Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам, страница 14
Описание файла
PDF-файл из архива "Москатов Е.А. - Справочник по полупроводниковым приборам", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" из 8 семестр, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "интегральные устройства радиоэлектроники" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 14 страницы из PDF
При Т = +65 … +125 ºC максимально допустимый постоянный ток в открытомсостоянии снижается линейно на 0,8 мА / ºC; максимально допустимый прямой токуправления снижается линейно на 0,3 мА / ºC; максимально допустимыйимпульсный ток снижается линейно на 5 мА / ºC; максимально допустимая средняярассеиваемая мощность снижается линейно на 2,4 мВт / ºC.КУ202А, КУ202Б, КУ202В, КУ202Г, КУ202Д, КУ202Е, КУ202Ж,КУ202И, КУ202К, КУ202Л, КУ202М, КУ202НТринисторы кремниевые [29, стр.
221 – 223]. Выпускаются в металлическомгерметичном корпусе. Масса не более 25 г.КУ20221432217М61812,529690Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПредельные эксплуатационные данные.Постоянный или средний прямой ток при t = 50 °С, АПрямой ток управляющего электрода, мАПрямое напряжение тринистора, В:для КУ202А, КУ202Бдля КУ202В, КУ202Гдля КУ202Д, КУ202Едля КУ202Ж, КУ202Идля КУ202К, КУ202Лдля КУ202М, КУ202НОбратное напряжение, В:для КУ202Бдля КУ202Гдля КУ202Едля КУ202Идля КУ202Лдля КУ202НДля других групп подача обратного напряжения не допускается.1030025501002003004002550100200300400КУ208А, КУ208Б, КУ208В, КУ208ГТринисторы кремниевые планарно – диффузионные [29, стр. 225 – 227].Предназначены для работы в качестве симметричных управляемых ключей среднеймощности для схем автоматического регулирования в коммутационных цепяхсиловой автоматики на переменном токе.
Выпускаются в металлическомгерметичном корпусе с винтом, масса не более 18 г.∅21,5КУ2084012,520М614Управляющийэлектрод20КатодАнод36Электрические параметры.Ток утечки, не более, мАТок выключения при Uпр = 10 В и температуре -55 °С, не более, мА515091Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПредельные эксплуатационные данные.Прямой ток управляющего электрода, мАОбратное или прямое напряжение, В:для КУ208Адля КУ208Бдля КУ208Вдля КУ208ГАмплитуда тока перегрузки:при температуре от -55 °С до + 50 °С, Апри температуре 70 °С, А50010020030040030152У221А (ТИЧ5-100-8-12), 2У221Б (ТИЧ5-100-8-21), 2У221В (ТИЧ5-1006-23), КУ221А, КУ221Б, КУ221В, КУ221Г, КУ221ДТиристоры кремниевые диффузионные структуры p-n-p-n триодные не запираемыеимпульсные высокочастотные [42, стр.
153 – 159]. Предназначены для примененияв телевизионных приёмниках цветного изображения при частоте до 30 кГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Тип тиристораприводится на корпусе. Масса тиристора не более 7 г.17,514,931,4К24,4УЭR8,5А2отв.3,8R3,50,859,27,62,512,75Электрические параметры.Импульсное напряжение в открытом состоянии при Iос.и = 20 А,tи = 40…60 мкс, Iу.пр.и = 0,15…1 А, tу = 10…100 мкс иf ≤ 200 Гц, не болееОтпирающее импульсное напряжение управления при Uзс = 440 В,Iос.и = 11 А, tи = 10…50 мкс, tу = 2 мкс и f ≤ 200 Гц, не более:для 2У221А – 2У221Вдля КУ221А – КУ221ВОтпирающий импульсный ток управления при Uзс.и = 440 В,Iос.и = 11 А, tи = 10…50 мкс, tу = 2 мкс и f ≤ 200 Гц, не более:3,5 В5В5В92Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruдля 2У221А – 2У221Вдля КУ221А – КУ221ВПредельные эксплуатационные данные.Импульсное напряжение в закрытом состоянии:2У221А, 2У221Б2У221В, КУ221ГКУ221А, КУ221ВКУ221БКУ221ДПостоянное напряжение в закрытом состоянии:2У221А, 2У221Б2У221ВКУ221А – КУ221ДИмпульсное обратное напряжениеМинимальное напряжение в закрытом состоянииОбратное импульсное напряжение управления2У221А, 2У221В, КУ221А, КУ221Г, КУ221Д2У221Б, КУ221Б, КУ221ВНе повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии:КУ221А, КУ221ВКУ221БКУ221ГКУ221ДИмпульсный ток в открытом состоянии:пилообразная форма импульсов тока при tи = 27 мкс и f = 16 кГцдля 2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221Всинусоидальная форма импульсов тока при tи = 13 мкс и f = 16 кГцдля 2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221Всинусоидальная форма импульсов тока при tи = 50 мкс и f = 50 Гцпрямоугольная форма импульсов тока при tи = 2 мкс,dUзс / dt ≥ 100 А / мкс и f = 20 кГцдля 2У221А – 2У221Вэкспоненциальная форма импульсов тока при tи = 1,5 мс,tнр = 80 мкс и f = 3 Гцдля КУ221А – КУ221ДСредний ток в открытом состоянии в однофазнойоднополупериодной схеме с активной нагрузкой исинусоидальной форме тока при f = 50 Гц и β = 180ºСкорость нарастания напряжения в закрытом состоянии:2У221АКУ221А2У221Б, 2У221В, КУ221Б – КУ221ДПрямой импульсный ток управления100 мА150 мА800 В600 В700 В750 В500 В500 В400 В300 В50 В10 В10 В30 В750 В800 В700 В600 В8А15 А100 А15 А70 А3,2 А700 В / мкс500 В / мкс200 В / мкс2А93Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruМинимальный импульсный ток управления:2У221А – 2У221В, КУ221А – КУ221В0,15 АКУ221Г, КУ221Д0,1 АМинимальная длительность импульса прямого тока управления:2У221А – 2У221В0,5 мксКУ221А – КУ221Д2 мксТемпература окружающей среды:для 2У221А – 2У221В-60…Тк = +85 ºCдля КУ221А – КУ221Д-40…Тк = +85 ºCТаблица 4.1.1. Тиристоры серии BStB.ТиристорUт.обр.макс, ВIт.ср.макс, АUуэ, ВIуэ, мАBStB01061000,8210BStB01132000,8210BStB01264000,8210BStB01335000,8210BStB01406000,8210BStB01467000,8210BStB02061003210BStB02132003210BStB02264003210BStB02335003210BStB02406003210BStB02467003210Таблица 4.1.2. Отечественные аналоги болгарским тиристорам.Болгарский тиристор Отечественный аналогT7-025AКУ202А, КУ202БT7-025КУ202А, КУ202БT7-05AКУ202В, КУ202ГT7-05КУ202В, КУ202ГT7-1AКУ202Е, КУ202ДT7-1КУ202Е, КУ202ДT7-2AКУ202Ж, КУ202ИT7-2КУ202Ж, КУ202ИT7-3КУ202К, КУ202ЛT7-4КУ202М, КУ202Н94Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru4.2 Диодные тиристорыТаблица 4.2.1. Диодные тиристоры (динисторы) [30, стр. 656].Тип прибора Iос.ср.макс, Iзкр, мкА, не Iобр, мА,мАболеене болееUвкл,ВUоткр.макс, Iос.и.макс (при Iос =В200 мА, τи = 10 мс), АКН102А2001000,520102,0КН102Б2001000,528102,0КН102В2001000,540102,0КН102Г2001000,556102,0КН102Д2001000,580102,0КН102Ж2001000,5120102,0КН102И2001000,5150102,095Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru4.3 ОптотиристорыТаблица 4.3.1.
Оптотиристоры [38, стр. 176 – 179].Предельные значения параметров режимаТипПри Тп.макс = 110 ºCIу.пр.и, АIос.ср.Uзс. Uобр.макс, Ап, Вп, Вудр, АТО125-12,5-112,51001003500,10,8ТО125-12,5-212,52002003500,1ТО125-12,5-312,53003003500,1ТО125-12,5-412,5400400350ТО125-12,5-512,5500500ТО125-12,5-612,5600600ТО125-12,5-712,5700ТО125-12,5-812,5ТО125-12,5-912,5ТО125-12,5-1012,5прибораIос.Электрические и временные параметрыUу.пр.и.Мин Макс макс, ВПри Тп = 25 ºCUос. Iос.
Iу.от,Uу.При Тп.макс = 110 ºC Рису-Rразв, tвкл, tзд, tвыкл, Iзс.п, Iобр.п,ноки, В и, АмАот, ВМОммкс мксмксмАмА41,438,2802,510001051003310,841,438,2802,510001051003310,841,438,2802,510001051003310,10,841,438,2802,510001051003313500,10,841,438,2802,510001051003313500,10,841,438,2802,510001051003317003500,10,841,438,2802,510001051003318008003500,10,841,438,2802,510001051003319009003500,10,841,438,2802,51000105100331100010003500,10,841,438,2802,51000105100331ТО125-12,5-1112,5110011003500,10,841,438,2802,51000105100331ТО125-12,5-1212,5120012003500,10,841,438,2802,51000105100331ТО125-12,5-1312,5130013003500,10,841,438,2802,51000105100331ТО125-12,5-1412,5140014003500,10,841,438,2802,5100010510033133А3,62620ТипДатаУЭ-К36+УЭРисунок 1.96Москатов Е. А.
Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru4.4 Фотографии разных тиристоров2У101ЕКУ103А 2У107ВКУ221АКУ202НД235Г97Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru5 Транзисторы5.1 Биполярные транзисторыТаблица 5.1.1. Транзисторы p-n-p малой мощности (Рк.макс ≤ 0,3 Вт) низкойчастоты (fгр ≤ 3 МГц) [39].Предельные значенияпараметров при Tп = 25 °СТип прибоUкэR.гр,Uэбо.раIк.макс, Iк.и.макс,{Uкэо.макс},Значения параметровпри Tп = 25 °СРк.макс,макс, {Рк.и.макс},BмВтh21э,Iэ,Uкэ.{Uкэ},{Iк},нас,BмАBIкбо,мкАfгр,{fh21},РисунокмАмА1Т1026–55302051–10111ТМ115А100–40505020…601250,250{1}21ТМ115Б100–40505050…1501250,1550{1}2ГТ108А50–––7520…5051–10{0,5}3ГТ108Б50–––7535…8051–10{1}3ГТ108В50–––7560…13051–10{1}3ГТ108Г50–––75111…25051–10{1}3ГТ109Б20–6–3035…8051–5{1}4ГТ115А30––2015020…80125–4015ГТ124А50100{20}1075{28…56}{0,5}1000,51515ГТ125А100300{30}2015028…56{5}250,35016ГТ125Б100300{30}2015045…90{5}250,35016ГТ125В100300{30}2015071…140{5}250,35016ГТ125Г100300{30}20150120…200{5}250,35016ГТ125Д100300{30}20150{28…56}{0,5}{100}0,35016ГТ125Е100300{30}20150{45…90}{0,5}{100}0,35016ГТ125Ж100300{30}20150{71…140}{0,5}{100}0,35016ГТ125И1003004020150{28…56}{0,5}{100}0,35016ГТ125К1003004020150{45…90}{0,5}{100}0,35016B{h21Э}Uкб,МГцГТ125Л1003004020150{71…140}{0,5}{100}0,35016КТ214Е-150100{20}20504010,040,61–7М5А70150{15}1075{20…50}1100,152015М5Б70150{15}1075{35…80}1100,152015М5В70150{15}1075{60…130}1100,152025М5Г70150{15}1075{110…250}1100,152035М5Д70150{15}1075{20…60}1100,152015МП132015015151501251–2000,56МП13Б20150151515020…6051–20016МП1420150151515020…4051–20016МП14А20150303015020…4051–20016МП14Б20150303015030…6051–2001698Москатов Е.
А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ruПредельные значенияпараметров при Tп = 25 °СТип прибоUкэR.гр,Uэбо.раIк.макс, Iк.и.макс,{Uкэо.макс},Значения параметровпри Tп = 25 °СРк.макс,макс, {Рк.и.макс},BмВтh21э,Iэ,Uкэ.{Uкэ},{Iк},нас,BмАBIкбо,мкАfгр,{fh21},РисунокмАмАМП14И20150303015020…80510,220016МП1520150151515030…6051–20026МП15А20150151515050…10051–20026МП15И20150151515020…8051120026МП1610030015–200{20…35}{1}{10}0,152516МП16А10030015–200{30…50}{1}{10}0,152516МП16Б10030015–200{45…100}{1}{10}0,152516МП20100300{30}5015050…1505250,35016B{h21Э}Uкб,МГцМП21100300355015020…605250,35016МП21А100300355015050…1505250,35016МП21Б100300405015020…805250,3500,4656МП25150400404020010…25202,5–750,256МП25А150400404020020…50202,5–750,256МП25Б150400404020030…80202,5–750,56МП26150400707020010…25351,5–750,256МП26А150400707020020…50351,5–750,256МП26Б150400707020030…80351,5–750,56МП393015015101501251–150,56МП39Б30150151015020…6051–150,56МП4030150151015020…4051–1516МП40А30150301015020…4051–1516МП4130150151015030…6051–1516МП41А30150151015050…10051–1516МП4210020015–200{20…35}{1}{10}0,22516МП42А10020015–200{30…50}{1}{10}0,22516МП42Б10020015–200{45…100}{1}{10}0,22516П276–5–3020…9050,5–316П27А6–5–3020…6050,5–316П27Б6–5–3042…12650,5–336П39201501551501251–150,56П39Б20150151015020…6051–150,56П4020150151015020…8051–1516П4120150151015030…10051–1516П40А2015030515020…8051–––699Москатов Е.
