируйте требования, предъявляемые к коммутаторам.

6.11. Объясните деление модуляторов на „жесткие" и „мягкие" в зависимости от используемого коммутатора. 6.12. Назовите типы накопительных элементов модуляторов и сформулируйте предъявляемые к ним требования. 6.13. Начертите схему импульсного модулятора на „жесткой" лампе. Объясните назначение элементов схемы. 6.14. Начертите эквивалентную схему цепей заряда и разряда схемы импульсного модулятора на „жесткой" лампе. 6.15. Объясните физические процессы в эквивалентных схемах цепей заряда и разряда импульсного модулятора на „жесткой" лампе.

6,16. Какие элементы схемы модулятора на „жесткой" лампе влияют на длительность фронта тф и среза тг импульса~ 6.17. Какими процессами в модуляторе определяется неравномерность вершины ЛЕ выходного импульса? 6.18. Объясните понятие коэффициент полезного действия модулятора на „жесткой" лампе. 6.19. Каким образом в модуляторе на,.жесткой" лампе можно реализовать КПД=0,9+0,95. От каких параметров схемы это зависит? 6.20. Чем отличается режим работы модулятора на „жесткой" лампе при частичном и полном разряде накопительного элемента Р 6.21. Как выбрать оптимальные значения ограничительного и зарядного сопротивлений в схеме модулятора на „жесткой" лампе? 6.22, Как влияет увеличение емкости накопительного конденсатора на форму импульсного тока в схеме модулятора с ключом на „жесткой" лампе? 6.23. Чем определяется амплитуда импульса тока в нагрузке в схеме модулятора с ключом на электронной лампе и частичным разрядом накопителя? 6.24.

Как зависит форма выходного импульса от длительности входного импульса в схеме модулятора с ключом на электронной лампе и частичным разрядом накопителя? 6.25. Какой из модуляторов с полным или частичным разрядом емкости более экономичен и имеет лучшую форму импульса тока в нагрузке? 6.26. Как изменится форма выходного импульса при изменении величины зарядного сопротивления в схеме модулятора с ключом на электронной лампе? '6.27. Как влияет на форму импульса реактивный характер нагрузки в схеме модулятора с ключом на электронной лампе? 6.28. Чем определяется длительность импульса в нагрузке в схеме модулятора с ключом на электронной лампе? 6.29. Как влияет'на форму импульса тока изменение величины активной нагрузки в схеме модулятора с ключом на электронной лампе? б:30.

Какой ключ используют в схеме модулятора с емкостным накопителем? 6.31 Как влияет увеличение емкости накопительного кон» денсатора на форму импульса тока в нагрузке в схеме модулятора с ключом на электронной лампе и частичным разрядом накопителя? 6.32. Начертнте схему импульсного модулятора на „мягкой" лампе.

6.33. От каких параметров искусственной линии зависит длительность импульса? -27- 6.34. Объясните физический смысл процесса работы импульсного модулятора на „мягкой" лампе с накопителем в виде разомкнутого отрезка длинной линии. 6.35, Почему модуляторы, используемые для импульсных генераторов на „мягкой" лампе, имеют накопительный элемент— разомкнугый отрезок длинной линиит 6.36. Как выбирается оптимальный режим работы модуля.- торной лампы импульсного модулятора на „мягкой" лампе? 6.31. Начертите принципиальную схему модулятора на искусственной линии с импульсным трансформатором и с зарядом через: а) зарядное сопротивление; б) зарядный дроссель; в) зарядный дроссель и диод, 6.3$. Начертить схему импульсного модулятора на тиратро- не.

6.39. Начертите эквивалентную схему цепи заряда амплитудного модулятора на „мягкой" лампе. Объясните ее физический смысл. 6.40. Начертите зависимости напряжения на емкости и тока через не6 от времени для эквивалентной схемы импульсного модулятора на „мягкой" лампе. 6.41. Объясните понятие коэффициента полезного действия импульсного модулятор» на „мягкой" лампе. 6.42. Начертите схему импульсного.модулятора на мягкой"- лампе с зарядным диодом.

Объясните назначение элементов схемы. 6.43. Начертите эквивалентные схемы длинной линии испочечного типа. Каковы ее отличия от эквивалентных схем с последовательными и параллельными контурами? 6.44. Как зависит форма импульса при разряде линни на активное сопротивление от числ» ячеек линии? 6.45, Поясните назначение диода, шунтнруюшего тиратрон, в схеме импульсного модулятора на „мягкой" лампе. 6.46. Для каких целей применяется импульсный трансформатор в схеме модулятора на искусственной линии? 6.47. От каких параметров искусственной линии зависит длительность импульсов в нагрузке? 6.43. Как зависит форма выходного импульса от длительности входного импульса в схеме модулятора с ключом на тиристоре? 6.49.

Чем определяется длительность импульса в нагрузке в схеме модулятора с искусственной линией? 6.50. Какой ключ используют в схеме модулятора на искусственной линии? 6.51. С какой целью в схему модулятора при нагрузке в виде магнетрона вводится диод? 6.52. Чем определяется форма выходного импульса в импульсном модуляторе с ключом на тиристоре? 6,53. Как зависит форма импульса при разряде,на активное сопро1 ивленпе нагрузки от числа ячеек длинной линии? 6.54, Как влияет на форму импульса тока величина активной нагрузки в схеме импульсного модулятора с искусственной длинной линией? 6.55.

Как изменится форма выходного импульса при замене зарядного сопротивления на зарядный дроссель? 29- Библиографический список 1. Устройства генерирования и формирования радиосигнаюв: Учебник для вузов / Л. А. Белов, В. М. Богачев, М. В. Благовещенский и лр.; Под ред.

Г. М. Уткина, В. Н. Кулешова и М. В. Благовещенского.— 2-е изд, перераб. и доп.— М,: Радио н связь, 1994.-416 с.; ил. 2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / В. В. ШаМ.ильдян, В. Б. Козырев, А. А. Ляховскин и лр.; Под ред. В. В..Шахгильляна,— 3-е изд,, перераб. и доп; М,: Радио и связь, 1996 .— 560 с.: ил. 3. Петров Б. Е., Романкэк В. А. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах.— М.: Высшая школа, 1939 .— 231 с. 4. Основы теории устройств генерирования и формирования радиосигналов: Учебное пособие / А.И.

Александров, Л. Г. Ендовнцкая, В. И. Каганов и др.; Под рел. С. Т. Кулакова/ Московский государственный институт радиотехники. электроники и автоматики ~технический университет) .— М„1997 .— 48 с. 5. Александров А. И., Кевлишвили М. П. Устройства генерирования и формирования радиосигналов: Учебное пособие/ Московский государственный институт радиотехники. электроники и автоматики (технический университет) .— М., 1993 .— 75 с. 6. Каганов В. И. Основы обобщенной теории высокочастотных генераторов: Учебное пособие/ Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) .— М., 1995 .— 43 с. 7.

Чернышов В, Ф. Модуляция в устройствах формцр дания радиосигналов: Учебное пособие / Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) .— М., 1991 .— 80 с. 3. Каганов В. И. Проектирование транзисторных передатчиков с применением ЭВМ .— М.: Радио и связь.

! 983 .— 256 с. 9. Ендовицкая Л. Г., Кевлишвили М. П., Чернышов В. Ф. Устройства генерирования и формирования рааиосигнл.юя: Ме- юдические указания и контрольные задания / Московский госуларсэвенный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) .— М., 1999 .— 32 с. !О. Александров А. И., Ендовицкая Л. Г.

и др. Устройства генерирования и формирования радиосигналов.: Методические указания по выполнению лабораторных работ/ Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (эсхнический университет) .— М., 1994 .— 32 с. 1!. Александров А. И., Каганов В, И. и др. Исследование ралнопсредающих устройств в лаборатории: Учебное пособие / Московский государственный институт радиотехники. электроники н автоматики (технический университет) .— М., 1990 .— 80 с. 12. Суммирование мощностей СВЧ-полупроводниковых генераторов: Межвуз. сб.