лист2_технология СОВ (Испытание электронных изделий на вибрацию и нагрев)
Описание файла
Файл "лист2_технология СОВ" внутри архива находится в папке "Испытание электронных изделий на вибрацию и нагрев". PDF-файл из архива "Испытание электронных изделий на вибрацию и нагрев", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные технологии (мт-11)" из 7 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "элионные технологии или тио" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
1. Заготовительная операция-Распоковка платы;- Осмотр поверхности.+ 2. Подготовка поверхности КП:Оборудование:Настольная система дозирования WR300N3. Нанесение адгезива- Химическая отмывка.Оборудование: Система отмывки Oko 2000mPОсновные характеристики:Рабочая зона (XxYxZ)320х320х150 ммЛинейная скорость перемещенийпо осям X,Y,Z1- 600 мм/сПроизводительностьдо 10000 доз/чГабаритные размеры700х700х915 ммОсновные характеристики:Температура отмывки20-70°С;Время отмывки5-40 минТемпература ополаскивания 20-70°СВремя ополаскивания2-10 минТемпература сушки50-100°ССтандартное время отмывки 5 минут на однупечатную плату;Размер зоны отмывки510 х 430 х 410 мм;Габариты установки820 x 600 x 720 мм.;Технологические параметры:НРструи = 0,2 - 2,5 мм 2Тотмывки = 20 - 40 °Сtотмывки = 3 - 15 мин4. Монтаж кристалла+ визуальный контрольОборудование:Установка монтажа кристаллов FC150Технологические параметры:Толщина наносимогоклея, h20-50 мкм3 -1Вязкость, ν300-500х10 с5.
Сушка +визуальный контрольИнв. № подл.Подп. и датаВзам. инв. № Инв. № дубл.Подп. и датаСправ. №Перв. примен.Оборудование:Сушильный шкаф ESPEC PHН-102ТТехнологические параметры:Усилие прижатия Р 50-100 гОсновные характеристики:размеры кристаллаточность монтажаперемещение монтажной головки по оси Zперемещение по XYгабаритные размеры0,2-40 мм±1 мкм178 мм с шагом 0,1 мкм100х95 мм с шагом 0,1 мкм1500х980х2170 мм7. Герметизация + визуальный контрольТехнологические параметры:высота герметизирующего слоя hПеремещение по координатам Х, YВремя застывания tТемпература застывания Т0.4-0,6 мм100х100 мм4ч125 °СТехнологические параметры:4Давление в камере Р 10 ПаТемпература Т80-125 °Свремя сушки t40 мин - 1,5чОсновные характеристики:Объем камеры V 91лТемпература нагрева T 40 - 200 °CОборудование:Установка герметизации УГ-1Основные характеристики:Погрешность нанесениякомпаунда по координатам X,Y,Размер платВремя для герметизации площади 10x10 ммГабаритные размеры6.
Разварка выводов кристалла к КПметодом клин-клин + неразрушающийконтрольОсновные технологические параметры:УЗ частота100 кГцУсилие прижима Р10-50 гдиаметр проволоки20-80 мкмОборудование:установка ультразвуковой разваркитонкой проволокой клином BJ-820Основные характеристики:Точность позиционированияСкорость разваркиШаг контактовГабаритные размеры1 мкмдо 7 провлоки/с< 40 мкм1800х720х1250 ммне более ±0.8 мм100x200 мм5с1100x1100x1100 ммЛит.Изм.
Лист № докум. Подп. ДатаРазраб. БураковскаяПров.Т.контр.Масса МасштабТехнология СОВЛистЛистовН.контр.Утв.КопировалФорматA11.
