3 (Технология изготовления фотоэлектрических кремниевых солнечных коллекторов)
Описание файла
Файл "3" внутри архива находится в папке "Технология изготовления фотоэлектрических кремниевых солнечных коллекторов". PDF-файл из архива "Технология изготовления фотоэлектрических кремниевых солнечных коллекторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
1УСТАНОВКА ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА234567Установка ТПИ и пластинкремния в кварцевой кассете1- автозагрузчики; 2-пульт программного управления;3-устройство газового распределения;4-диффузионные однозонные печи;5-блок пылезащиты;6-камера вытяжки;7-пульты управления автозагрузчиками2P2O5 + 5Si → 5SiO2 + 4P1-кварцевая кассета;2-твердый планарный источник;3-пластины кремния;4-пары Р2О5Зависимость глубины залегания p – n перехода отвремени проведения диффузии для ТПИ№123456789101112Т,°С920950980t,мин204060802040608020406080xjсред,мкм0,20,320,540,70,400,630,851,060,620,901,161,45Достоинства способа диффузиис использованием ТПИ••••••высокая производительность за счет большой плотностизагрузки пластин кремния и возможность использованиявсей рабочей зоны диффузионной печи;хорошая воспроизводимость параметров диффузионныхслоев благодаря сведению к минимуму числа влияющихна них технологических факторов и простоте управленияпроцессом;однородность уровня легирования по поверхности, чтоособенно существенно в связи с тенденцией перехода напластины большого диаметра;простота используемого технологического оборудования;высокая экономичность..