93535 (Разработка процессорного модуля аппарата искусственной вентиляции лёгких), страница 9
Описание файла
Документ из архива "Разработка процессорного модуля аппарата искусственной вентиляции лёгких", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "медицина" из , которые можно найти в файловом архиве . Не смотря на прямую связь этого архива с , его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "медицина, здоровье" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "93535"
Текст 9 страницы из документа "93535"
Выводы микросхемы :
| АО | КРШМ | ||
| А1 | •*-»• | ||
| А2 | В1 | — | |
| АЗ | В2 | — | |
| А4 | ВЗ | 1 — | |
| А5 | В4 | ||
| А6 | В5 | ||
| А7 | В6 | , — | |
| А8 | В7 | ||
| А9 | |||
| А10 | |||
| АИ | ОУ | — | |
| А12 | |||
| •С8 | Ир | ||
| 5 | Исс | — |
1-ир
-
адрес А12
-
адрес А7
-
адрес А6
-
адрес А5
-
адрес А4
-
адрес АЗ
-
адрес А2
-
адрес А1
10- адрес АО
11-выход ВО
12- выход В1
13-выход В2
14- общий
15-выход ВЗ
-
выход В4
-
выход В5
18-выход В6
19- выход, Р7
20-вход С8
21-адрес А10
-
ОЕ
-
адрес А11
-
адрес А9
-
адрес А8
26-свободный
27-Ж
28- Осе
Режимы работы К573РФ6 приведены в таблице 4.2. Таблица 4.2. Таблица истинности К573РФ6
| A | CS | OE | РК | Up | Ucc | |
| Хранение | X | Uн | X | X | Ucc | +5В |
| Считывание | А | ТЛ | 1Л | Ш | Усе | +5В |
| Контроль записи | А | 1Л | 1Л | Ш | + 19В | +5В |
| Запись слова | А | Ш | Ш | ш | +19В | +5В |
Для стирания записанной информации микросхему нужно извлечь из контактного устройства , замкнуть все ее выводы полоской фольги и поместить под источник УФ освещения , обеспечив ее обдув . Однако стирание можно произвести , не извлекая микросхему из контактного устройства, но тогда нужно отключить напряжение питания и сигналы . Типовые источники стирающего излучения - дуговые ртутные лампы и лампы с парами ртути в кварцевых баллонах : ДРТ-220 , ДБ-8 и др. Излучение проникает к кристаллу' РПЗУ через прозрачное окно в крышке корпуса . Время стирания 30...60 минут .
Для предохранения от случайного стирания информации окно в крышке корпуса закрывается специальной пленкой .
ОМЭВМ КР1816ВЕ51 содержит встроенное ОЗУ памяти данных емкостью 128 байт , а для расширения общего объема оперативной памяти необходима дополнительная микросхема внешнего ОЗУ с объемом памяти 2 Кбайта. ОЗУ служит для временного хранения значений рабочих переменных и параметров . Память данных предназначена для приема , хранения и выдачи информации в процессе выполнения программы.
Основные требования предъявляемые к микросхеме внешнего ОЗУ : напряжение питания 5В , емкость 2 Кбайта , словарная организация , уровни ТТЛ входных и выходных сигналов , небольшая потребляемая
мощность , способность длительное время сохранять информацию при пониженном напряжении питания .
Наиболее полно этим требованиям удовлетворяет серия КМДП- микросхем памяти КР537 . Значительное число микросхем серии имеет словарную организацию : КР537РУ8 , КР537РУ9 , КР537РУ10 , КР537РУ13 , КР537РУ17 . Эти микросхемы допускают запись ( считывание ) четырехразрядными (КР537РУ13) и восьмиразрядными словами ( остальные микросхемы ) . Нас интересуют восьмиразрядные микросхемы . Параметры этих микросхем приведены в таблице 4.3.
Таблица 4.3. Основные параметры микросхем серии КР537
| Емкость , бит | 1су , не | {С8 , НС | 18у(а-С8) , НС | гуу , не | Рсс мВт | |
| КР537РУ8 | 2Кх8 | 350 | 200 | 70 | 220 | 150 |
| КР537РУ9 | 2Кх8 | 400 | 220 | 20 | 220 | 150 |
| КР537РУ10 | 2Кх8 | 220 | 220 | 30 | 220 | 350 |
| КР537РУ17 | 8Кх8 | 200 | 200 | 20 | 200 | 425 |
В таблице были приняты следующие обозначения : {су- время цикла, {С8- время выборки , 18у(а-с8)- время установления сигнала С8 относительно сигналов адреса , 1ш(с8) - длительность сигнала С8 .
Таблица 4.4. Характеристики микросхем К537 в режиме хранения
| Исс , В | Рсс , мкВт | |
| КР537РУ8 | 5 | 5000 |
| КР537РУ9 | 3,3 | 2000 |
| КР537РУ10 | 2 | 0,6 |
| КР537РУ17 | 2 | 40 |
Используя приведенные выше таблицы выбираем микросхему КР537РУ10 в качестве ОЗУ .
Таблица 4.5. Таблица истинности КР537РУ10
| С8 | СЕО | ш/к | АО-А10 | |
| Хранение | 1 | X | X | X |
| Запись | 0 | X | 0 | А |
| Запрет выхода | 0 | 1 | 1 | А |
| Считывание | 0 | 0 | 1 | А |
| АО | КАМ | |
| А1 | «*-»• | |
| А2 | ВО | |
| АЗ | О1 | |
| А4 | В2 | |
| - А5 | вз | |
| А6 | В4 | |
| А7 | В5 | |
| А8 | В6 | |
| А9 | в? | |
| А10 | ||
| С8 | ||
| СЕО | ОУ | |
| ^/К | 5У |
рис. 4.3. Графическое изображение микросхемы КР537РУ10
При обращении к внешней памяти данных формируется шестнадцати-
разрядный адреса, младший байт которого выдается через порт РО, а старший —- выдается через порт Р2. Байт адреса , выдаваемый через порт РО нужно зафиксировать , т.к. в дальнейшем линии порта РО используются как шина данных, через которую байт данных принимается из памяти при чтении или выдается в память данных при записи.
Для фиксации младшего байта шестнадцатиразрядного адреса используем внешний регистр . В его качестве используем восьмиразрядный регистр КР1533ИР22 . Микросхемы этой серии по сравнению другими сериями ТТЛ микросхем обладают минимальным значением произведения быстродействия на рассеиваемую мощность и предназначены для организации высокоскоростного обмена и обработки информации .
Микросхема КР1533ИР22 представляет из себя восьмиразрядный регистр на триггерах с защелкой с тремя состояниями на выходе . Применение выхода с тремя состояниями и увеличенная нагрузочная способность обеспечивает возможность работы непосредственно на магистраль в системах с магистральной организацией без дополнительных схем интерфейса . Именно это позволяет использовать КР1533ИР22 в качестве регистра, буферного регистра и т.д.
| В1 | КО | 01 | — |
| 1)2 | 02 | — | |
| ВЗ | 03 | — | |
| В4 | 04 | — | |
| В5 | 05 | — | |
| Об | Об | — | |
| В7 | 07 | ||
| В8 | 08 | ||
| С |
рис.4.4. Графическое изображение КР1533ИР22
Режимы работы регистра КР1533ИР22 приведены в таблице истинности 4,6..
