Условия теста №1

Тест №1 по курсу «Микро и нанотехнологии»

Студент ……………………….. Группа ………………………

Задание: Отметить знаками «+» или «-» методы, с помощью которых можно или нельзя нанести в вакууме тонкопленочное покрытие из следующего материала:

Оценка в баллах зависит от количества правильных ответов N:

Тест №2 по курсу «Микро и нанотехнологии»

Вариант 1

Рассчитать в указанных точках подложки диаметром D стехиометрический состав тонкой пленки (весовой и молекулярный), состоящей из (Cu) и (Zn) и наносимой термическим методом из двух источников согласно прилагаемой схеме (D=100 мм; H=250 мм; a=10 мм; b=35 мм).

Вариант 2

Рассчитать максимальную неравномерность толщины пленки, осаждаемой из точечного источника на внутреннюю поверхность конуса с углом при вершине ά=60^о и высотой H=100 мм. Источник размещен на одной оси с конусом и отстоит от линии его основания на величину a=10 мм, согласно прилагаемой схемы:

Вариант 3

Рассчитать необходимую частоту вращения n (об/мин) барабана диаметром D=500 мм для нанесения на движущуюся ленту тонкопленочного покрытия из Al толщиной 3,2 мкм методом термического испарения. Расстояние от источника до барабана h=100 мм.

Вариант 4

Рассчитать давление p (Па) реактивного газа (N₂), необходимое для получения методом термического испарения тонкой пленки Si₃N₄ на подложке диаметром D=150 мм, расположенной на расстоянии r=200 мм от испарителя. На сколько отличается стехиометрический состав пленки в центре и на периферии подложки?

Вариант 5

Рассчитать неравномерность тонкопленочного покрытия из Al, нанесенного методом термического испарения на две полусферы радиусом R= 130 нм при h=100 мм, а=10 мм.

Вариант 6

Определить температуру Т, до которой необходимо нагреть подложку для получения кристаллической пленки …….. при скорости осаждения Vо= ………… кг/(м²с). Энергию активации диффузии принимаем равной 0,5 эВ, энергию активации десорбции 1,5 эВ. Как изменится Т при осаждении пленки из ……………..?

Вариант 7

Рассчитать частный (по параметру γ) коэффициент выхода годных тонкопленочных ИС при нанесении пленки ………….. методом ……………………………………………………. (скорость осаждения принять равной скорости испарения или распыления). Разброс параметров составляет: σ_p= ………….. Па, σ_T= ………… К, σ_V0= ……….. нм/с. Остальные параметры стабильны, γ_д= ………..

Тест №3 по курсу «Микро и нанотехнологии»

Вариант 1

Рассчитать минимально допустимое расстояние от системы сканирования до подложки диаметром 200 мм в установке ионной имплантации при энергии ионов As, равной 150 кэВ.

Вариант 2

Рассчитать параметры отклоняющей системы установки ионной имплантации, обеспечивающей постоянный угол внедрения ионов P и сканирование пучка с энергией 300 кэВ по пластине диаметром 100 мм.

Вариант 3

Рассчитать индукцию магнитного поля, при которой 2-x зарядные ионы B с энергией 500 кэВ имеют радиус траектории 0,5 м. Определить тип нежелательных ионов в отсепарированном пучке, если диаметр выходной диафрагмы масс-сепаратора равен 2,5 мм.

Вариант 4

Сравнить погрешности размеров обрабатываемых элементов ИС при проведении процесса ИХТ двумя методами: с автономным источником ионов и диодным на постоянном токе.

Вариант 5

Рассчитать расстояние между электродами при ИПТ диодным на постоянном токе методом, при котором атомы распыляемого материала начнут возвращаться на обрабатываемую подложку.

Вариант 6

Рассчитать погрешность ионного травления слоя W толщиной 0,4 мкм через маску из С в установке триодного типа.

Вариант 5

Рассчитать погрешность ионно-химического травления слоя Si толщиной 0,5 мкм магнетронным методом с Cl-содержащим рабочим газом.