Конспект лекций
Описание файла
Документ из архива "Конспект лекций", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "лекции и семинары", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Конспект лекций"
Текст из документа "Конспект лекций"
Московский государственный технический университет
им. Н.Э.Баумана
Ю.В.Панфилов
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Рекомендовано методической комиссией факультета
«Машиностроительные технологии» МГТУ им.Н.Э.Баумана
в качестве учебного пособия по курсу
«Элионные технологии»
Москва
МГТУ им.Н.Э.Баумана
Факультет
«Машиностроительные технологии»
2009
Часть I. ОСНОВЫ ЭЛИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Области применения, в т.ч. нанотехнологии.
Основы технологии: типовой маршрут (подготовка поверхности, нанесение слоев, литография, травление, имплантация, термообработка, контроль параметров и т.д.); обрабатываемые материалы; методы нанесения тонких пленок в вакууме, вакуумно-плазменного травления, ионной имплантации; расчет режимов нанесения тонких пленок в вакууме, вакуумно-плазменного травления, ионной имплантации.
-
Введение
-
Общие положения
-
Формирование потоков частиц
-
Вакуумное осаждение тонких пленок
-
Вакуумно-плазменное травление
-
Ионно-лучевая обработка и ионная имплантация
-
Измерения и контроль в вакууме
-
Заключение. Перспективы элионных технологий
Введение
Электронные технологии – это процессы обработки материалов высокоэнергетическими потоками частиц (электроны, ионы, молекулы), газоразрядной плазмой и излучениями (оптическое, гамма, рентгеновское). Применяют также наименования «электронно-ионно-плазменные», «элионные» технологии, однако «электронные» получило распространение как наиболее простое.
Расширительно к электронным технологиям относят ряд нетрадиционных процессов, возникших и отработанных первично в электронной промышленности. Среди них наиважнейший – вакуумирование, получение разреженной среды (вакуума) в замкнутых объемах, в которых проводятся различные технологические операции.
В конце ХХ века насыщение потребительского рынка, обострение конкурентной борьбы во всех сферах производства и сбыта, опережающее развитие таких направлений, как электроника, авиация и космонавтика поставили невиданные ранее требования к качеству промышленных изделий и способам их производства.
В категорию качества сейчас входит не только точность форм и размеров деталей, бесшумность и безотказность машин и приборов, но и экологическая безопасность технологий, комфортность обслуживания технологического оборудования.
Понадобились сверхчистые конструкционные материалы и методы их контроля, технологические воздействия в микронных зонах и с микронным диапазоном точности, чему традиционные технологии машиностроения и приборостроения удовлетворять не в состоянии.
Столетиями в сфере производства при получении конструкционных материалов и их обработке не подвергалось сомнению господство двух технологических сред – атмосферной и жидкостной. Однако, сверхчистые материалы не могут быть получены в атмосфере из-за растворения загрязняющих газов в объеме и на поверхности. Их химический состав и свойства поверхности не могут быть должным образом оценены из-за поверхностной адсорбции паров и газов. Традиционные инструменты формообразования и размерной обработки резанием и пластическим деформированием имеют прочностные пределы миниатюризации и обеспечить микрообработку не в состоянии. А потоки электронов и ионов, поддающиеся необходимой фокусировке в атмосфере функционировать не могут. Нанесение гальванических покрытий и иные технологические методы формирования защитных свойств поверхностного слоя были возможны лишь в токсичных жидких или высокотемпературных паровоздушных средах с экологически опасными стоками и выбросами.
Коренной перелом в решении проблем качества стал возможным благодаря новой технологической среде – вакууму, куда в настоящее время «уходят» многие «традиционные» технологические процессы. Плавка в вакууме позволяет получать особо чистые металлы, без раковин и загрязнений. Сварка в вакууме избавляет от коррозионной хрупкости сварные швы и точки соединения. Вакуумная упаковка продуктов позволяет длительно сохранять все необходимые свойства, сушка в вакууме взамен высокотемпературной атмосферной не приводит к разложению веществ и образованию токсичных выбросов.
Вакуумная техника и электронные технологии дали путевку в жизнь многим принципиально новым процессам. Прежде всего, это экологически чистое безотходное нанесение тонкопленочных покрытий – защитных, упрочняющих, антифрикционных, декоративных. Это легирование путем имплантации в поверхность металла ионов необходимых элементов взамен высокотемпературного насыщения. Это электронно-лучевая размерная микрообработка – получение отверстий, пазов, микронагрев и др. Это «сухое травление» ионными потоками или газоразрядной плазмой с микронным съемом материала по поверхности. Это микролитография – получение на плоскости тонкопленочных структур с микронным и субмикронным уровнем разрешения. Это высочайшей точности контроль в вакууме с помощью потоков частиц размеров микроструктур, химического состава и физических свойств поверхности материалов. Электронные технологии, рожденные первоначально в электронной промышленности, в настоящее время стремительно развиваются и находят применение в ядерной энергетике и космонавтике, электротехнике, машиностроении и приборостроении, строительстве, медицине, при производстве бытовых и художественных изделий.
Общие положения
Электронные технологии в машиностроении – это технологии воздействия потоков частиц в вакууме на конструкционные материалы. Характер воздействия зависит от типа частиц (электроны, ионы, атомы, молекулы), от их энергии и химической активности, а также от материала твердого тела (металлы, полупроводники, диэлектрики и т.п.).
Энергия воздействия определяется массой частиц m и скоростью их движения V (E=mV2/2), электрическим зарядом q и ускоряющим напряжением U (E=qU), а также температурой частиц T (E=kT, где k – постоянная Больцмана). В зависимости от энергии и плотности потока частиц возможны следующие эффекты взаимодействия и их практические приложения (Табл.1).
Уникальность этих технологий заключается в “работе” с отдельными атомами и молекулами обрабатываемых материалов, что приводит к высочайшей дискретности и точности обработки, причем как локальной, так и по всей поверхности детали. Широк и диапазон энергий атомных частиц (от нескольких электронвольт до нескольких ГэВ на частицу) и длительностей воздействия (от 10-16 с до непрерывной обработки). Эти технологии обладают огромными плотностями мощности пучков (до 1012 - 1014 Вт/см2), возможности дозированного легирования поверхностных слоев готовых изделий (повышение в десятки и сотни раз эксплуатационных характеристик деталей и узлов) и непрерывного контроля за состоянием, химическим составом и геометрическими размерами непосредственно в ходе проведения технологической операции, а также из-за возможности быстрой оптимизации параметров и полной автоматизации технологического процесса.
Пример: E=qezU=kT=mV2/2 (z – кратность ионизации)
E = qezU = 1 эВ = 1,6.10-19 Кл . 1 В = 1,6.10-19 Дж (А.с.В) Вт = Дж/с
E = kT = 1,38.10-23 Дж/К . 1000 К = 1,38.10-20 Дж / 1,6.10-19 Кл = 0,086 эВ.
293 К = 4.10-21 Дж = 0,04 эВ
Т=106 К -> E = kT = 1,38.10-23 Дж/К . 106 К = 1,38.10-17 Дж = 86 эВ -> U = 86 В.
E = mV2/2 = 9,1.10-31 кг . V2/2 -> V = Ѵ(2.10-20 Дж/9,1.10-31 кг) = 1,4.105 м/с
U = 106 В -> E = 1,6.10-17 Дж -> V = Ѵ(2.1,6.10-17 Дж/9,1.10-31 кг) = 6.106 м/с -> при приближении к скорости света (108 м/с) начинает увеличиваться масса частицы.
Вакуумное осаждение тонких пленок
Тонкие пленки можно получать практически из любых материалов, а области использования тонкопленочных покрытий имеют очень широкий диапазон (Табл.5).
5. Основные типы, области применения и материалы тонкопленочных покрытий
Тип пленки или покрытия | Область применения | Материал пленки |
Алмазоподобная | Электроника, медицина, машиностроение, связь | -C, -C:H, AlN, ZnO |
Антибликовое | Оптика | SiO2, TiO2, ZnO, SnO2, Ta2O3, Si3N4 |
Антистатическое | Микроэлектроника | InO, SnO, ZnO |
Аналитическая | Датчики относительной влажности, медицина | Pt, Ti |
Декоративное: на бумаге, металле, пластмассе, стекле, ткани и др. | Архитектура, строительство, полиграфия, легкая промышленность, бытовая техника | Al, Ti, W, Mo, Au, Cr, Cu, Ag, Nb, бронза, латунь |
Диэлектрическая | Микроэлектроника, электротехника, связь | SiO, SiO2, Si3N4, Al2O3 |
Индикаторная | Жидкокристаллические индикаторы | InSnO |
Износостойкое | Машиностроение: пары трения, резцы, фрезы, сверла, инструмент для прессования и формования, фильеры, валки | TiN, TiCN, TiAlN, AlSi, CrN, NiWO4, WSi, WC, TiN-BN, TiN-NbN-Si3N4, TiN-HfN-BN, AlN, -C, -C:H |
Коррозионностойкое | Машиностроение, медицина, электроника, архитектура, строительство, бытовая техника | Al, Cu, Cr, Ni, Ti, NiCu, ZnCd, MgNi, -C, -CH |
Магнитная | Электроника, связь | CoCr, CoNi, Se, Tb |
Металлическая, контактная, токоподводящяя | Микроэлектроника | Al, Ni, Ta, W, AlSi, PtSi, WSi, PtSi-W-TiW-Al, PtSi-W-TiN-Al |
Оптическое | Оптика, оптоэлектроника | Al2O3, Si3N4, SiO2, TiO2, ZnO, ZnAlO, SnO2 |
Отражающая | Оптика | CoO, CrO-Co, FeO, TiO2, SiO2 |
Оптическое, излучающее | Оптоэлектроника | CdTe, InSnO, PbSnSe, CaF2, CoSi2, CdHgTe, InP, Y3F5O12 |
Магнитооптическая, ПАВ, ЦМД | Приборостроение | AlN, GdCo, SmCo |
Полупроводниковая | Микроэлектроника, связь | Si, GaAs, CaF2, InP, B, GaAsxAly, CdGeAs, CuInSe, CdS, CdSe |
Просветляющее | Оптика | TaO, TiO, WO, AlO |
Пьезоэлектрическая | Функциональная электроника | AlN, LiNb3, Al, Pd, Au, Ag, Zn, Cu, Ni-Al, SnAl, Fe, Cr-Au, Ni-V |
Резистивная | Электроника, электротехника, связь | Re, Cr, Ni, NiCr, Au, Al, Ti, Ta, AlW, Ti-Ta-N |
Светопоглощающее | Оптика, энергетика | CuIn3Se5 |
Сверхпроводящая | Электроника, энергетика | NbN, BaCaCuO, TlBaCaCuO, YbaCuO, BiSrCaCuO |
Теплозащитное | Архитектура строительство | TiO2-Ag-TiO2, SnO2, SiN, CrN |
Твердосмазочное | Машиностроение | MoS2, WS2, MoSe2, Wse2, -C, -C:H, фторопласт-4 |
Электретная | Электроника, медицина | Ta2O5 |
В качестве подложки могут использоваться практические любые твердые материалы: полупроводники, металлы, сплавы, полимеры, стекло, керамика, камень, дерево, ткани, порошковые материалы и т.д.