Список трудов оппонента 1 (Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц)
Описание файла
Файл "Список трудов оппонента 1" внутри архива находится в следующих папках: Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц, Документы. Документ из архива "Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64 ггц", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Онлайн просмотр документа "Список трудов оппонента 1"
Текст из документа "Список трудов оппонента 1"
Список статей Буробина Валерия Анатольевича за 5 лет
-
В.А. Буробин, Н.И. Каргин, А.М. Коновалов и др. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. – 2015. – Т. 7. – № 1. – С. 22-26.
-
В.А. Буробин, В.В. Пищагин, А.М. Коновалов и др. Применение плёнок тугоплавких металлов в омических контактах к AlGaN/GaN гетероструктурам // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. – 2015. – № 4 (238). – С. 49-56.
-
В.А. Буробин, Н.И. Каргин, А.М. Коновалов и др. Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью // Успехи современной радиоэлектроники. – 2014. – № 9. – С. 48-51.
-
В.А. Буробин, А.Ю. Волошин, Н.И. Каргин и др. Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения // Успехи современной радиоэлектроники. – 2014. – № 9. – С. 53-56.
-
В.А. Шепелев, А.А. Алтухов, В.А. Буробин и др. Одноэлементные и многоэлементные детекторы УФ излучения на основе широкозонных (алмаз и карбид кремния) материалов // В сборнике: Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. – 2014. – С. 237-240.
-
В.А. Буробин. Перспективы развития приборов силовой электроники на основе нитрида галлия // Наукоемкие технологии. – 2013. – Т. 14. – № 11. – С. 5-12.
-
В.А. Буробин, Н.И. Каргин, А.М. Коновалов и др. Разработка технологии производства СВЧ-транзисторов на гетероэпитаксиальных структурах нитрида галлия в ОАО «ГЗ «ПУЛЬСАР» // Наукоемкие технологии. – 2013. – Т. 14. – № 11. – С. 30-36.
-
В.А. Буробин, Л.М. Пазинич. Перспективы развития СВЧ твердотельной электроники в ОАО «Государственный завод «Пульсар» // Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника. – 2013. – № 3 (518). – С. 47-50.
-
В.А. Буробин, Л.М. Пазинич. Инновационные технологии в производстве СВЧ-электронных твердотельных компонентов // Наукоемкие технологии. – 2013. – Т. 14. – № 11. – С. 37-44.
-
В.А. Буробин, А.М. Коновалов, А.А. Макаров и др. Разработка конструкции и промышленной технологии изготовления мощного СВЧ-транзистора на базе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. – 2012. – № 4. – С. 66-71.