Вопросы к экзамену по ТПТС
Описание файла
Документ из архива "Вопросы к экзамену по ТПТС", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология производства технических систем" из 11 семестр (3 семестр магистратуры), которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология производства технических систем" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "Вопросы к экзамену по ТПТС"
Текст из документа "Вопросы к экзамену по ТПТС"
Вопросы по дисциплине Борис Алексеевич
«Технология производства технических систем» для гp. A-91, 92
-
Основные технологические процессы эпитаксиально-планарной технологии. 1-3
-
Технология выращивания монокристаллических полупроводников. Вытягивание монокристаллов из расплава (метод Чохральского). 3-5
-
Базовая технология изготовления полупроводниковых подложек. 5-8
-
Назначение тонких диэлектрических покрытий в микроэлектронной технологии. Основные методы формирования диэлектрических покрытий. 8-10
-
Технология химического осаждения диэлектрических покрытий из газовой фазы. 10-11
-
Технология высокотемпературного окисления кремния. 8-10
-
Область использования тонких металлических пленок в микроэлектронной технологии. Основные методы формирования металлических пленок. 11-12
-
Формирование тонких металлических покрытий методом термовакуумного испарения. 12-14
-
Формирование тонких металлических покрытий методом ионного распыления материалов в вакууме. 14-16
-
Назначение литографических процессов в микроэлектронной технологии. Основной принцип проведения литографических операций. 22-23
-
Последовательность выполнения операций фотолитографического процесса. 23-29
-
Фотошаблон как инструмент выполнения фотолитографического процесса. Понятие о контактной и проекционной фотолитографии. 25-26
-
Проведение литографических процессов с применением рентгеновского излучения, электронных и ионных пучков. Основные достоинства и ограничения методов. 29-30
-
Легирование полупроводниковых материалов методом диффузии примеси. Диффузия из ограниченного и неограниченного источников примеси. 16-18
-
Легирование полупроводниковых материалов методом ионной имплантации. Основные характеристики процесса. 19-20
-
Технология формирования эпитаксиальных пленок в микроэлектронной технологии. Эпитаксия из газовой фазы.20-22
-
Основные сборочные операции в микроэлектронном производстве. 30-35
-
Принцип конструирования радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Конструктивно-технологические особенности узлов на печатных платах. 31
-
Типы печатных плат. Общие технические требования к печатным платам. Материалы для изготовления печатных плат. 30-31
-
Субтрактивный (химический) метод изготовления печатных плат. Последовательность операций при изготовлении двусторонней печатной платы. 31-32
-
Технология изготовления многослойных печатных плат. Из pdf 10-11 стр
-
Аддитивный метод изготовления печатных плат. Последовательность выполнения технологических операции. 32-33
-
Изготовление печатных плат методом послойного наращивания. Из pdf 13 стр
-
Технологический процесс изготовления узлов на печатной плате (УПП). Основные технологические процессы и операции. Виды монтажа компонентов при изготовлении УПП.
-
Основные операции подготовки печатных плат и изделий электронной техники (ИЗТ) к монтажу при изготовлении узлов на печатной плате. 33
-
Сборка узлов на печатной плате. Основные подготовительные операции. Методы установки изделий электронной техники на печатные платы. 33-35
-
Технология пайки узлов на печатных платах. Материалы, используемые при пайке. 34-35
