3 (Hybrid Memory Cube (HMC))

Варианты технологии TSVVia-first approach1) Формирование отверстийи заполнение их проводником2) Формированиефункциональных элементови разводкиVia-middle approach1) Формированиефункциональных элементовVia-last approachAfter bondingBefore bonding2) Формирование отверстийи заполнение их проводником1) Формированиефункциональных элементови разводки1) Формированиефункциональныхэлементов и разводки2) Формирование отверстийи заполнение их проводником2) Соединение кристалловв пакет3) Травление подложкии вскрытие контактов3) Травление подложки3) Формирование разводки3) Травление подложкии вскрытие контактов4) Травление подложкии вскрытие контактов4) Соединение кристалловв пакет5) Соединение кристалловв пакет4) Соединение кристалловв пакетФормирование отверстийBosch процесс(Реактивное ионное изотропное травление)а) Нанесение маскирующего слояи травление на небольшую глубинуb) Нанесение промежуточного SiO2c) Травление на небольшую глубинуd) После некоторого числа повторенийполучается подобная структураТехнологияСкорость: вплоть до 10 мкм/минНеравномерность: < +/- 2/ 3 % (4/ 6“)Аспектное соотношение вплоть до 30 : 1Контролируемый профиль стенокВысокая селективность к резисту (> 75:1) и SiO2 (> 150:1)4) Формированиеотверстий и заполнениеих проводникомСхема установки.