Вопросы к зачету

2018-01-092018-01-09zzyxelСтудИзба

Описание файла

Документ из архива "Вопросы к зачету", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физические основы электроники (фоэ)" из 4 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "физические основы электронных приборов" в общих файлах.

Онлайн просмотр документа "Вопросы к зачету"

Текст из документа "Вопросы к зачету"

Модуль № 1 к курсу «ФОЭП». Физические процессы в электровакуумных приборах

Как взаимосвязаны основные параметры вакуумной системы: быстрота откачки So вакуумной камеры, быстрота действия Sн насоса и проводимость U вакуумного трубопровода?
Вывести уравнение для расчета времени откачки вакуумного объема до заданного давления p.
Как зависит объемная концентрация С газа в твердом теле от температуры Т и давления р?
Как зависит удельный поток газопроницаемости q’ через тонкую стенку от температуры T и давления газа p?
Показать схему образования двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения.
Как выглядит энергетический барьер для электронов на границе «металл – вакуум» с учетом сил двойного электрического слоя и заряда электрического зеркального изображения? Показать график и уравнение.
Как зависит плотность тока je термоэлектронной эмиссии от температуры Т и работы выхода Авых (закон Ричардсона-Дэшмана)?
Как выглядит энергетический барьер для электронов при действии внешнего электрического поля (при электростатической эмиссии)? Показать график и уравнение.
Как зависит анодный ток IА от анодного напряжения UА в плоском ЭВ диоде? (Закон «степени 3/2»).
Как определяется размер изображения для электронной линзы? Закон Лагранжа – Гельмгольца.

Модуль 2 по курсу «ФОЭП». Электровакуумные приборы.

Что является параметром интенсивности электронного пучка? Написать формулу. Какова условная граница интенсивности пучка для мощных и маломощных электронных пушек?
Написать граничные условия распределения потенциала в осевом и поперечном направлении для ленточного электронного пучка? Дать схему и уравнения.
Как зависит чувствительность электростатических и магнитных отклоняющих систем ЭЛТ от потенциала анода? Какие из этих систем менее чувствительны к потенциалу анода?
Написать уравнение для яркости свечения люминофорного экрана ЭЛТ (закон Ленарда).
Какие функции выполняет алюминиевая пленка, которая наносится на люминофорный экран ЭЛТ?
Показать вольт-амперную характеристику и основные области газового разряда в вакууме.
Показать распределение потенциала между катодом и анодом при тлеющем разряде.
Что такое объемная и поверхностная ионизация при газовом разряде?
Как определяется длина свободного пробега электрона в плазме? Дать уравнение.
Написать уравнение ионизационного преобразователя. Что такое эффективность ионизации для такого преобразователя?

Модуль 3 по курсу «ФОЭП». Физические процессы в полупроводниковых структурах

В чем различие механизмов электрической проводимости для металлов и полупроводников? Дать формулы для расчета удельного сопротивления.
Зонные диаграммы полупроводников: собственных, n-типа, p-типа. Как задается тип проводимости?
Кристаллические структуры «типа алмаза» и «типа цинковой обманки». Индексы Миллера. Показать основные кристаллографические плоскости кубического кристалла.
Как определяется концентрация подвижных носителей заряда в полупроводниках? Написать общую формулу.
Как зависит функция распределения Ферми – Дирака от температуры Т полупроводника и энергии Е квантовых состояний электронов? Показать график и уравнение.
Как выглядит функция распределения Максвелла – Больцмана для энергетических уровней электронов Е>>Еf? Показать график и уравнение.
Как зависит концентрация подвижных носителей заряда собственных полупроводников от ширины запрещенной зоны DЕ и температуры Т?
Как определяется концентрации основных носителей заряда для примесных полупроводников?
Как определяется концентрации неосновных носителей заряда для примесных полупроводников?
Показать график зависимости концентрации основных носителей заряда ln nn и ln pp от 1/Т в примесных полупроводниках?

Модуль 4 по курсу «ФОЭП». Полупроводниковые приборы

Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода до включения внешнего напряжения.
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении прямого внешнего напряжения.
Показать зонную диаграмму идеального симметричного p – n – перехода при включении обратного внешнего напряжения.
Дать уравнение и график ВАХ идеального p – n – перехода.
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора без внешнего напряжения.
Зонная диаграмма биполярного p – n – p – транзистора при включении внешнего напряжения.
Как определяются коэффициенты передачи тока эмиттера a и тока базы b?
Схема формирования индуцированного p – канала в МОП – транзисторе при подаче на затвор отрицательного напряжения Uз? Показать зонную диаграмму.
Какие из транзисторов обладают температурной стабильностью: биполярные или полевые?
За счет чего происходит испускание квантов электромагнитного излучения в светодиодах?