Нанометрология (Раздаточные материалы от преподавателя), страница 54
Описание файла
Файл "Нанометрология" внутри архива находится в следующих папках: Раздаточные материалы от преподавателя, 3 Материалы. PDF-файл из архива "Раздаточные материалы от преподавателя", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "метрология, стандартизация и сертификация (мсис)" из 11 семестр (3 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "метрологическое обеспечение инновационных технологий" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 54 страницы из PDF
П12891918ЕмкостнаяспектроскопияМёссбауэровская спектроскопия––НакоплениезарядаиБазируется на эффекте Мёссбауэра, т.е. наиспускании γ -квантоватомнымиядрамитвердого тела, не сопровождаемом излучением или поглощением фононов и поэтому имеющем исключительно малуюширину линий (10-5 –10-10 эВ). Источникгамма-излучения направляет пучок, проходящий сквозь образец, а приемник регистрирует частоты излучения, поглощенного и прошедшего мимо ядер атомов образцасохранение Регистрируетсянапряжение–смещения в координатах зависимостей C – V (емкость – напряжение) и преобразуется в значение заряда, накопленного нанокристалламиХимические, структурные, Для обеспечения поглощениямагнитные и зависящие от гамма-излучения частицы должвремени свойстваны обладать достаточной энергией, но вместе с тем эта энергиядолжна быть относительно низкой.
В результате мёссбауэровская спектроскопия эффективнадля небольшой группы атомов,на которых и проводятся в основном исследования: 57Fe, 129I,119Sn и 121Sb. Наиболее популярен 57Fe290Размер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияVEECOМодельCaliberAsylumResearchNT-MDTМодельSolver-Pro-MNT-MDTМодельSmenaЦПТМодельFemtoScan 001«Наноиндустрия»Модель«Умка»AgilentМодель5100Размер сканаРежимысканированияVEECOМодельMultimod 59¯9¯2 мкм или 90¯90¯8 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:LFM, STM, MAC, AAFM, CSAFM125 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, LFM, MFM, FDM, FVM, SCM, EAFM, CAFM, RAFM, EFM, FMM, SPM, ECAFM, TUNA,PFS и нанолитография90 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, а также:PhI, LFM, MFM, FMM, EFM, FDM, нанолитография90¯90¯16 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, FDM, нанолитография, наноманипуляции3¯3¯2, мкм, 10¯10¯4 мкм или 50¯50¯5 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, LFM, MFM, FMM, EFM, FDM, STM, нанолитография100¯100¯5 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, LFM, MFM, FMM, EFM, FDM, STM, нанолитография15 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, LFM, MFM, FMM, EFM, FDM, STM, нанолитография5 мкмSTM, нанолитографияПараметры атомно-силовых микроскопов*(«Фотоника» № 5, 2007, с.
18)Таблица П2291AFMACAFMAFMAAFM- Acoustic AFM – акустический режим силовоймикроскопии- Atomic Force Microscope – атомно-силовой микроскоп (АСМ)- Atomic Force Microscope Alternating Current - резонансная атомно-силовая микроскопия- Atomic Force Microscope Direct Current – контакт-ECAFMEAFMDС EFMCSAFM- Current Sensing – АСМ с дополнительным измерением токов- Direct Current Electric Force Microscopy – электрическая силовая микроскопия на постоянном токе- Electric AFM – электрический режим атомносиловой микроскопии- Electrochemical Microscopy – электрохимическая6¯6¯1 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, а также:LFM, MFM, EFM, AFM/STM-визуализация (возможен нагрев до 150° С)Размер сканаРежимысканирования*Примечание: Список сокращений к табл.
П2.OmicronРазмер сканаКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:LFM, MFM, EFM, FDS, STM, CAFM (возможен нагрев до 250° С)40¯40¯4; 80¯80¯8; 200¯200¯10 // 25¯25¯8; 40¯40¯4; 80¯80¯8 мкмРазмер сканаРежимысканированияРазмер сканаРежимысканированияWITecМодельAlpha 300AMicro PhotonicsМоделиDS 95-50//DS 95-200Ampios TechnologyМоделиQ-Scope//USPMРежимысканирования50¯50¯12 мкм или 100¯100¯12 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, сканирование в жидкости, а также:PhI, LFM, MFM, FMM, EFM/DC-EFM, FDM, NSOM, SCM, SSRM, STM, SThM, нанолитография (возможен нагрев и охлаждение)100¯100¯20 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, а также:PhI, MFM, нанолитография, наноманипуляция (возможен нагрев и охлаждение)50¯50¯2,7 // 200¯200¯15 мкмКонтактный, полуконтактный/резонансный, а также:LFM, MFM, EFM, AFM AC, AFM DCРазмер сканаРежимысканированияPSIAМодельХЕ-100292SCMRAFMPhIPFSNSOMMFMLFMMACFVMСМCAFMDCAmI- Forse-Volume Measurements – измерение массивасиловых кривых- Lateral Force Microscope – микроскопия сил трения- Magnetic Alternating Current AFM – резонансныйрежим с магнитным возбуждением- Magnetic Force Microscope – магнитная силоваямикроскопия- Near Field Optical Microscope – сканирующий оптический микроскоп ближнего поля- Picoforce Force Spectroscopy – силовая спектроскопия в диапазоне пиконьютонов (nH)- Phase Imaging – режим визуализации фазы колебаний кантилевера- Resistance AFM – резистивный режим силовоймикроскопии- Scanning Capacitance Microscope – сканирующаяемкостная микроскопияVEECOTUNATMSTMSThMSSPMSPMSPMFMMная атомно-силовая микроскопия- Amplitude Imaging – режим визуализации амплиту- EFMды колебаний кантилевера- Conductance AFM – атомно-силовая микроскопия FDMпроводимости- Contact Mode – контактный режимFDSАСМ- Electric Force Microscope - электростатическая силовая микроскопия- Force-Distance Measurements – измерение силовыхкривых- Force-Distance Spectroscopy – силовая спектроскопия- Force Modulation Microscopy – модуляционная силовая микроскопия- Scanning Probe Microscope – сканирующая зондоваямикроскопия- Surface Potential Microscope – микроскопия поверхностного потенциала- Scanning Spreading Resistance Microscope - сканирующая микроскопия сопротивления растекания- Scanning Thermal Mode – сканирующая микроскопия теплопроводности- Scanning Tunnel Microscope – сканирующая туннельная микроскопия- Tapping Mode – полуконтактный/резонансный режим- Tunneling AFM – туннельная атомно-силовая микроскопия- Vacuum Electronic Equipment Company - компаниявакуумного электронного оборудованияБИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК1.
Тодуа, П. А. Российские нанотехнологии. Т.2. № 1 – 2, М. : Ростехрегулирование, 2007. – С. 61 – 69.2. РМГ 29-99 «ГСИ. Метрология. Основные термины и определения».3. Троян, В. И. Метрология и стандарты в области нанотехнологий / В. И.Троян [и др.] // Измерительная техника. – 2008. − № 9. – С. 45 – 47.4.
Окрепилов, В. В. Стандартизация и метрология в нанотехнологиях. –Спб. : Наука, 2008. – 260 с.5. Состояние и тенденции развития европейской нанотехнологии. Материалы «NANOFORUM 8». М. : Ростехрегулирование. ВНИИОФИ, 2008.121 с.6. Тодуа, П. А. Метрологическое обеспечение, стандартизация и оценкасоответствия нанотехнологий и нанопродукции / П.
А. Тодуа. – М. :Ростехрегулирование, 2007.7. Коровин, А. Н. Современные принципы технического регулирования вметрологии / А. Н. Коровин [и др.]. – Владимир: Полипринт, 2007. –178 с.8. ГОСТ Р 8.628-2007. ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона измонокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам,линейным размерам и выбору материала для изготовления.9. ГОСТ Р 8.629-2007. ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона страпецеидальным профилем элемента. Методика поверки.10. ГОСТ Р 8.630-2007. ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомносиловые измерительные.
Методика поверки.11. ГОСТ Р 8.631-2007. ГСИ. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки.12. ГОСТ Р 8.635-2007. ГСИ. Микроскопы сканирующие зондовые атомносиловые. Методика калибровки.13. ГОСТ Р 8.636-2007. ГСИ. Микроскопы электронные растровые.
Методика калибровки.14. ГОСТ Р 8.644-2008. ГСИ. Меры рельефные нанометрового диапазона страпецеидальным профилем элементов. Методика калибровки.15. Новиков, Ю. А. Точность измерения линейных размеров на растровыхэлектронных микроскопах / Ю. А. Новиков [и др.] // Измерительнаятехника. – 2008. − № 6. – С.15 – 18.29316. Волк, Ч. П.
Измерение линейных размеров рельефных элементов микро- и наноструктур на высоко- и низковольтных растровых электронных микроскопах / И. П. Волк [и др.] // Измерительная техника. – 2009.− № 1. – С. 15 – 1717. Новиков, Ю. А. и др. // Труды ИОФАН. – 1998. – т.55.18. Токарева, И. П. Измерение длин волн лазеров на переходе 0,63 мкм / И.П. Токарева, Ю. Д.
Коломников // Измерительная техника. – 1985. − №8. – С. 30.19. Соловьев, В. С. Анализ погрешностей метода измерения длин волн ичастот лазеров / В. С. Соловьев, В. М. Смулаковский // Измерительнаятехника. – 1977. – № 10. – С. 37-38.20. Аммосов, Р. М. Количественная оценка разрешающей способностирастрового электронного микроскопа / Р. М. Аммосов [и др.] // Измерительная техника. – 1987. − № 2. – С. 22 – 23.21.
Борисовский, С. П. Измерение стабильности / С. П. Борисовский [и др.]// Измерительная техника. – 1977. − № 8. – С. 45 – 47.22. Новиков, Ю. А. Прямое измерение ширины линии на атомно-силовоммикроскопе / Ю. А. Новиков [и др.] // Измерительная техника. – 2008. −№ 5.
– С. 10 – 12.23. Раков, А. В. Измерение линейности сканирования в атомно-силовоммикроскопе / А. В. Раков [и др.] // Измерительная техника. – 2008. − №6. – С. 12 – 14.24. Абросимов, Д. М. Измерение расходимости импульсного лазерного излучения методом фокального пятна с применением зеркального клина /Д. М. Абросимов [и др.] // Измерительная техника. – 1982. − № 11. –С.