1 лист.изделие маршрут (Технология изготовления диодов)

Перв. примен.Справ. №Подп. и датаВзам. инв. № Инв. № дубл.Подп. и датаИнв. № подл.4,2 max28,0 min21VGJ=JpD+JnDдиффузионный токÇ3,3 maxСхема трёхфазного выпрямителя с диодамиJ=JpE+JnEдрейфовый токJВольт-амперная характеристика1. Кремниевый элемент2. Молибденовые штифты3. Вывод4. Остекловка4Конструкция диода Д237Д1328,0 minРазмеры корпуса К-29 диода Д237Д1Ç0,78 max<50<1001,02,0300Средний обратный ток (при нормальном значении импульсного обратного напряжения), (мкА)- при Тос. =+25є С- при Тос.

=+125є ССредний обратный ток (при нормальном значении импульсного обратного напряжения), (мкА)- при Тос. =+25° С- при Тос. =+125° ССредний прямой ток (мА)8%1. Нарушение формы кристалла2. Некачественная спайка3. Некачественная остекловка4. Прочие причины брака75%8%9%4321Однимизвидовбракаявляетсянеопределяемая полярность диода. К этому приводитнекачественная пайка или диффузия.Основной процент брака (до 15 % от общего количествадиодов) получаетсяв процессе резки кремниевых плавстин.Причиной брака может стать любое нарушениетехнологического процесса:- некачественная пайка,- дефекты кремниевого элемента,- некачественная остекловыка,- другие нарушения технологии производства.1.00.5Среднее прямое напряжение (при Iпр. - номинальное), (В)Рабочая температура окружающей средыМасса (не более), (г)КД-29А400Повторяющееся импульсное напряжение (В)Металлостеклянный корпус типа (по ГОСТ 18472-88)0.3ЗначениеНоминальный ток (А)ХарактеристикаСтеклоt=20 C0T=1 часСушкаГлифталевый клей0,0012ПластинаH3PO4Предварительое травлениеЦель: стравить "козырек" металланад кристаллом кремнияСреда: ортофосфорная кислотаВремя: до 30 секундКонтроль выходных параметровВизуальный контроль брака резкиЭлектрокорундR=29мкмСопла6шт.Восковая бумагаПленкаКлеящая основаНожSiУстановка сухого абразивного травления кремниевых пластинУпаковка готовых киспользованию изделийТестирование и маркировка изделийГальваническое лужениеметаллических выводовНанесение стеклянной суспензиина спаянную конструкциюТравление в щёлочи и промывка вводе спаянной конструкцииСпайка выводов и молибденовыхштифтов, выводов со штифтами втуннельной печиВизуальный контроль и контрольситомЦель:отбраковать кристаллыкремния с дефектами формы иразмерами меньше заданногоMeМагнитМагнитная сепарацияЦель: отделить кристаллы кремнияот маскирующих дисковОборудование: магнитАцетонРазмывкаЦель: отсоединить кристаллы кремнияс маскировочными дисками отстеклянной подложкиСреда: ацетонВремя: до 3 минутОборудование: 3 резервуара с ацетономвымываемый слойЛит.

Масса МасштабИзм. Лист № докум. Подп. ДатаИзделие и технологический маршрутРазраб. Пономаренко Н.В.1:1изготовленияПров.Каменихин А.Т.Т.контр.ЛистЛистов 1МГТУ им. Н.Э. БауманаН.контр.Кафедра МТ-11Группа МТ 11-82Утв.КопировалФормат A1Резка на плоттере дисков 3,4ммиз полихлорвиниловой пленкиТехнологический маршрут изготовления диодовСтруйно-абразивная резка пластинМаскаНанесение маскирующегопокрытияСтеклоРезиновый валик D=200мм,M=5кгПрокаткаГлифталевый клей0,04ПластинаТенt=100 C0Глифталевый клейНаклейка пластинына стеклоСтекло215Установка сухого абразивного травления кремниевых пластин.