Методические указания по выполнению лабораторных работ, страница 4
Описание файла
Документ из архива "Методические указания по выполнению лабораторных работ", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электронные вычислительные машины (эвм)" из 10 семестр (2 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "книги и методические указания", в предмете "электронное конструирование эвм" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Методические указания по выполнению лабораторных работ"
Текст 4 страницы из документа "Методические указания по выполнению лабораторных работ"
Лабораторная работа № 1 (1б)
1б – Исследование и выбор конструктивно-топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Таблица 3
Результаты расчета конструктивно - топологических параметров кристаллов БИС и СБИС.
Уровень компоновки, | Устройство | Интеграция | Число внешних выводов | Размер кристалла (мм) | Уровень технологии (мкм) | Шаг контактных площадок lкп (мкм) | |||||||
Схемная (ЭЛЭ) | Макс. с учетом эффективного) (ЭЛЭ) | Логических (mi) | Потенциальных (me) | Общее число (mобщ) | |||||||||
| СБИС | ||||||||||||
| БИС в уст-ве МКМ | ||||||||||||
| МКМ | - | - | - | |||||||||
| БИС в уст-ве ПАНЕЛИ | ||||||||||||
| ПАНЕЛЬ | - | - | - | - | - |
Рис. 1б)
б) конструктивно – топологический
чертеж кристалла СБИС в устройстве СБИС
Дата ______________ 200__г. Студент ______________________
Группа:___________________ Подпись ______________________
Рис. 1а)
а) конструктивно – топологический
чертеж кристалла БИС в
устройствах МКМ и Панели
Толщина корпуса HK (мм) | штыр | - | ||
план | - | |||
Длина внешних выводов lв (мм) | штыр | - | ||
план | - | |||
Габарит. Размеры корпуса Б (мм) | штыр | - | ||
план | - | |||
Шаг выводов ав (мм) | штыр | - | ||
план | - | |||
Рассеив. мощность Р (Вт) | ||||
Из табл. 1.3. Прил. 1б | Шаг контакт. пл. на кристалле lКП (мкм) | |||
Размер кристалла А (мм) | ||||
Общее число внешних выводов | ||||
Максим. интеграция кристалла с учетом эффективности (ЭЛЭ) | ||||
Устройство | СБИС | БИС в устройстве ПАНЕЛИ | ||
Уровень компоновки i | i = 4 | i = 3 |
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 Приложение 2
2а – Исследование и выбор параметров конструкции корпусов БИС и СБИС
Результаты исследования корпусов БИС и СБИС Таблица 2
а) б)
Рис. 2. Общий вид конструкции корпусов БИС и СБИС. (БИС с планарными (2-а) и СБИС со штыревыми (2-б) выводами).
Дата ________________________ 200__г. Группа:______________________
Студент __________________________ Подпись _____________________
Рассеив. мощность МКМ Р (Вт) | |||||
Толщина корпуса HK (мм) | штыр | - | |||
план | - | ||||
Длина внешних выводов lв (мм) | штыр | - | |||
план | - | ||||
Габарит. размеры корпуса Б (мм) | штыр Г | ||||
план В | |||||
Шаг расположения кристаллов БИС aкр (мкм) | - | ||||
Шаг выводов ав (мм) | штыр | ||||
план | |||||
Из табл. 1.3. Прил. 1б | Шаг контактных площадки БИС lКП (мм) | - | |||
Размер кристалла БИС А (мм) | - | ||||
Общее число внешних выводов mобщ | |||||
λ кристалла БИС (мкм) | - | ||||
Схемная интеграция N(ЭЛЭ) | |||||
Устройство | БИС МКМ | МКМ | |||
Уровень компоновки i | i = 3 | i = 4 |
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 (3а) Приложение 3а
3а – Исследование и выбор параметров конструкции МКМ на бескорпусных БИС
Результаты исследования конструкции МКМ (на бескорпусных БИС) Таблица 3а
а) б)
Рис. 3а. Общий вид конструкции МКМ с планарными (а) и штыревыми (б) выводами
Шаг расположения корпусов БИС акор (мм) | ||
Рассеиваемая мощность Р(Вт) | ||
λ кристалла БИС (мкм) | - | |
Шаг внешних выводов ав (мм) | ||
Габаритные размеры МПП Д(мм) | ||
Число внешних выводов | ||
Схемная интеграция (ЭЛЭ) | ||
Устройство | ПАНЕЛЬ БИС | ПАНЕЛЬ |
Уровень компоновки i | i = 3 | i = 4 |
Приложение 3б
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 (3б)
3б – Исследование и выбор параметров конструкции ПАНЕЛИ на корпусных БИС
Таблица 3б
Результаты исследования конструкции ПАНЕЛЬ на корпусных БИС
Студент ________________
Рис.3б. Схема размещения элементов конструкции Группа _________________
ПАНЕЛИ на МПП Дата ______________ 200__ г.
Подпись ____________________
Приложение 4.
Лабораторная работа № 4
Исследование и расчет трассировочной способности и слойности коммутационных элементов устройств ЭВМ Таблица 4а
Уровень компоновки i | Вариант 1 (СБИС) | ||||||||||||||||||||
|
| , | , | , | , | , | , | , | , | ||||||||||||
i = 1 | |||||||||||||||||||||
i = 2 | |||||||||||||||||||||
i = 3 | |||||||||||||||||||||
i = 4 |
Уровень компоновки i | Вариант 2 (МКМ) | |||||||||
|
| см | , | , | , | , | , | , | , | |
I = 1 | ||||||||||
I = 2 | ||||||||||
I = 3 | ||||||||||
I = 4 |
Уровень | Вариант 3 (ПАНЕЛЬ) | |||||||||||
|
| , | , | , | , | ,трасс. | , | , | , | , | ||
i = 1 | – | – | ||||||||||
i = 2 | ||||||||||||
i = 3 | ||||||||||||
i = 4 |
Таблица 4б
Результаты исследования значения основных параметров проводников
Обозначение | Кристаллы | МКМ | ||||
СБИС | БИС | Креамниевая подложка | Керамическая подложка | Полиимидно керам.подложка | ПАНЕЛЬ МПП | |
атр, мкм | ||||||
Wпр, мкм | ||||||
hпр, мкм |
Студент ________________ Дата ___________________ 200__г.